據麥姆斯咨詢報道，近期，昆明物理研究所的科研團隊在《紅外與激光工程》期刊上發表了以“Au摻雜碲鎘汞長波探測器技術研究”為主題的文章。該文章通訊作者為孔金丞正高級工程師，主要從事紅外材料與器件的研究工作。該文章第一作者為宋林偉高級工程師，主要從事紅外材料與器件的研究工作。

該文章基于昆明物理研究所Au摻雜碲鎘汞材料穩定性控制、器件暗電流控制等技術，報道了昆明物理研究所非本征Au摻雜長波碲鎘汞器件研制進展。

Au摻雜碲鎘汞長波材料的參數控制

由于Au摻雜原子在碲鎘汞材料中為快擴散雜質，在熱處理及工藝過程中，很容易往缺陷區及界面擴散富集，因而在Au摻雜器件工藝中，首先需控制Au摻雜材料穩定性。由于富Te液相外延生長的碲鎘汞薄膜中會有大量汞空位（VHg）存在，摻雜Au原子在此條件下很容易占據汞格點實現受主摻雜，可實現較高的摻雜濃度材料的生長，昆明物理研究所采用富Te水平液相外延技術實現了摻雜濃度可控的Au摻雜長波材料的生長。

Au摻雜碲鎘汞材料外延生長后，材料中有較多的汞空位存在，因而此時的原生材料呈現高濃度P型，汞空位起主導作用，需將Au摻雜原生材料進行汞飽和熱處理，以填充材料中的汞空位，使材料中Au摻雜原子占主導，呈現P型導電。然而Au摻雜原子為快擴散雜質，熱處理過程中趨向于向界面和缺陷處擴散富集，材料內部Au摻雜原子濃度降低，Au摻雜原子的快擴散特點導致熱處理后材料電學參數不可控，嚴重影響外延材料成品率以及后續工藝的穩定性。

對于Au原子快擴散特性導致的Au摻雜碲鎘汞材料穩定性控制問題，研究發現，熱處理時引入一定的汞空位有助于提高Au摻雜原子穩定性，從而提高Au材料碲鎘汞材料電學參數控制。制備P型材料時Au摻雜濃度可穩定控制在1.0×101?~4.0×101?cm?3，熱處理后碲鎘汞外延材料載流子濃度基本可控制在1.0×101?~4.0×101?cm?3之間，實現了穩定性較好的Au摻雜碲鎘汞長波材料的制備。

Au摻雜n-on-p型碲鎘汞長波探測器的暗電流

器件暗電流是反映探測器本質的特征參數，暗電流的大小決定了器件性能。碲鎘汞器件各種暗電流中，擴散電流和產生-復合電流由材料電學性能及復合機制決定，隧道電流與材料缺陷性能有關。擴散電流是PN結空間電荷區兩端載流子在電場作用下發生擴散和漂移而形成的電流，是熱平衡下由空間電荷區兩端少子擴散長度內的載流子所形成的電流。

載流子濃度相同的情況下，碲鎘汞器件的擴散電流與少子壽命成反比，因此提高材料的少子壽命可以降低器件擴散電流。采用非本征Au摻雜原子代替本身就為深能級復合中心的本征汞空位，有助于降低碲鎘汞材料中深能級缺陷，提升P型碲鎘汞材料少子壽命，降低器件暗電流，從而達到提升n-on-p型器件性能的目的。

昆明物理研究所采用Au摻雜技術制備的載流子濃度為1.5×101?cm?3的Au摻雜長波碲鎘汞（10.5μm@80K）材料，少子壽命達到0.25μs，與目前報道的采用相同技術路線材料少子壽命最高水平相當。

圖1為采用非本征Au摻雜技術與本征汞空位型長波256×256（30μm）碲鎘汞焦平面器件暗電流對比。80K下截止波長為10.6μm本征汞空位長波256×256碲鎘汞器件暗電流為1980pA，而相同溫度下截止波長為10.5μm非本征Au摻雜器件暗電流僅為171pA，采用Au摻雜技術可有效降低n-on-p型長波焦平面器件暗電流，長波器件的暗電流密度從2.2×10??A·cm?2降低至1.9×10??A·cm?2，R?A從31.3Ω.cm2提升到了363Ω·cm2。

圖1 a）本征汞空位n-on-p型器件與；b）非本征Au摻雜器件暗電流分布圖對比

圖2為昆明物理研究所制備的Au摻雜長波器件暗電流隨工作溫度變化圖。上下兩條趨勢線分別為n-on-p器件和p-on-n器件暗電流控制理論值，對比發現非本征Au摻雜器件暗電流水平明顯低于本征汞空位n-on-p型器件，并且隨著工作溫度的升高，Au摻雜長波器件暗電流越接近Rule07 p-on-n型器件理論值，在110K時Au摻雜長波器件暗電流控制與Rule07 p-on-n器件控制水平接近。

圖2 Au摻雜長波碲鎘汞器件暗電流隨溫度變化

圖3為昆明物理研究所Au摻雜長波器件暗電流控制水平與國際先進水平對比圖，Au摻雜長波器件R?A值較常規汞空位n-on-p型器件提升了至少一個數量級，與p-on-n型器件R?A值控制水平接近，昆明物理研究所Au摻雜長波器件暗電流控制接近國際先進水平，為高性能長波焦平面器件的研制奠定基礎。

圖3 Au摻雜長波器件暗電流控制水平

Au摻雜碲鎘汞長波探測器

昆明物理研究所基于Au摻雜技術對碲鎘汞器件暗電流控制方面的優勢，先后研制出了Au摻雜碲鎘汞256×256（30μm）、640×512（25μm）、640×512（15μm）等規格型號的長波器件（如圖4至圖7所示），性能與國外報道的器件水平相當，實現了非本征Au摻雜長波碲鎘汞器件系列化發展，達到了批量化的生產水平。幾種器件典型性能指標如表1所示。

圖4 長波256×256（30μm pitch）探測器：a）組件實物圖；b）響應信號圖；c）NETD直方圖

圖5 長波640×512（25μm pitch）探測器：a）組件實物圖；b）響應信號圖；c）NETD直方圖

圖6 長波640×512（15μm pitch）探測器：a）組件實物圖；b）響應信號圖；c）NETD直方圖

圖7 長波1024×768（10μm pitch）探測器：a）組件實物圖；b）響應信號圖；c）NETD直方圖

Au摻雜碲鎘汞探測器的長期穩定性

在前期的研究中，法國Sofradir公司認為，由于Au原子為快擴散雜質原子，可能會對器件長期穩定性有一定的影響。針對該問題昆明物理所開展了Au摻雜碲鎘汞器件高低溫存儲、高低溫循環（+70℃~-40℃）及長期貯存等穩定性的研究，Au摻雜器件經高低溫存儲、高低溫循環后器件性能無明顯變化。如圖8所示為Au摻雜碲鎘汞長波256×256器件NETD和盲元隨存儲時間變化圖，該支組2015年封裝后，在室溫下至今貯存時間超過7年，在貯存期間約6個月間隔進行性能測試，試驗數據表明Au摻雜器件經歷7年長期貯存過程中器件性能無明顯變化。

圖8 Au摻雜長波256×256器件NETD和盲元隨存儲時間變化圖

總結

昆明物理研究所多年來持續開展了Au摻雜碲鎘汞材料、器件結構設計、可重復的工藝開發等研究，突破了Au摻雜碲鎘汞材料電學可控摻雜、器件暗電流控制等關鍵技術，將n-on-p型碲鎘汞長波器件品質因子（R?A）從31.3Ω·cm2提升到了363Ω·cm2（λcutoff=10.5μm@80K），器件暗電流較本征汞空位n-on-p型器件降低了一個數量級以上。研制的非本征Au摻雜長波探測器經歷了超過7年的時間貯存，性能無明顯變化，顯示了良好的長期穩定性。基于Au摻雜碲鎘汞探測器技術，昆明物理研究所實現了256×256（30μm）、640×512（25μm）、640×512（15μm）、1024×768（10μm）等規格的長波探測器研制和批量能力，實現了非本征Au摻雜長波碲鎘汞器件系列化發展。非本征Au摻雜n-on-p型技術可作為高靈敏度、高分辨率等高性能長波及高工作溫度碲鎘汞器件研制的一種有效的技術途徑。

編輯：黃飛

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