MOS 管的開關損耗對MOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。

首先，我們來看下理想的MOSFET 開關波形，如圖Figure 1, 以及對應的開關損耗常見的評估方法．

Figure 1. V & I waveforms when switching an Inductive Load

交越時間tcross， Vds 與 Id 組成的陰影面積為導通時的能量損耗：

假設MOSFET 開通和關斷的交越時間均為tcross，那么我們可以得出一個完整開關周期的開關損耗如下：

我們把柵極驅動信號同步到圖Figure 1中， 如Figure 2 所示，此時對應的交越時間為 t1 + t2。

Figure ２. Ideal waveforms at MOSFET turn on

如果考慮源極的寄生電感，驅動電路如Figure 3 所示．

Figure 3. MOSFET with **parasitic Inductance

對t1 區間進行分析：

柵極電壓以及寄生電感電壓為：

由于t1 時間很短，所以我們可以近似用上管剛導通時的谷底電流Io- ΔI/2 來替代dIDS。

柵極驅動電流：

t1 的時間計算：

MOS 在 t1 區間對應的功率損耗：

對t２ 區間進行分析：

寄生電感電壓為：

由于t2 時間很短，電感電流可以近似為不變，變化的是下管關斷時下管輸出電容充電電流ICoss(LS)

柵極驅動電流：

t2 的時間計算：

MOS 在 t2 區間對應的功率損耗:

那么開通時MOS的開啟損耗為：

類似的分析方法，根據MOS 管的關斷波形 Figure 4，我們可以推導出對應的損耗：

Figure ４. Ideal waveforms at MOSFET turn off

那么開通時MOS的關斷時損耗為：

那么MOS 在一個完整開關周期的開關損耗為：

如果開通和關斷時的交越時間相同，那么開關損耗就可以簡化為如下：