、建立讀寫操作、配置地址計(jì)數(shù)器、模擬數(shù)據(jù)流、綜合與仿真以及下載到FPGA進(jìn)行硬件測(cè)試。通過(guò)實(shí)踐，掌握SRAM在FPGA中的使用和基本讀寫方法，加深對(duì)FPGA工作原理的理解。
2025-10-22 17:21:38
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短路故障進(jìn)行快速精確檢測(cè)定位的問(wèn)題；宇芯電子提供一種SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法，包括以下步驟： 一、根據(jù)芯片地址引腳的排列特性，列出地址引腳間可能短路的待檢引腳組； 二、獲得sram芯片的起始
2020-06-16 13:59:36
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?．了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展技術(shù)3．用proteus設(shè)計(jì)、仿真基于AT89C51單片機(jī)的RAM擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
2021-12-08 06:14:13
生產(chǎn)線上非接觸檢測(cè)、控制軋材外徑的智能化精密儀器，它集光學(xué)、精密機(jī)械、計(jì)算機(jī)于一體，通過(guò)物方遠(yuǎn)心平行光束對(duì)被測(cè)物進(jìn)行高速測(cè)量，單片機(jī)實(shí)時(shí)采樣處理，顯示在線軋材的直徑。單向測(cè)徑儀成本低、周期短、可靠性髙
2018-09-12 09:11:17
可進(jìn)行寬度測(cè)量、厚度測(cè)量、狹縫測(cè)量、深度測(cè)量、位置測(cè)量、同心度測(cè)量，也可以定制成雙測(cè)頭測(cè)單軸、雙測(cè)頭測(cè)雙軸的產(chǎn)品。 單向測(cè)徑儀以不變應(yīng)萬(wàn)變，對(duì)各種軋制生產(chǎn)中的圓形軋材進(jìn)行外徑及其它幾何尺寸的測(cè)量，通過(guò)組合形式完成各種不同需求的在線檢測(cè)。`
2019-04-12 16:03:55
, SP-SRAM）有兩套獨(dú)立的讀寫端口，因而有更高的帶寬，尤其適用于上述系統(tǒng)中：雙端口SRAM 可以給多核系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單、可靠、高效的通信方法，也可以為信號(hào)處理系統(tǒng)中提供更高的并行性，近年來(lái)國(guó)內(nèi)外發(fā)表的相關(guān)
2020-07-06 16:26:25
的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。另外，針對(duì)SRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如TAA（地址變化到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間
2019-07-23 08:26:45
單向測(cè)徑儀是采用光電檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的，做到了無(wú)損在線檢測(cè)，單向測(cè)徑儀適用于各種圓形軋材的外徑檢測(cè)，包括但不限于線纜電纜、橡膠、塑料等?！ 」怆娮詣?dòng)檢測(cè)技術(shù)隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)以及復(fù)雜自動(dòng)控制系統(tǒng)
2019-04-08 16:02:45
AD7793，想請(qǐng)問(wèn)一下INL的測(cè)試采用什么方法比較合理？
2023-12-01 07:30:13
地址進(jìn)行檢測(cè)后SRAM的數(shù)值，完全符合程序設(shè)計(jì)要求。[/url]SRAM測(cè)試通過(guò)后，釋放所有的SRAM，還原為0x00，如圖4所示。[url=http://www.eefocus.com/data
2011-08-02 10:30:41
。兩種測(cè)試方法的目的都是測(cè)量各種情景下的性能。采用容量測(cè)試系統(tǒng) 運(yùn)營(yíng)商和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)在全面部署網(wǎng)絡(luò)之前進(jìn)行容量測(cè)試。運(yùn)營(yíng)商需要結(jié)合部署計(jì)劃測(cè)試容量，以評(píng)估供應(yīng)商設(shè)備端到端性能，包括新建網(wǎng)絡(luò)和升級(jí)
2019-05-27 05:00:05
針對(duì)目標(biāo)板上的雙口RAM芯片的右端口進(jìn)行讀寫測(cè)試，來(lái)檢測(cè)右端口和內(nèi)部存儲(chǔ)地址的正確性。原理圖1：RS422接口：MCU:LDO:DB9接口：PCB LAYOUT:PCB 3D view：
2018-08-30 09:48:15
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。如用兩端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量雙工器，除了第一次連接以外，在測(cè)試過(guò)程中還需要變換兩次連接，測(cè)試者要另外做出四次連接
2023-09-21 07:50:32
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-24 16:14:38
（PG）。這種六管存儲(chǔ)單元具有很好的健壯性、低功耗和低電壓工作特性，所以非常受歡迎；下文中的兩端口和雙端口存儲(chǔ)單元以及在分析SRAM 單元的操作、特性時(shí)都將采用這種結(jié)構(gòu)，并簡(jiǎn)稱為六管單元。 圖 2 單
2020-07-09 14:38:57
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-31 15:23:00
任一特定系統(tǒng)內(nèi)，可用的輸入功率總是受限的。那么在多端口系統(tǒng)中，應(yīng)該如何在不同端口之間進(jìn)行功率分配呢？一種顯而易見(jiàn)的電力共享方法是限制每個(gè)端口的功率，從而確保輸出的總功率不超過(guò)輸入功率。但在這種情況下
2018-08-30 14:51:22
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-30 10:21:30
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-01-11 14:00:15
。但現(xiàn)實(shí)中，大型ASIC和SoC設(shè)計(jì)常常需要使用很多片SRAM，簡(jiǎn)單采用這種MBIST方法會(huì)生成很多塊MBIST控制邏輯，從而增大芯片面積，增加芯片功耗，甚至加長(zhǎng)芯片測(cè)試時(shí)間。
2019-10-25 06:28:55
如何測(cè)試單向晶閘管的好壞？
2021-05-13 07:32:59
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口微波器件時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。
2019-08-12 06:23:52
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-27 09:30:18
于STM32F4205/7應(yīng)用手冊(cè)，從圖中可以看出這個(gè)模式用于SRAM和PSRAM，PSRAM也叫做偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， CRAM全稱是 Cellular RAM 。圖中有OE togging二字，如字面意思，這個(gè)模式的讀處理是有OE引腳電平觸發(fā)參與的。我們可以與Mode1進(jìn)行比較。由上圖可以看出，N
2022-01-07 07:20:20
對(duì)雙余度角度傳感器進(jìn)行故障檢測(cè)，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了方法的有效性。引言隨著無(wú)人機(jī)技術(shù)的發(fā)展，無(wú)人機(jī)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣，續(xù)航時(shí)間和任務(wù)半徑越來(lái)越大，并且在執(zhí)行任務(wù)的過(guò)程中攜帶的任務(wù)載荷和偵察打擊設(shè)備越來(lái)越多
2018-10-18 10:45:44
你好，由于我還沒(méi)有PSoC5（只有PSoC4），因?yàn)槲矣?jì)劃在PSoC5中使用UDB來(lái)制作雙端口RAM，我想知道，這是可能的嗎？16x16BIT將是32字節(jié)，也許不是使用雙端口PIN，一端口實(shí)際上是內(nèi)部RAM位置？謝謝任何提示或幫助。
2019-09-10 06:37:11
請(qǐng)問(wèn)一下模擬電路中單端口管腳驅(qū)動(dòng)雙LED的方法是什么？
2021-04-12 06:57:37
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-25 16:43:43
原理及方法目前企業(yè)而言，在電纜故障查找的領(lǐng)域，對(duì)故障電纜檢測(cè)的原理以及基本情況一致，不同之處在于學(xué)生通過(guò)使用這種工作原理處理的方式研究方法也是不一樣，就電纜故障測(cè)試儀為例，采用“低壓脈沖法”和“高壓閃絡(luò)
2020-12-29 11:14:25
你好，我想知道簡(jiǎn)單的雙端口和真正的雙端口RAM之間的資源使用差異？ True雙端口Ram中的額外讀寫端口是否在不使用fpga結(jié)構(gòu)資源的情況下處理？如果這是真的那么為什么要專門使用簡(jiǎn)單的雙端口配置呢
2019-06-10 07:15:24
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-29 18:13:58
在設(shè)計(jì)SRAM電路時(shí)，使用雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)可以使電路的容錯(cuò)能力變好，請(qǐng)問(wèn)大家雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)是什么？
2019-10-11 11:40:47
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種？如何對(duì)SRAM工藝FPGA進(jìn)行有效加密？如何利用單片機(jī)對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密？怎么用E2PROM工藝的CPLD實(shí)現(xiàn)FPGA加密？
2021-04-13 06:02:13
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-26 16:31:25
首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA 的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法， 并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。
2009-04-16 09:43:06
24 網(wǎng)絡(luò)入侵檢測(cè)系統(tǒng)測(cè)試方法:
2009-08-20 10:52:5913 SRAM 故障模型的檢測(cè)方法與應(yīng)用馮軍宏 簡(jiǎn)維廷 劉云海（中芯國(guó)際品質(zhì)與可靠性中心, 上海,201203 ）摘 要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測(cè)試用來(lái)檢測(cè)
2009-12-15 15:07:4645 基于Actel FPGA 的雙端口RAM 設(shè)計(jì)雙端口RAM 芯片主要應(yīng)用于高速率、高可靠性、對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)合，如實(shí)現(xiàn)DSP與PCI 總線芯片之間的數(shù)據(jù)交換接口電路等。但普通雙端口RAM 最大
2010-11-15 17:44:1983 針對(duì)原有磁后坐電機(jī)檢測(cè)裝置標(biāo)定方法存在測(cè)試誤差大、步驟繁瑣等缺點(diǎn)，提出用光電探測(cè)方法對(duì)磁后坐電機(jī)檢測(cè)裝置進(jìn)行精確標(biāo)定，并對(duì)該裝置加力板速度進(jìn)行測(cè)試。該方法通過(guò)
2010-11-24 18:28:4615 本文介紹單向數(shù)傳電臺(tái)的常用方法。
2006-03-11 13:15:021168 
電子元器件檢測(cè)與測(cè)試方法
電子元器件的檢測(cè)是家電維修的一項(xiàng)基本功，如何準(zhǔn)確有效地檢測(cè)元器件的相關(guān)參數(shù)，判斷元器件的
2008-02-28 22:42:518950 TL16C552A--具有16字節(jié)FIFO并行端口的雙路UART芯片
The TL16C552A is an enhanced dual-channel version
2009-04-19 16:28:501243 TL16C552--具有16字節(jié)FIFO和并行端口的雙路UART芯片
The TL16C552 is an enhanced dual channel
2009-04-19 16:29:551570 單色LED的檢測(cè)測(cè)試方法
一、主體思路：因?yàn)榘l(fā)光二極體具有單向導(dǎo)電性，所以我們使用 R × 10k 檔可測(cè)出其正、反向電阻。一般正
2009-05-11 09:48:561694 電源端口往往是設(shè)備傳導(dǎo)電磁騷擾的主要逸出路徑，直接影響電網(wǎng)質(zhì)量與周邊設(shè)備。信號(hào)傳導(dǎo)電磁騷擾測(cè)試-電源端口騷擾解決方案-EMC認(rèn)證檢測(cè)，聚焦于電源端口的騷擾
2025-12-10 09:31:19
硅單向開(kāi)關(guān)(SUS)的特點(diǎn)及檢測(cè)
硅單向開(kāi)關(guān)SUS(Silicon Unidirectional Switch)亦稱單向觸發(fā)晶體管，上繼雙向觸發(fā)二極管（DIAC）之后發(fā)展起來(lái)
2010-03-03 11:50:21438 雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用
摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨(dú)立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口R
2010-03-03 19:25:552075 
Teranetics采用泰克儀器驗(yàn)證首個(gè)雙端口10GBASE-T PHY
業(yè)內(nèi)首創(chuàng)
2010-03-26 10:58:281525 
瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。
2011-01-18 15:28:291497 
介紹了一種在51 單片機(jī)采集系統(tǒng)中,使用普通 SRAM ,采用時(shí)分復(fù)用模似雙口RAM的方法。使用這種方法,既可以避免使用昂貴的雙口RAM,又可減少印刷板面積,實(shí)踐證明,這種方法是穩(wěn)定可靠的。
2011-06-03 17:07:550 本內(nèi)容提供了8515 SRAM AVR的RAM擴(kuò)展方法，詳細(xì)列出了電路圖
2011-07-11 17:36:3991 文章給出了一種基于雙端口 SRAM 技術(shù)的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。采用將高速雙端口SRAM 映射為主機(jī)內(nèi)存并構(gòu)造成環(huán)狀緩沖區(qū)的方法，實(shí)現(xiàn)了高速ADC數(shù)據(jù)流實(shí)時(shí)采集與主機(jī)處理的并行操
2011-07-13 17:59:3199 模擬電路中常用檢測(cè)儀器及測(cè)試方法的研究介紹了 模擬電路 中常用檢測(cè)儀器的性能特征以及在電路故障診斷中儀器的測(cè)試方法。在電路故障檢測(cè)中,正確的測(cè)試方法可以大大提高操作人
2011-07-24 11:46:22101 本文基于MBIST的一般測(cè)試方法來(lái)對(duì)多片SRAM的可測(cè)試設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，提出了一種通過(guò)一個(gè)MBIST控制邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)多片SRAM的MBIST測(cè)試的優(yōu)化方法。
2011-12-15 10:25:227496 
高精度SRAM端口時(shí)序參數(shù)測(cè)量電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)_李恒
2017-01-07 19:00:390 技術(shù)研究，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。
2017-09-19 08:34:5823 SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
2017-10-10 08:58:4212 SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲
2017-10-10 09:00:5117 傳輸時(shí)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題得目的，提出采用異步FIFO來(lái)緩存大量導(dǎo)航電文數(shù)據(jù)還有同步器來(lái)同步所傳輸?shù)妮d波控制字和偽碼控制字的方法。通過(guò)采用Altera公司的FIFO內(nèi)核來(lái)進(jìn)行外圍接口信號(hào)和控制邏輯設(shè)計(jì)以及兩級(jí)觸發(fā)器級(jí)聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)同步器的試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法，得到所設(shè)計(jì)的緩存
2017-11-06 16:35:2710 部分組成。對(duì)FPGA進(jìn)行測(cè)試要對(duì)FPGA內(nèi)部可能包含的資源進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，經(jīng)過(guò)一個(gè)測(cè)試配置(TC)和向量實(shí)施(TS)的過(guò)程，把FPGA配置為具有特定功能的電路，再?gòu)膽?yīng)用級(jí)別上對(duì)電路進(jìn)行測(cè)試，完成電路的功能及參數(shù)測(cè)試。 2 FPGA的配置方法 對(duì)FPGA進(jìn)行配置有多種方法可以選擇，包括邊界掃描配置方法等。
2017-11-18 10:44:373307 
怎樣測(cè)試遠(yuǎn)程UDP端口，我們一般情況下，應(yīng)用服務(wù)都使用的TCP端口，但是某些情況下，我們也需要開(kāi)啟UDP端口。本文簡(jiǎn)要描述怎樣測(cè)試UDP端口是否正常？
2017-12-08 08:48:16126185 
，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。
2018-04-27 15:27:004562 
隨著4G/5G移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)天線兼容多頻段的要求越來(lái)越高，對(duì)于設(shè)計(jì)時(shí)需天線的駐波和插損進(jìn)行測(cè)試，但多次使用網(wǎng)分進(jìn)行拔插，不僅繁瑣，而且容易多次拔插導(dǎo)致接觸不好產(chǎn)生的性能變差，無(wú)法很好驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性，此時(shí)需要有一個(gè)自動(dòng)測(cè)試方法來(lái)替代手工接線測(cè)試。
2018-03-20 15:01:2910099 
由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
2018-11-20 09:28:412840 
針對(duì)現(xiàn)有異常檢測(cè)方法難以解釋異常屬性的問(wèn)題，本文提出基于雙側(cè)空間窗的異常檢測(cè)方法。首先，在前景檢測(cè)的基礎(chǔ)上，本文對(duì)場(chǎng)景邊界區(qū)域進(jìn)行雙側(cè)空間窗采樣，提取雙側(cè)空間窗特征；隨后，為了提取異常事件的速度屬性
2019-01-11 15:17:203 與Y0LOv2網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)。設(shè)計(jì)的網(wǎng)絡(luò)具有目標(biāo)分類和邊界框回歸的功能，對(duì)YOLOv2初步檢測(cè)出的行人位置進(jìn)行再分類與回歸，以此降低誤檢提高召回率;最后，采用非極大值抑制（NMS）處理的方法去除冗余的邊界框。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，在數(shù)據(jù)集INRIA和Caltech上，所提方法
2019-04-12 17:30:566 近期，浪潮發(fā)布了采用英特爾雙端口傲騰SSD的全閃存存儲(chǔ)新品——AS5000G5-F，成為全球范圍內(nèi)較早采用傲騰雙端口固態(tài)盤的存儲(chǔ)廠商之一。
2020-01-16 11:47:001260 Linux開(kāi)放端口和關(guān)閉端口的方法如下
2020-05-18 09:14:2610566 
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。如用兩端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量雙工器，除了第一次連接以外，在測(cè)試過(guò)程中還需要變換兩次連接，測(cè)試者要另外做出四次連接
2020-10-26 10:41:001 cpu與其周邊控制器等類似需要直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器或者需要隨機(jī)訪問(wèn)緩沖器之類的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專注于代理銷售sram芯片，PSRAM等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問(wèn)題。 從存儲(chǔ)單元來(lái)看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個(gè)
2020-07-23 13:45:023010 
嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對(duì)于SRAM的研究也從未終止過(guò)。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:414720 1.引言 獨(dú)學(xué)而無(wú)友，則孤陋而寡聞。 本文以SURGE測(cè)試中通訊端口防護(hù)器件損壞為例，進(jìn)行損壞機(jī)理分析、不同測(cè)試方法帶來(lái)的影響分析、不同應(yīng)用場(chǎng)景的測(cè)試方法選擇，以及SURGE防護(hù)設(shè)計(jì)中的注意點(diǎn)等內(nèi)容
2020-10-14 15:51:376765 
電動(dòng)牙刷制造商如何進(jìn)行防水檢測(cè)（測(cè)試）？ 進(jìn)行防水測(cè)試時(shí)，一個(gè)很簡(jiǎn)單而又粗魯?shù)?b class="flag-6" style="color: red">方法就是：將產(chǎn)品放入水中并觀察是否產(chǎn)生氣泡，或者在一定時(shí)間后將產(chǎn)品取出以測(cè)試其性能是否良好。這種方法（泡水法）可以有效地檢測(cè)產(chǎn)品的防水性能，但是它
2020-10-29 14:06:591595 Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種
2020-11-17 16:35:161014 性能測(cè)試儀器，儀器集成國(guó)內(nèi)三個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(五指刮擦法、百格法、塑料刮指刮擦法)。百格十字刮擦測(cè)試儀本測(cè)試方法是用來(lái)測(cè)試表面材料抵抗由刮指引起傷害的能力。按照材料使用中可能接觸到的指甲或其他硬質(zhì)物，采用不同材料的
2020-12-30 15:12:482067 單向測(cè)徑儀為光、機(jī)、電、計(jì)算機(jī)通信一體化成套設(shè)備。采用物方遠(yuǎn)心光路和CCD成像法進(jìn)行工件尺寸檢測(cè)。用于修磨線的棒材直徑檢測(cè)。
2020-12-26 20:06:39810 AN-325：12位模擬I/O端口采用AD7549雙12位DAC和8051單片機(jī)
2021-05-08 09:57:135 性能測(cè)試儀器，儀器集成國(guó)內(nèi)三個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(五指刮擦法、百格法、塑料刮指刮擦法)。百格十字刮擦測(cè)試儀本測(cè)試方法是用來(lái)測(cè)試表面材料抵抗由刮指引起傷害的能力。按照材料使用中可能接觸到的指甲或其他硬質(zhì)物，采用不同材料的
2021-05-27 17:07:451712 對(duì)雙脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114799 
。而時(shí)域法則是通過(guò)觀察激勵(lì)信號(hào)源突然關(guān)閉后，依據(jù)諧振器輸出端口信號(hào)的時(shí)變特性來(lái)獲取Q值。本文介紹頻域方法。常見(jiàn)的微波諧振器有單端口和雙端口兩種。前者需要測(cè)量諧振器的S11來(lái)獲取Q值，而后者則是通過(guò)測(cè)量S21來(lái)獲取Q值。本文探討雙端口諧振器的Q值提取方法。
2022-10-10 11:28:0611314 先進(jìn)的封裝和集成電路制造技術(shù)導(dǎo)致多端口器件難以使用傳統(tǒng)的雙端口甚至四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）進(jìn)行表征。新型測(cè)試裝置將傳統(tǒng)VNA的功能擴(kuò)展到N端口，從而為多端口器件提供完整的S參數(shù)表征。
2022-10-27 14:20:172857 校準(zhǔn)目的： 雙端口校準(zhǔn)通過(guò)校準(zhǔn)件連接兩個(gè)所需測(cè)試的端口進(jìn)行校準(zhǔn)。 可以消除端口的傳輸或反射的方向性誤差、串?dāng)_、源匹配誤差、頻率響應(yīng)反射跟蹤誤差和頻率響應(yīng)傳輸跟蹤誤差。 校準(zhǔn)步驟： 1. 準(zhǔn)備校準(zhǔn)套件
2022-12-06 17:14:152369 
為解決上述問(wèn)題，本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測(cè)試方法，對(duì)傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化，分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對(duì)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
2023-01-07 09:50:363251 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測(cè)試? 雙脈沖測(cè)試中一個(gè)重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測(cè)量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測(cè)試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn)，消除時(shí)序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
芯片檢測(cè)是芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造成過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，檢測(cè)芯片的質(zhì)量、性能、功能等，以滿足設(shè)計(jì)要求和市場(chǎng)需求，確保芯片可以長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。芯片測(cè)試內(nèi)容眾多，檢測(cè)方法多樣，今天納米軟件將為您介紹芯片的檢測(cè)項(xiàng)目都有哪些，以及檢測(cè)方法是什么。
2023-11-13 15:25:106789 常用的變頻器檢測(cè)方法靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試? 變頻器是一種電力調(diào)節(jié)裝置，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)的調(diào)速和節(jié)能。在使用變頻器時(shí)，經(jīng)常需要對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，以確保其正常工作。常用的變頻器檢測(cè)方法主要包括靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)
2024-02-01 15:47:247177 在高級(jí)節(jié)點(diǎn)使用 SRAM 需要新的方法。
2024-02-25 10:05:432179 
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:555996 
單向晶閘管是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子、自動(dòng)化控制等領(lǐng)域。在使用單向晶閘管時(shí)，準(zhǔn)確地檢測(cè)其極性是非常重要的，因?yàn)檫@直接關(guān)系到晶閘管能否正常工作以及電路的安全性和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹單向晶閘管極性檢測(cè)的技巧，并輔以必要的數(shù)字和信息進(jìn)行說(shuō)明。
2024-05-27 14:58:141590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用邊緣AI和Sitara處理器進(jìn)行關(guān)鍵字檢測(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-02 11:30:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SRAM中的錯(cuò)誤檢測(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-20 11:15:250 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008854 
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275
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