光電傳感器的輸出電流是光電傳感器十分關鍵的一個性能參數。光電傳感器的輸出電流不僅與發射器輻射強度和接收器集電極電流的大小、發射器與接收器之間的距離或角度、發射器與接收器前槽孔的大小等設計參數有關，還與元件及外殼的制造工藝控制、裝配過程的工藝控制、測試過程等有關。在分析設計與制造過程中影響光電傳感器輸出電流因素的基礎上，提出了包括合理確定發射器和接收器的輻射強度與集電極電流、加強生產與制造過程工藝控制、分等級匹配等提高產品良品率的措施。

光電傳感器廣泛應用于生產過程自動化、辦公自動化設備、醫療器械、光控玩具等行業，且不斷在一些新的研究領域中得以應用，如智能車自動尋跡系統、臨床醫學檢測、焊縫自動跟蹤系統、軍事裝備、能源利用系統等。常用的光電傳感器有槽型光電傳感器（Transmissive Optical Sensor）、反射型光電傳感器（Reflective Optical Sensor）等。槽型和反射型光電傳感器均由發光器件即發射器（Emitter）和光接收器件即接收器（Detector）組裝而成。槽型光電傳感器將發射器與接收器隔開一定距離安裝在外殼中，發射器發射的紅外或可見光通過外殼的槽縫到達接收器，用以檢測發射器與接收器之間是否有物體遮擋。反射型光電傳感器則將發射器與接收器按某一角度安裝在外殼中，用以檢測傳感器前是否有反射介質或反射介質的類型。光電傳感器的基本特性包括輸出電流與接收器兩端電壓之間的關系曲線、輸出電流與發射器輸入電流之間的關系曲線、輸出電流隨溫度變化的關系曲線、脈沖響應特性曲線等。盡管從工作原理上槽型和反射型光電傳感器都并不復雜，但要設計與制造一款滿足要求、性能穩定、可靠性好、成本合理的光電傳感器亦并非易事，更何況有些應用場合對傳感器性能參數的要求十分苛刻。本文從設計與制造角度討論影響光電傳感器輸出電流的因素，并提出提高傳感器生產制造過程良品率的一些相應措施。

1發射器與接收器的選取

光電傳感器的輸出電流ICON是光電傳感器一個十分關鍵的參數。對槽型光電傳感器而言，在給定條件下，ICON不僅與發射器輻射強度Ee、接收器集電極電流IC有關，還和發射器與接收器的距離以及發射器與接收器前槽縫的寬度有關。圖1為側面發光發射器與側面受光接收器之間距離改變時，發射器電流10 mA時測量得到的接收器集電極電流IC隨距離的變化曲線。距離越大，相同條件下接收器集電極電流IC就越小。而發射器與接收器前槽縫的寬度越大，相同條件下光電傳感器的輸出電流ICON就越大。在槽型光電傳感器設計過程中，發射器輻射強度與接收器集電極電流應結合發射器與接收器之間的距離，以及槽縫寬度進行選取。

對反射型光電傳感器而言，在給定條件下，ICON不僅與發射器輻射強度Ee、接收器集電極電流IC有關，還與傳感器與反射面之間的距離以及發射器與接收器之間的角度有關。在反射型光電傳感器設計過程中，發射器輻射強度與接收器集電極電流應結合傳感器與反射面之間的距離以及發射器與接收器之間的角度進行選取。

2工藝與制造過程的影響

一般而言，高的發射器輻射強度Ee與高的接收器集電極電流IC裝配組成的光電傳感器，其輸出電流ICON也較高；反之亦然。但由于工藝、測試及制造過程中的變差，例外的情況也不少。圖2中的樣品6與樣品10，盡管兩者的發射器輻射強度Ee接近，樣品10的接收器集電極電流IC高于樣品6的IC，但樣品10的輸出電流ICON卻要低于樣品6的ICON；樣品8與樣品13的發射器輻射強度Ee與接收器集電極電流IC都相近，但樣品8的輸出電流ICON卻高許多；同樣，樣品1與樣品5的發射器輻射強度Ee與接收器集電極電流IC都相近，但樣品5的輸出電流ICON卻要低很多。造成這種情況的影響因素有許多，主要包括塑料外殼注塑過程中引起的尺寸變差、傳感器組裝過程中引起的變差、發射器輻射強度在空間分布的變化以及測試過程中造成的誤差等。

（1）外殼尺寸變差。槽型和反射型光電傳感器絕大多數的外殼采用塑料外殼，模具加工制造、注塑件的注塑以及冷卻過程都會引起同一尺寸在不同塑料外殼之間的變化，這包括槽型光電傳感器發射器與接收器前槽縫寬度的變化、外殼上用于安裝發射器與接收器部分之間距離的變化，反射型光電傳感器發射器與接收器前孔尺寸的改變、外殼上用于安裝發射器與接收器部分之間角度的變化等。這些尺寸的變化將引起傳感器輸出電流的變化。

（2）裝配過程中產生的變差。槽型和反射型光電傳感器中發射器、接收器與外殼間的裝配與固定需要通過一定的工藝來完成，如槽型光電傳感器，對一些外殼材料可通過熱壓的方式將發射器和接收器與外殼固定。在裝配過程中，對槽式光電傳感器，發射器透鏡的光軸并不能保證與接收器透鏡光軸在同一條線上，一些產品偏離設計要求小一些，而另一些則偏離大一些；同樣，對反射型光電傳感器，發射器透鏡的光軸與接收器透鏡光軸的交點也不可能都如設計所要求正好位于反射物的表面上，有些產品的交點靠前，而另一些則可能靠后一些。這些裝配過程中的變差也會引起傳感器輸出電流的變化。

（3）發射器輻射強度及其空間分布上的變化晶片位置對發射器輻射強度及在空間分布有影響。在設計條件下，晶片位于發射器透鏡的中心線上。但在發射器的生產制造過程中，固晶（die_attach）和封膠（encapsulation）這兩道工序都可能使晶片偏離中心線，而封膠過程造成的偏離一般會更大。圖3為同一晶圓（wafer）不同批次（lot）發射器輻射強度的分布。由圖可見，批次1輻射強度在0.07～0.08 mW/10°范圍內發射器的比例為34.2%，而批次2輻射強度在相同范圍內的比例為41.8%。由于發射器輻射強度的測試與發射器在光電傳感器中的使用條件一般并不相同，輻射強度在空間分布的變化有可能導致在相同條件下，裝配測試得到的高輻射強度發射器的光電傳感器，其輸出電流反而比裝配測試得到的低輻射強度發射器的光電傳感器低。另外，通常情況下用于填充反射杯和覆蓋晶片的硅膠的折射率與封膠用的環氧樹脂（epoxy）的折射率十分接近，故硅膠與環氧樹脂交界面的形狀對發射器的輻射強度分布的影響很小。但若兩者有一定差別，則交界面的形狀會對發射器的輻射強度分布產生影響，這種情況下控制點膠工序中所用硅膠的量相同或相近十分重要，以便使不同發射器硅膠與環氧樹脂交界面的形狀保持一致，避免由此引起發射器輻射強度在空間分布的變化。