擴大在射頻（RF）芯片代工市場的占有率；該類芯片傳統上大多是采用更稀有的砷化鎵（gallium arsenide，GaAs）制程。
2014-06-12 09:07:09
1377 按照基本工藝制程技術的類型，BiCMOS 工藝制程技術又可以分為以 CMOS 工藝制程技術為基礎的 BiCMOS 工藝制程技術，或者以雙極型工藝制程技術為基礎的 BiCMOS 工藝制程技術。以
2024-07-23 10:45:574121 
斯利通陶瓷電路板分析4種陶瓷電路板制造技術中，激光活化金屬化將成主流工藝
2021-01-06 07:03:36
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，便于激光焊接。氣密部分可承受180℃的二次焊接溫度，從而解決了光纖、套管與管殼 之間的金屬化密封問題。 標準產品1.一級鎳管光纖組件2、二級鎳管光纖組件3、小型二級鎳管組件&
2009-06-11 10:09:44
請問有誰寫過收音機芯片AKC6951的控制程序
2017-08-29 13:58:32
各位大神一起討論一下LCP金屬化
2020-01-10 16:34:38
PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
`請問PCB價格的組成因素和制程費用是多少？`
2020-06-18 17:11:49
信號過孔孔徑比較小的情況下（比如0.3mm直徑），這種情況下過孔金屬化會不會不夠？
2023-04-07 17:57:34
`請問PCB負片工藝為何不適合做金屬化半孔？`
2020-02-26 16:42:39
SMT制程常見缺陷分析與改善
2012-08-11 09:56:52
步驟標準化，甚至是材料在每個環節的添加量也都必須要規定下來。 當以上所有因素都加以標準化并確實執行，且該制程的測定值都在穩定的管制狀態下之后，這時的制程能力才可稱之為該制程的工程能力。 此外，制程能力
2018-01-10 14:53:47
了。多年來，陶瓷金屬化一直是一個熱門的課題，國內外學者都對其展開了深入的研究。陶瓷材料的優勢1.低通訊損耗－陶瓷材料本身的介電常數使得信號損耗更小。2.高熱導率－芯片上的熱量直接傳導到陶瓷片上面，無需
2021-03-10 12:00:17
我想使用ADS2011.10進行兩層金屬化EM仿真。我在使用ADS2011.10生成EM仿真和兩層金屬化的布局生成時遇到了以下困難1）我想獲得兩層金屬化，如
2018-10-10 17:22:13
Metallized Polypropylene Film 金屬化聚丙烯薄膜特點：0.047μF~9.0μF630V~3000V.DC-40 to +85 °C電氣性能：1. 低損耗，內部溫升
2013-09-06 13:54:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
半金屬化孔的合理設計及加工方法
2012-08-20 20:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
半金屬化槽-孔的成型加工技術控討
2012-08-20 21:58:15
摘要 : 導讀：ASEMI半導體這個品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發半導體各類元器件，在半導體的制程和原理上可謂已經是精益求精，今天ASEMI半導體要和大家一起分享的，就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
) 是一切集成電路芯片的制作母材。既然說到晶體，顯然是經過純煉與結晶的程序。目前晶體化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶時，將特定晶向 (orientation
2011-08-28 11:55:49
晶圓針測制程介紹 晶圓針測（Chip Probing；CP）之目的在于針對芯片作電性功能上的 測試（Test），使 IC 在進入構裝前先行過濾出電性功能不良的芯片，以避免對不良品增加制造成
2020-05-11 14:35:33
大神，能解釋以下為什么在通孔位置金屬化會出現空洞或者較金屬化缺嗎？
2016-10-30 14:06:51
面向5G應用的高性能印刷線路板（PCB）上從頂部銅層到底部銅層的金屬化通孔（PTH）的內壁粗糙度對射頻性能的影響。
2020-12-21 06:24:34
聆聽制程的_音
2012-08-11 10:15:24
英特爾聯合創始人戈登·摩爾在半世紀前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數量翻一番。縱觀芯片每代創新歷史，業界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來對新制程節點命名
2019-07-17 06:27:10
各位大神，請問有沒有編過模糊PID控制程序或神經網絡控制程序？
2015-01-12 10:50:48
Altium designer非金屬化孔一般怎樣處理呢
2019-08-05 05:35:06
COG制程原理及流程一、課程目標:1-1:使學員了解COG制程原理1-2:使學員了解COG制程動作流程1-3:使學員了解COG制程之檢驗規范1-4:使學員了解COG制程之Defect Mode二、課程
2008-11-01 15:12:36
70 金屬化聚酯膜電容器-Metallized polyester film capacitor
■ 特點 ■ Features● 金屬化聚酯膜,無感卷繞結構 ● metallized polyester film, non-inductive wound construction● 容量范圍寬，體積
2009-04-11 10:39:5734 小型金屬化聚酯膜電容器Miniaturized metallized polyester film capacitor(Dipped)■ 外形圖 Outline Drawing
■ 特點 ■ Features● 金屬化聚酯膜,無感卷繞結構 ● metallized polyester film, n
2009-04-11 10:40:4993 高壓金屬化聚丙烯膜/箔式電容器
2009-04-11 10:51:4853 金屬化聚丙烯膜電容器(浸漬型)規格說明書
2009-04-11 10:52:2828 無外封裝金屬化聚酯膜疊片式電容器
2009-04-11 10:53:285 CL71金屬化疊片電容器
2009-11-16 17:01:189 X2金屬化聚丙烯膜安規電容器
2009-11-17 16:28:3657 PEI金屬化聚乙脂膜電容器
2009-11-18 11:14:4314 半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:586630 
白光LED制程原理
一、制程、量測與封裝設備
○1 MOCVD →有機金屬化學氣相沉積。（制程設備
2009-03-07 09:27:261972 
多層印制板金屬化孔鍍層缺陷成因分析
分析了金屬化孔鍍層的主要缺陷及產生原因，從各主要工序出發，提出了如何優化工藝參數，進行嚴格的工藝及生
2009-04-08 18:03:452167 金屬化紙介電容器的結構與特點
金屬化紙介電容器是在涂有醋酸纖維攘的電容器紙上再蒸發一層厚度為0.1μ的金屬膜作為電極，然后用這種金屬化的紙卷繞成芯子，端面噴
2009-08-21 17:02:184762 CJ31A型金屬化紙介電容器
CJ31A型金屬化紙介電容器是一種小型金屬化紙介電容器，它采用金屬外殼全密封結構，其外形如圖4-17 所示，主要特性參數見表4-27 -表4-29 。
2009-08-21 17:04:162367 CJ48A型交流密封金屬化紙介電容器
CJ48A 型交流密封金屬化紙介電容器采用金屬外殼、全密封結構，容量穩定性好，適用于交流電路。按電容器固定方式不同分為三種型號，
2009-08-21 17:05:012642 CL20型金屬化聚酯薄膜電容器
CL20型金屬化聚酯薄膜電容器以聚酯膜為介質，以真空蒸發金屬化層為電極，采用聚酯壓敏膠帶包裹、環氧樹脂灌封，具有自愈性強、體積小的
2009-08-21 17:09:391528 CL21型金屬化聚酯薄膜電容器
CL21型金屬化聚酯薄膜電容器采用金屬化聚酯薄膜卷制，外部用環氧樹脂包封，具有容量范圍寬、自愈力強、可靠性高的特點，適用于家用電器
2009-08-21 17:10:101231 CL21S(X)型超小型盒式封裝金屬化聚酯薄膜電容器
CL21S(X)型聚酯薄膜電容器采用金屬化聚酯薄膜卷繞或采用金屬化疊片技術制成，用環氧樹脂灌封，外部用塑料殼包封，具有
2009-08-21 17:10:53882 CL61型金屬化聚酯薄膜交流電容器
CL61 型金屬化聚酯薄膜交流電容器采用阻燃塑料外殼，用阻燃環氧樹脂封裝，具有自愈性好、體積小、安全可靠等特點，適用于需抑制電源
2009-08-21 17:11:371112 CL40型密封金屬化聚酯電容器
CL40型密封金屬化聚酯電容器采用金屬化聚酯薄膜卷繞而成，外殼為金屬全密封結構，有良好的防潮性能，適用于直流或脈動電路。其外形如圖4
2009-08-21 17:12:06901 CB40型密封金屬化聚苯乙烯電容器
CB40 型密封金屬化聚苯乙烯電容器具有良好的自愈性，適用于模擬計算設備、電子儀器等電子設備，以及對電容量精度、絕緣電阻、損耗和
2009-08-21 17:15:441457 CBB10M型金屬化聚丙無感烯電容器
CBB10M 型金屬化聚丙烯無感電容器具有耐沖擊電流、頻率特性好、體積小及等效電阻小的特點，適用于高保真音響電路和交流電路。其外形
2009-08-21 17:17:26721 CBB20型交流金屬化聚丙烯薄膜電容器
CBB20 型交流金屬化聚丙烯薄膜電容器采用聚乙烯膜為介質，再在介質上真空蒸發金屬為電極卷繞而成，外包封采用膠帶纏繞，兩端灌封
2009-08-21 17:18:151038 CBB23型金屬化聚丙烯薄膜電容器
CBB23 型金屬化聚丙烯薄膜電容器采用阻燃塑料外殼，用環氧樹脂封裝，具有體積小、
2009-08-21 17:19:091902 CBB25型金屬化聚丙烯薄膜電容器
CBB25 型金屬化聚丙烯薄膜電容器采用阻燃塑料外殼，用環氧樹脂封裝，具有體積小、
2009-08-21 17:19:351418 CBB30型交流密封金屬化聚丙烯電容器
CBB30 型交流密封金屬化聚丙烯電容器具有損耗值小、絕緣電阻高等特點，作為大容量積分電容在計算機電路中得到了廣泛的應用。其外
2009-08-21 17:20:171385 CBB40型金屬化聚丙交流電容器
CBB40 型金屬化聚丙烯交流電容器為金屬外殼全密封結構，具有自愈特性好、電性能優良、損耗小、交流特性好及穩定性高等特點，適用于400Hz
2009-08-21 17:20:53947 CH21型金屬化復合介質膜電容器
CH21 型金屬化復合膜介質電容器采用金屬化復合膜卷繞而成，樹脂浸涂包封，單向引出，具有電容量穩定、溫度系數小的特點，適用于精密儀
2009-08-21 17:25:091000 黑棕化與粉紅圈制程
1、Black oxide 黑氧化層為了使多層板在壓合后能保持
2010-01-11 23:21:042251 ODF制程,ODF制程是什么意思
ODF制程為一劃時代的制造方法，以往耗時、良率低且不易達成的困難；如生產大型面板的電視產品、因應快速反應的
2010-03-27 10:59:5513967 引言
線路板在機加工之后的微、通孔板，孔壁裸露的電介質必須經過金屬化和鍍銅導電處理，毫無疑問，其目的是為了確保良好的導
2010-10-22 16:53:222724 印制板金屬化空電阻的變化 熱循環測試方法，標準文件
2016-12-16 21:29:280 驍龍855芯片突破制程工藝，采用7nm制程，比較前身更加節能。如果高通在2019年推出驍龍855，那么它有可能就是A13芯片，2019年的iPhone手機也會采用這個芯片。
2017-10-12 18:25:004086 金屬化薄膜電容是以有機塑料薄膜做介質，以金屬化薄膜做電極，通過卷繞方式制成（疊片結構除外）制成的電容，金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷繞型之外，也有疊層型。其中以聚酯膜介質和聚丙烯膜介質應用最廣。
2018-01-22 10:40:4617326 所謂金屬化半孔是指一鉆孔（鉆、鑼槽）經孔化后，再二鉆、外形工藝，最終保留金屬化孔（槽）一半。為控制生產金屬半孔板時，因工藝問題金屬化半孔與非金屬化孔交叉位孔壁銅皮，通常會采取一些措施。在目前電路板打樣板廠很飽和的狀態下，愿意和能夠生產半孔板的板廠也不多 。
2019-06-18 13:59:4917079 半導體知識：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2314886 
所有電路金屬化過孔的孔壁表面的紋理均會有不同的細微區別，即使在比較同一電路板的孔壁表面的粗糙度時也是如此。由于鉆孔過程涉及多個因素，金屬化過孔的孔壁表面會因孔而異。在具有微球填料的材料中，鉆頭可能會影響微球填料，也可能不會，從而導致了差異的產生。
2019-12-17 15:15:184613 
我國金屬化薄膜電容器的發展現狀：自上世紀六十年代以手工生產的金屬化薄膜電容器問世以來，我國金屬化電容器大致經歷了三個發展潮；八十年代以彩電過產為契機完成了由手工作業到單機自動化的引進技術改造。
2020-03-01 15:20:005848 金屬化薄膜電容是以有機塑料蒲膜做介質，以金屬化薄膜做電極，通過卷繞方式制成（疊片結構除外）制成的電容，金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷繞型之外，也有疊層型。其中以聚酯
2020-06-04 11:51:141531 在電容器行業中，我們常見的MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器(Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而MKT則是金屬化聚乙酯電容
2020-05-07 11:42:155865 的pcb板的競爭已經趨于白熱化，現在我們就拿市面上最常見的pcb板和陶瓷金屬化產品進行比較，來簡要分析一下為什么后起之秀陶瓷金屬化產品有這么強的市場競爭力的原因。 原材料價格對比 材料價格是生產廠家和銷售商獲取利潤的一
2020-10-28 09:45:454004 2020年伊始，全球半導體先進制程之戰已然火花四射。從華為和蘋果打響7nm旗艦手機芯片第一槍開始，7nm芯片產品已是百花齊放之勢，5nm芯片也將在下半年正式首秀。這些逐漸縮小的芯片制程數字，正是全球
2021-04-01 18:04:116504 
孔金屬化，它的核心作用，就是通過在孔壁鍍銅，實現 PCB 層與層之間的導通，它是雙面板、多層板能夠發揮作用的核心關鍵點，因此，許多電子行業的巨頭，如蘋果、華為等，都對此極其重視。
2022-06-16 09:57:235814 目前，替代性的金屬化材料（例如釕）和替代性的金屬化制程（例如半鑲嵌），正被密集的研究中。
2022-06-30 14:49:511421 本文主要講解氮化鋁陶瓷基板的金屬化如何通過化學鍍銅方式。
2022-08-25 17:06:212588 
陶瓷作為一種典型的無機非金屬材料，似乎與金屬站在了完全相反的位置，由于其優勢過于突出，人們開始想到陶瓷與金屬相結合就這樣陶瓷基板金屬化技術就此誕生。
2022-11-25 16:32:314596 金屬化半孔板PCB特點為：個體比較小；單元邊有整排金屬化半孔，作為一個母板的子板，通過這些金屬化半孔與母板以及元器件的引腳焊接到一起。
2022-12-28 12:48:333714 功率芯片的制程與普通的半導體芯片有些不同，因為功率芯片需要承受更大的電流和電壓，因此在制程上需要更加注重功率芯片的耐壓性、耐熱性、導電性等特性。
2023-02-27 15:59:052362 使孔璧上的非導體部分之樹脂及玻璃纖維進行金屬化。
2023-03-07 11:48:452834 消費電子市場持續疲軟、人工智能火熱的大環境下，晶圓制造廠商積極瞄準高性能芯片，2nm先進制程之爭愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:152633 通常，多層印制電路板孔金屬化缺陷產生是由不同工序、各種工藝條件相互影響而產生
2023-07-25 15:58:202261 在 20 世紀 60 年代，芯片制程技術還處于起步階段，當時的制程尺寸達到了 10 微米。這種毫米級的制程技術雖然較為粗糙，但已經為計算機和通信設備的小型化奠定了基礎。隨著半導體技術的發展，科學家們開始研究如何減小制程尺寸，以提高芯片的性能和集成度。
2023-09-19 15:54:418315 在芯片制程中，介質層起到了非常重要的作用。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結構中實現了信號的高效傳輸。那么目前芯片制程中常見的介質材料有哪些？都有什么作用？怎么界定低k材料與高k材料？怎么制作出來的？
2023-10-19 10:47:218675 
在大功率電子器件使用中為實現芯片與電子元件之間的互聯，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優良的密封性，金屬導電層的方阻和電阻率小，同時與陶瓷基板具有較強的附著力
2023-10-28 14:27:522175 
在大功率電子器件使用中為實現芯片與電子元件之間的互聯，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優良的密封性，金屬導電層的方阻和電阻率小，同時與陶瓷基板具有較強的附著力
2023-11-01 08:44:231989 
在芯片制程中，互連、接觸、通孔和填充是常見術語，這四個術語代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么？有什么作用呢？
2023-11-06 15:19:064145 
金屬化膜電容器是一種常見且廣泛應用于電子產品中的電子元件。它具有小體積、大電容量、低損耗等特點，因此被廣泛應用于各種電子電路中。然而，當電容器工作時，會產生一定的熱量，這可能會影響電容器的性能和穩定性。
2023-12-08 14:23:531808 隨著GPU、CPU等高性能芯片不斷對芯片制程提出了更高的要求，突破先進制程技術壁壘已是業界的共同目標。目前放眼全球，掌握先進制程技術的企業主要為臺積電、三星、英特爾等大廠。
2024-01-04 16:20:161812 
德索工程師說道金屬化是17芯航空插頭的一個重要特征。金屬化意味著插頭的某些部分或整個外殼由金屬制成，這提供了出色的電氣性能和機械強度。金屬外殼可以有效地屏蔽電磁干擾和射頻干擾，確保數據傳輸的穩定性和準確性。此外，金屬外殼還具有良好的導熱性，有助于散熱，防止插頭過熱。
2024-04-12 14:35:48889 
相對于常見的電容而言，人們對于CBB電容的認知卻較為稀少。這就導致了在一些問題上，人們對于CBB電容存在一定程度的誤解，本文將以CBB金屬化薄膜電容的失效問題，來談一談人們對于其存在的誤解。
2024-05-29 11:37:5623151 昔日，芯片制造的巔峰追求聚焦于先進制程技術，各廠商競相追逐，摩爾定律的輝煌似乎預示著無盡前行的時代...... 在人工智能（AI）技術浪潮推動下，先進制程芯片需求激增，導致市場供不應求，價格扶搖直上
2024-08-27 10:38:402541 →光阻去除核心目的：清除完成圖案轉移后剩余的光刻膠層，暴露出需要進一步加工（如蝕刻、離子注入或金屬沉積）的芯片區域。承上啟下作用：連接前期的光刻圖案化與后續的材料
2025-07-30 13:33:021123 
貞光科技從車規微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產業鏈供應解決方案！金屬化薄膜電容結構金屬化薄膜電容器是以
2025-12-03 16:52:24942 
電子發燒友App
工商網監
評論