功率損耗是開關器件性能評估的重要環節,也是很多示波器付費選配的高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環境,對設備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移,測試結果很可能會隨之失去意義。
2017-12-01 16:00:17
6388 
在導通數據中,原本2,742μJ的開關損耗變為1,690μJ,損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
1576 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:23
2763 MOS 管的開關損耗對MOS 管的選型和熱評估有著重要的作用,尤其是在高頻電路中,比如開關電源,逆變電路等。
2023-07-23 14:17:00
6321 
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗,器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間,也稱作死區時間,在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
事先知道損耗發生場所或部件的話,可有效且迅速地對應。損耗雖然會在電路內功耗的所有部分產生,不過主要損耗因素為I2R損耗、開關損耗及自我消耗電流損耗、遷移損耗、其他損耗。I2R損耗因內置功率晶體管的導通電
2018-11-27 16:46:28
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析:(1)、非理想的開關管在開通時,開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)組成的類型,也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比,開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中,Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型開關電源中,如果沒有損耗,那效率就是100%,但這是不可能的,BUCK型開關電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關損耗,導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗(是指完
2021-10-29 08:08:29
您好,我正在使用網絡分析儀(PNA-L N5230A 4端口)使用FOM選項80進行一些頻率偏移測量。為了驗證測量校正,我首先測量混頻器的轉換損耗,遵循在線幫助(應用 - >頻率偏移
2018-09-26 14:53:36
如圖片所示,為什么MOS管的開關損耗(開通和關斷過程中)的損耗是這樣算的,那個72pF應該是MOS的輸入電容,2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1 開通過程中
2025-02-26 14:41:53
MOS管的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFCMOS管的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds,而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關,與MOS管的結電容,輸入電容,輸出電容都有關系吧?具體的關系是什么?有沒有具體計算開關損耗的公式?
2017-05-31 10:04:51
的損耗的簡單測量方法。 2 IGBT 參數的定義 廠商所提供的IGBT 開關參數通常是在純感性負載下測量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測量開關時間的電路和定義開關時間
2018-10-12 17:07:13
trr快(可高速開關)?trr特性沒有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
;utm_campaign=tekTop 2: 示波器測量電源開關損耗應用寶典隨著人們需要改善功率效率,延長電池供電的設備的工作時間,其中一個關鍵因素是開關器件的損耗。本應用指南將概括介紹這些測量
2016-03-10 16:38:38
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子
2021-01-30 13:20:31
對于同一個電源,使用不同的示波器測量紋波和噪聲值總是有些差異。甚至使用不同的探頭也會影響測量結果。是什么原因呢? 一、紋波和噪聲的區別 紋波 由于開關電源的開關管工作在高頻的開關狀態,每一個開關
2016-09-13 15:48:38
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真,是開關頻率為5kHz和30kHz時開關損耗和傳導損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中,5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?一、開關損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開關”是與“硬開關”相對應的。硬開關是指在功率開關的開通和關斷過程中,電壓和電流的變化比較大,產生開關損耗和噪聲也較大,開關損耗隨著開關頻率的提高而增加,導致電路效率下降;開關噪聲給電路帶來嚴重
2019-08-27 07:00:00
公式計算:同樣,關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多時,A管的開關損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中,跨越線性區是產生開關損耗的最根本的原因。這表明:米勒平臺時間在開通損耗中占主導地位,這也是為什么在選擇功率MOSFET的時候,如果關注開關損耗,那么就應該關注Crss或QGD,而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
周期時間的測量 開關周期時間Tperiod(uS) 11.6762 開關管的開關損耗Pswitch(W) 0.327087666 開關管的導通損耗Pon-resistance(W) 0.477385448 開關管的總功耗Ploss(W) 0.804473114
2011-06-10 10:19:20
算法,可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量,與傳統的連續調制SVPWM相比,在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-18 08:34:17
如何更加深入理解MOSFET開關損耗?Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響?
2021-04-07 06:01:07
算法,可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量,與傳統的連續調制SVPWM相比,在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
電源工程師知道,整個電源系統中開關MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關斷損耗,因為這兩種損耗與傳導損耗或驅動損耗不同,因為它很直觀,所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天,我們將詳細分析
2021-10-29 08:43:49
開關損耗,可以使用高分辨率示波器,一定要校正電壓探頭和電流探頭時延。使用濾波和平均功能,在設定的時間周期內獲得準確的結果。 2. 如果想在示波器上測量開關損耗,可以把電壓乘以電流,取啟動或關閉期間
2016-01-12 11:08:55
探頭和電流探頭之間的時間偏差6消除探頭零偏和噪聲7電源測量中記錄長度的作用8識別真正的Ton 與Toff 轉換8有源器件測量:開關
2008-07-08 17:51:58
電壓轉換速率上測量電流也可以幫助您最大限度地減少串擾,改善精度。 如需了解開關損耗和傳導損耗測試要點,請參閱本系列博文中的第6篇博文。 文章來源:日圖科技 微信:Ritu-17微博:日圖科技Ritu
2016-08-31 15:36:31
時MOSFETs、IGBTs和磁性器件的損耗。由于大多數磁性器件采用定制設計,如開關器件,因此最好在工作狀態下測試磁性器件。這一步可以正確分析其特性。 在測量開關損耗時,我們推薦使用MS05000B
2016-09-02 14:39:38
損耗通過等式2表示:在等式3中加上總開關損耗的結果:注意,在圖1中,t2比第三個時段(t3)短得多。因此,在這些等式中,你可以估算在t3時段中的損耗。在一個時段這些有限的過渡時間會出現兩次:MOSFET
2018-08-30 15:47:38
是為密勒電容(CGD)充電。在米勒時刻期間,漏極電流在IOUT端是恒定的,而VDS從VIN開始下降。在這段時間內的功率損耗通過等式2表示:在等式3中加上總開關損耗的結果:注意,在圖1中,t2比第三個時段
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關電源設計》(第3版),發現第9頁有個名詞,叫“交流開關損耗”,不明白是什么意思,有沒有哪位大蝦知道它的意思啊?謝謝了!!
2013-05-28 16:29:18
詳細查考的事項,但如果從柵極驅動電路中消除了LSOURCE的影響,則根據Figure 4中說明的原理,開關速度將變快。關于關斷,雖然不像導通那樣區別顯著,但速度同樣也會變快。-這就意味著開關損耗得到
2020-07-01 13:52:06
圖1:開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時,驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段(圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響,在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的,
2009-04-08 15:21:32
32 根據開關器件的物理模型,分析了開關器件在Boost 電路中的損耗,并計算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺3kW的Boost 型PFC 整流電源進
2009-10-17 11:06:06
72 目錄引言 3電源設計問題指向測量需求 3開關式電源基礎知識 3-4有源元件測量:開關單元 4-11開關式設備中的功率損耗原理 4關閉損耗 
2010-06-30 09:31:05
51
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要:升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率,設計
2009-07-20 16:03:00
998 
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:59
3632 根據MOSFET的簡化模型,分析了導通損耗和開關損耗,通過典型的修正系數,修正了簡化模型的極間電容。通過開關磁鐵電源的實例計算了工況下MOSFET的功率損耗,計算結果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22
112 MOSFET才導通,因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS,而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS,因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS,開關損耗非常小,幾乎可以忽略不計,所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗,選取時只需要考慮RDS(ON)而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:23
63739 
探頭偏移,實現最大精度。為保證新興SMPS 設計的可靠性、穩定性、性能和一致性,設計工程師必須執行許多復雜的電源測量。帶有DPOxPWR電源分析應用模塊明顯簡化了電源分析工作,自動電源測量,如諧波、電源質量、開關損耗、安全工作區、轉換速率、調制和紋波,保證了快
2015-05-26 14:38:17
573 隨著人們需要改善功率效率,延長電池供電的設備的工作時間,分析功率損耗及優化電源效率的能力比以前變得更加關鍵。效率中一個關鍵因素是開關器件的損耗。本應用指南將概括介紹這些測量,以及使用示波器和探頭進行
2015-10-27 16:31:33
1288 為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖,定位了MOSFET 開關損耗的來源,進而為緩啟動電路設計優化,減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:05
43 FPGA平臺實現最小開關損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:11
10 基于DSP的最小開關損耗SVPWM算法實現。
2016-04-18 09:47:49
7 最優最小開關損耗SVPWM地板水暖變頻調速系統
2016-03-30 14:40:32
15 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:38
0 MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響,在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的,比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數據基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結果的影響。
2017-09-08 16:06:52
21 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
2017-11-10 08:56:42
7071 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:57
10741 
工程師們在調試的過程中,會經常發現,同一個信號用不同的設備測試,結果往往會有些差別。到底哪一個結果才是準確的?我們要科學的選用設備進行測試,不要被錯誤的結果蒙騙了。 不同的測試設備都有典型的應用場
2018-01-17 09:52:00
2783 
一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
2019-06-26 15:49:45
1211 一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
2019-06-27 10:22:08
3155 一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:53
6877 
根據開關器件的物理模型 ,分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ,并計算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關損耗 ,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2019-08-08 08:00:00
16 同步整流降壓轉換器的同步開關(高邊+低邊)是對VIN和GND電壓進行切換(ON/OFF),該過渡時間的功率乘以開關頻率后的值即開關損耗。
2020-04-06 10:51:00
2871 
功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:02
50 根據開關器件的物理模型 ,分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ,并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗 ,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2021-05-11 11:01:25
24 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析:(1)、非理想的開關管在開通時,開關
2021-10-22 10:51:06
11 電源工程師知道,整個電源系統中開關MOS的損耗比不小. 討論最多的是導通損耗和關斷損耗,因為這兩種損耗與傳導損耗或驅動損耗不同,因為它很直觀,所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天,我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:59
54 歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容,在本文中,我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗,從第1部分中的圖3(此處為圖1)開始:VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:12
1592 
,熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點,課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:57
1458 功率損耗是開關器件性能評估的重要環節,也是工程師在選配時重點關注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環境,對設備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移,測試結果很可能
2021-12-15 15:22:40
1170 
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗,器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間,也稱作死區時間,在這個過程中會產生
2022-01-07 11:10:27
1 。此外,今天的開關元件沒有非常高的運行速度,不幸的是,在轉換過程中不可避免地會損失一些能量(幸運的是,隨著新電子元件的出現,這種能量越來越少)。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關損耗率。
2022-08-05 08:05:07
15145 
開關過程中,穿越線性區(放大區)時,電流和電壓產生交疊,形成開關損耗。其中,米勒電容導致的米勒平臺時間,在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00
2535 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22
1533 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗,但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來,發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18
1670 
從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受:導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子:可知,六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:49
18 上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉換器的開關節點產生的開關損耗。本文將探討開關節產生的死區時間損耗。死區時間損耗是指在死區時間中因低邊開關(MOSFET)體二極管的正向電壓和負載電流而產生的損耗。
2023-02-23 10:40:49
4029 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗:見文識意,開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49
1866 
英飛凌按照“10%-2%”積分限計算開關損耗,而有些其他廠商按照”10%-10%”計算,后者結果比前者會小10-25%Eon,Eoff受IC,VCE,驅動能力(VGE,IG,RG),T和分布電感影響我們假設Eon和Eoff正比于IC,在VCE test(900V)的20%范圍內正比于VCE,則有:
2023-02-23 15:54:46
0 全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28
1234 
MOSFET的柵極電荷(米勒電容)以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35
1621 
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:22
19016 
,廣泛應用于電源供應、機器人控制、電動車控制等領域。在同步Buck電路中,MOS開關管起到了關鍵的作用,其開關速度和損耗對于整個系統效率的影響十分重要。 傳統的Buck電路采用一個反饋環路來控制輸出電壓,這會增加電路的穩定性,但同時也會增加開關頻率帶來的開關損耗
2023-10-25 11:45:14
1820 高精度測量中運放的噪聲對最終測量結果的具體影響如何通過定量結算得出? 高精度測量中運放的噪聲對最終測量結果的具體影響是一個重要的問題。在本文中,我們將詳細介紹噪聲的定義、運放噪聲的類型和來源、噪聲
2023-11-09 15:48:44
1701 和能量損耗測量的大誤差。推薦的U1880A偏移校正夾具(圖1)可以消除不同探頭的傳輸延遲差異,提高開關電源的測量精度。 快速偏移校正步驟: 1.用U1880A功率測量偏移校正夾具的USB電纜連接偏移校正夾具和示波器背面的USB端口。 2.按下前面板[DefaultSetup]鍵。 3
2023-11-20 11:53:23
1933 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34
2159 
使用電壓探頭和電流探頭等不同類型的示波器探頭進行測量時,對探頭進行偏移校正是十分必要的。 圖1 Keysight U1880A 偏移校正夾具 偏移校正十分重要,因為對于開關損耗測量,晶體管開關打開
2024-02-04 11:31:30
2135 
電源開關損耗是電子電路中一個重要的性能指標,它反映了開關器件在開關過程中產生的能量損失。準確測量電源開關損耗對于優化電路設計、提高系統效率具有重要意義。本文將詳細介紹使用示波器測量電源開關損耗的步驟、方法和注意事項,旨在幫助讀者更好地理解和掌握這一測量技術。
2024-05-27 16:03:29
2547 開關損耗是電力電子設備中的一個重要性能指標,它直接影響到設備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測量工具,在開關損耗的測量中發揮著關鍵作用。本文將介紹差分探頭的基本原理,探討其在開關損耗測量中
2024-08-09 09:47:13
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MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數,它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳細闡述MOSFET開關損耗的概念、組成以及影響因素。
2024-09-14 16:11:52
2432 ,我們需要了解預熱時間的定義。預熱時間是指從儀器開機到可以進行測量的時間段。在此期間,儀器會進行自我校準、穩定和升溫,以確保測量結果的準確性。在頻譜分析儀中,預熱時間尤為重要,因為它直接影響到測量結果的可靠性。
2024-10-22 16:56:31
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傳感器 的響應時間對測量結果有以下幾方面的影響:測量準確性 快速變化信號測量失真:當測量對象的物理量變化較快時,如果 傳感器 響應時間過長,就無法及時跟上變化,導致測量結果與實際值存在偏差。例如
2024-11-29 09:24:14
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溫度對電橋測量結果的影響是顯著的,主要體現在以下幾個方面: 一、電阻值變化 電橋電路中的電阻值會隨著溫度的變化而變化。通常,電阻的阻值會隨著溫度的升高而增大,這種變化會導致電橋電路中的電流和電壓
2025-01-09 10:21:31
2068 基于LTSpice的GaN開關損耗的仿真
2025-03-13 15:44:49
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在功率器件的世界里,開關損耗是一個繞不開的關鍵話題。
2025-05-07 13:55:18
1052 在時間頻率行業,時間間隔測量是不可缺少的一部分,選擇一款合適的時間間隔測量儀就會顯得尤為重要,今天我們來分析一下時間間隔分析儀的特點。 關鍵詞:時間間隔測量儀,時間間隔分析儀 1、測量功能多樣化
2025-05-08 11:29:29
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IGBT模塊的開關損耗(動態損耗)與導通損耗(靜態損耗)的平衡優化是電力電子系統設計的核心挑戰。這兩種損耗存在固有的折衷關系:降低導通損耗通常需要提高載流子濃度,但這會延長關斷時的載流子抽取時間
2025-08-19 14:41:23
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