開(kāi)關(guān)電源，又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。民熔開(kāi)關(guān)電源利用的切換晶體管多半是在全開(kāi)模式及全閉模式之間切換，這兩個(gè)模式都有低耗散的特點(diǎn)，切換之間的轉(zhuǎn)換會(huì)有較高的耗散，但時(shí)間很短，所以民熔開(kāi)關(guān)電源比較節(jié)省能源，產(chǎn)生廢熱較少。民熔開(kāi)關(guān)電源的高轉(zhuǎn)換效率是其一大優(yōu)點(diǎn)，而民熔開(kāi)關(guān)電源工作頻率高，也可以使用小尺寸、輕重量的變壓器，民熔開(kāi)關(guān)電源重量也會(huì)比較輕。民熔開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制、軍工設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明等領(lǐng)域。

小課堂之前分享了開(kāi)關(guān)電源輔助電源的測(cè)試技巧，今天再來(lái)談?wù)勱P(guān)于驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試要點(diǎn)。好的開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)是穩(wěn)定的，就像下方的開(kāi)關(guān)電源。

驅(qū)動(dòng)電路測(cè)試

測(cè)試說(shuō)明：

功率器件的驅(qū)動(dòng)技術(shù)是電源可靠性的重要保證。良好的驅(qū)動(dòng)方式可以實(shí)現(xiàn)有效的開(kāi)關(guān)、高效率、低電磁干擾、快速保護(hù)功率器件。在測(cè)試中，應(yīng)測(cè)試功率晶體管驅(qū)動(dòng)器。為了防止探頭的影響，試驗(yàn)中應(yīng)同時(shí)使用差動(dòng)隔離探頭（或普通探頭），示波器電源由隔離變壓器隔離，應(yīng)注意以下問(wèn)題：

A、驅(qū)動(dòng)電路分析；B、驅(qū)動(dòng)電壓；C、驅(qū)動(dòng)波形；D、瞬態(tài)條件下的驅(qū)動(dòng)波形；F、驅(qū)動(dòng)芯片的電壓，如啟動(dòng)過(guò)程中芯片的電源電壓。

試驗(yàn)方法：

（1）驅(qū)動(dòng)電路分析

審核驅(qū)動(dòng)電路方式，無(wú)論是變壓器隔離驅(qū)動(dòng)還是集成電路驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電阻均應(yīng)符合推薦要求。如果采用加速電容器或快速關(guān)斷方式，應(yīng)評(píng)估其功能，并在關(guān)閉負(fù)壓時(shí)確認(rèn)其影響。一般來(lái)說(shuō)，GS應(yīng)有一個(gè)調(diào)壓器，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行分析，確認(rèn)電路設(shè)計(jì)的合理性。

（2）驅(qū)動(dòng)電壓

目前，大部分的開(kāi)關(guān)管都是使用MOSFET或IGBT，MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)都是使用電壓方式，高的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)擊穿柵極，測(cè)試在空載、半載、滿載、限流狀態(tài)、空載滿載跳變、空載到限流跳變、空載到深度限流跳變（所有的負(fù)載跳變條件為：跳變時(shí)間5ms，tr和tf為1A對(duì)應(yīng)20us），空載到短路及輸入電壓為最低、額定、最高，從最高電壓到最低電壓跳變（跳變時(shí)間為50ms）條件下的驅(qū)動(dòng)波形，驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)低于規(guī)定電壓，峰值應(yīng)小于20V，同時(shí)應(yīng)注意驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)滿足飽和驅(qū)動(dòng)。

（3）驅(qū)動(dòng)波形

測(cè)試在空載、輕載、半負(fù)載、滿載、限流狀態(tài)、空載滿載跳變、空載至限流跳變、空載至深限流跳變（所有負(fù)載跳變條件為：跳變時(shí)間5ms，TR、TF均為1a對(duì)應(yīng)20us），空載至短路、輸入電壓最低，額定和最高，從最高電壓跳到最低電壓（跳變時(shí)間為50ms）驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降沿應(yīng)平滑，并滿足效率和EMI的要求（上升時(shí)間快，管口損傷小，但電壓尖峰高，EMI大），開(kāi)啟時(shí)不應(yīng)有下降，停機(jī)后無(wú)尖峰現(xiàn)象，死區(qū)時(shí)間符合設(shè)計(jì)要求。

比較PWM芯片的輸出波形與驅(qū)動(dòng)波形，確認(rèn)驅(qū)動(dòng)波形與PWM輸出波形一致。

（4）驅(qū)動(dòng)回路

功率器件（MOSFET和IGBT）的驅(qū)動(dòng)電源要求低阻抗特性，驅(qū)動(dòng)電路面積盡可能小，驅(qū)動(dòng)線盡可能短，驅(qū)動(dòng)電路必須與電源電路分開(kāi)。

（5） 主控芯片供電電壓測(cè)試

用示波器測(cè)試主控芯片的供電電壓，采集模塊通電和斷電過(guò)程，以及正常工作條件下芯片電源電壓的波形。芯片的電源電壓必須滿足芯片數(shù)據(jù)的要求。同時(shí)，最好在芯片數(shù)據(jù)推薦的工作電壓下工作。在任何情況下，任何情況都不能出現(xiàn)超過(guò)芯片工作電壓范圍的電壓芯片供電。

（6）瞬時(shí)狀態(tài)下的波形

在瞬態(tài)條件下，如開(kāi)/關(guān)、突然增負(fù)荷和減負(fù)荷、限流狀態(tài)到穩(wěn)定狀態(tài)的轉(zhuǎn)換、從穩(wěn)定電壓狀態(tài)到限流狀態(tài)的轉(zhuǎn)換、輸出短路、短路啟動(dòng)和輸出短路釋放，驅(qū)動(dòng)器正常。從保護(hù)到恢復(fù)過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)正常，波形上升沿和下降沿應(yīng)平滑，分閘時(shí)無(wú)下降，停機(jī)后無(wú)急沖，死區(qū)時(shí)間能滿足設(shè)計(jì)要求，驅(qū)動(dòng)波形不應(yīng)有振蕩。

判定標(biāo)準(zhǔn)：符合測(cè)試說(shuō)明，合格，否則為不合格。

上面就是小課堂今天分享的，關(guān)于開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試要點(diǎn)。
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