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集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器的設計

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2022-11-10 15:09 ? 次閱讀
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紅外探測器已經得到了廣泛的應用,近年來,對紅外探測器的探測、識別能力提出了更高的要求,迫切需要紅外探測器進行創新發展。隨著微電子工藝的快速進步,使多種功能的芯片集成在紅外探測器上成為可能,也為紅外探測器進行創新提供了基礎。將偏振探測的功能集成到碲鎘汞紅外探測器中,是提高碲鎘汞紅外探測器的識別能力、拓展其用途的一個發展方向。

據麥姆斯咨詢報道,近日,華北光電技術研究所的研究人員在《激光與紅外》期刊上發表了題為“長波碲鎘汞集成偏振探測器的設計”的最新論文,本文介紹了偏振探測功能在長波碲鎘汞探測器上的集成設計、相應的設計驗證結果以及成像試驗情況,這些工作的介紹為集成紅外探測器的開發提供了良好的借鑒。

集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器的設計

碲鎘汞長波320×256探測器是在碲鋅鎘襯底上外延碲鎘汞薄膜,形成碲鎘汞芯片,然后碲鎘汞芯片與讀出電路通過銦柱互連后形成混成芯片,芯片的中心間距為30μm,紅外輻射從碲鋅鎘襯底背面入射。集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器是在碲鎘汞混成芯片的背面設計偏振結構,如圖1所示,偏振結構采用金屬線光柵,根據斯托克斯矢量,設計了0°、45°、90°、135°四個偏振態,四個偏振態周期排列,與長波320×256混成芯片的像元一一對應。

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圖1 集成碲鎘汞偏振芯片示意圖

集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器組件的測試及成像

對集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器的偏振結構進行了設計及驗證后,按照文中設計對已經制備的碲鎘汞長波320×256混成芯片進行襯底減薄,減薄后采用磁控濺射設備進行偏振光柵金屬層的生長,然后進行光刻、刻蝕工藝,制備出具有0°、45°、90°、135°四個不同偏振態的偏振光柵,如圖2所示,在掃描電鏡下觀察,偏振光柵的形貌、尺寸接近設計值。

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圖2 掃描電鏡下觀察的LW320×256碲鎘汞集成偏振光柵

將制備的集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器芯片(如圖3)封裝為微杜瓦組件,在紅外探測器組件偏振測試平臺上進行測試,測試中所用的紅外起偏偏振器消光比為7000:1、在長波段的透過率>75%。

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圖3 集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器實物圖

由于紅外集成偏振探測器組件加入了偏振結構,輻射能量減小了50%以上,使探測器芯片的響應變弱,在組件測試過程中,為了保證一定的信號強度,采取了加長積分時間的方式。經過測試,得到偏振探測器0°、45°、90°、135°四個偏振態的響應曲線,如圖4所示,從響應的幅度看,四個偏振態的響應幅度有三個方向一樣,另外一個方向稍小,而從計算結果看,四個偏振態的消光比均可以達到70以上,說明制備工藝相對較好。

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圖4 集成碲鎘汞長波320×256偏振組件四個偏振態響應曲線

對制備的集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器組件進行了成像演示試驗,試驗截取的圖像如圖5所示,圖像中間是一只透明玻璃杯,圖像左側是一個長吊帶的獎牌,從圖像中可以看出,雖然使用的試驗芯片性能較差、圖像未經去噪聲、融合等處理,但玻璃杯的外形輪廓非常明顯,長吊帶的獎牌中吊帶和獎牌的紋路也可以簡單識別出來,顯示了集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器對物體輪廓良好的識別效果,也驗證了本文所介紹的設計方向是可行的。

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圖5 集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器組件成像圖

結論

將偏振探測的功能集成到碲鎘汞紅外探測器中,是提高碲鎘汞紅外探測器的識別能力、拓展其用途的一個發展方向,本文介紹的集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器的設計,是開發此類探測器的一個初步的研制結果,設計中,采用以金、鉻為主的多種金屬材料設計偏振光柵,偏振光柵在長波段的透過率可以超過75%、消光比可以達到上千的數值,偏振性能設計值非常好,但在實際驗證的過程中,由于設備、工藝的限制,可實現的設計值大打折扣,后續需要在光柵金屬材料選擇、設計值的工藝實現方面做更多、更細致的工作,找到集成碲鎘汞長波320×256偏振探測器設計的更優結果,為用戶提供性能優良的集成碲鎘汞紅外偏振探測器組件。

審核編輯 :李倩

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原文標題:華北光電技術研究所在長波碲鎘汞集成偏振紅外探測器方面取得進展

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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