?相較傳統硅功率芯片，每出貨一顆下一代GaNFastTM功率芯片可減少4kg二氧化碳排放。到2050年，有望實現26億噸/年的減排量。
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加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月4號訊 - 納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS），氮化鎵（GaN）功率芯片行業領導者宣布已實現其第一個10萬噸二氧化碳減排里程碑，氮化鎵功率芯片替代傳統硅的進程不斷推進，將更好地實現“Electrify Our World?”的使命。
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從生產到出貨，氮化鎵只產生相比硅方案不到1/10的碳足跡，在終端應用中，更是能減少30%的二氧化碳排放。和硅功率芯片相比，每出貨一顆氮化鎵功率芯片，將減少4kg的二氧化碳排放。到2050年，氮化鎵方案有望實現每年減少26億噸的二氧化碳排放量——這相當于一年減少超650座火電廠、60多億桶石油、5.6億輛內燃機汽車的排放，或相當于4.7億多戶家庭的年用電量(1)。
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該10萬噸減排量數據，是基于納微半導體的芯片出貨總量，結合第三方生命周期（LCA）減排評估機構對65W的USB-C充電器為例的生命周期減排評估，對用戶端二氧化碳總排放量的保守估計，該數據同樣也考慮到了芯片發貨到交付給終端用戶使用存在6個月的延遲。
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納微與Earth-Shift Global合作，通過全面的數據分析，完成了根據ISO14040/14044開展獨立生命周期評估報告，該報告詳盡地量化了硅功率半導體器件和氮化鎵功率芯片以及使用了氮化鎵功率芯片的USB-C充電器的各自優勢。
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“該分析報告顯示，與現在正廣泛使用的硅方案相比，氮化鎵功率芯片在環境保護上邁上了全新的臺階。在接下來的5-10年里，納微半導體將持續用氮化鎵替換硅，屆時氮化鎵對全球的可持續發展以及實現消費者及各國的碳凈零目標上將發揮更顯著的環保貢獻。”
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“完整的生命周期（LCA）評估展現了‘從原材料采購到生產、使用、報廢處理，回收和產品壽命結束階段’的能源使用和CO2排放的全貌。并且，我們需要理解從芯片制造前期的原料到形成器件的能源使用和二氧化碳排放情況，來確保碳排放沒有轉移而造成對其他相關領域的影響。我們必須采用嚴格的、數據驅動的方法，真正深入了解系統、產品和流程，以更廣泛的視角，這樣我們才能更好的實現可持續發展。”
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納微半導體的GaNFast?氮化鎵功率芯片，整合了氮化鎵功率器件、驅動、控制、感知和保護功能，使得系統能夠消耗更少的能力，讓無源元件（磁性元件、濾波器、電容器等）和機械元件（PCB、外殼、散熱器等）的數量更少、體積更小，從而減少對石油/精煉的需求，降低運輸成本和二氧化碳排放量。
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納微半導體已發布了全世界首個氮化鎵可持續發展報告：“Electrify Our World?”，該報告根據全球標準，全面量化了氮化鎵功率半導體對氣候變化的積極影響。鑒于在節能減排方面的突出貢獻，納微半導體已于2021年5月成為全球首個獲得CarbonNeutral?認證的寬禁帶半導體公司。