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1、電源設計項目前期各個參數注意細節
借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明。分析里面的電路參數設計與優化并做到認證至量產。 在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫里面的元件，和量大的元件，方便后續降成本拿價格。
貼片電阻采用0603的5％，0805的5％，1％，貼片電容容值越大價格越高，設計時需考慮。
1、輸入端，FUSE選擇需要考慮到I＾2T參數。保險絲的分類，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險絲的認證是否齊全。保險絲前的安規距離2．5mm以上。設計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時，保險絲I2T是否有余量，會不會打掛掉。
2、這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471，也有采用561的，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強版的10S471，14S471等，一般14D471打1KV，2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV＋GDT了。有必要時，壓敏電阻外面包個熱縮套管。
3、NTC，這個圖中可以增加個NTC，有的客戶有限制冷啟動浪涌電流不超過60A，30A，NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時注意NTC的電壓，電流，溫度等參數。
4、共模電感，傳導與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環形的高導材料5K，7K，0K，12K，15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的最好，成本考慮，傳導輻射測試完成后才能定型。
5、X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。
6、如果做認證時有輸入L，N的放電時間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。
7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時掛掉。
8、VCC的啟動電阻，注意啟動電阻的功耗，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V，0805一般耐壓150V，能多留余量比較好。
9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80％容值設計，不同廠家和不同的設計經驗有點出入，有一點要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關系到電容壽命，這個看品牌和具體的系列了。
10、輸入電解電容上有并聯一個小瓷片電容，這個平時體現不出來用處，在做傳導抗擾度時有效果。
11、RCD吸收部分，R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102／103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107，FR207，整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A，K5C等材質）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。
12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V 2－12A足夠用與100W以內的反激，根據成本來權衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了的情況經常有。
13、MOSFET的驅動電阻一般采用10R＋20R，阻值大小對應開關速度，效率，溫升。這個參數需要整改輻射時調整。
14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K－100K的電阻放電。
15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無感電阻。功率小，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現象。
16、Isense電阻到IC的Isense增加1個RC，取值1K，331，調試時可能有作用，如果采用這個TEA1832電路為參考，增加一個C并聯到GND。
17、不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據自己的經驗在IC引腳處放濾波電容。
18、更改前：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級砸數（T），Ae（mm2）有興趣驗證這個公式可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
18、更改后：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，防止高溫時磁芯飽和。delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級砸數（T），Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以內，出現異常情況不飽和，一般取值小于300mT以內。我之前做反激變壓器取值都是小于0．3的）附，學習zhangyiping的經驗（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）
變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
附注：有興趣驗證這個公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右（25℃時，飽和磁通密度510mT）。
借鑒TDG的磁芯基本特征圖。
19、輸出二極管效率要求高時，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時可以用超快恢復二極管。
20、輸出二極管并聯的RC用于抑制電壓尖峰，同時也對輻射有抑制。
21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個1K－3K左右的電阻，Vout串聯到光耦的電阻取值一般在100歐姆－1K之間。431上的C與RC用于調整環路穩定，動態響應等。
22、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機功耗。
23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時紋波電流放大1．2倍以上考慮。 24、2個輸出電容之間可以增加一個小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個輸出電容的紋波電流就會比第二個輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個電容容量大，第二個電容容量較小。
25、輸出Vout端可以增加一個共模電感與104電容并聯，有助于傳導與輻射，還能降低紋波峰峰值。
26、需要做恒流的情況可以采用專業芯片，AP4310或者TSM103等類似芯片做，用431＋358都行，注意VCC的電壓范圍，環路調節也差不多。
27、有多路輸出負載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負載，否則會因為耦合，burst模式等問題導致其他路輸出電壓不穩定。28、初級次級的大地之間有接個Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0．25mA，不同的產品認證對漏電流是有要求的，需注意。
算下來這么多，電子元器件基本能定型了，整個初略的BOM可以評審并參考報價了。BOM中元器件可以多放幾個品牌方便核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實現。如不能實現，尋找新的IC來完成，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶溫度范圍的要求比較高，對應元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。
2、電源PCB設計階段應注意的細節
1、PCB對應的SCH網絡要對應，方便后續更新，花不了多少時間的。
2、PCB的元器件封裝，標準庫里面的按實際情況需要更改，貼片元件焊盤加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0．3mm，焊盤直徑大于孔0．8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生產是很大的功勞啊。
3、安規的要求在PCB上的體現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規要求，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿足要求。相應的認證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋墻或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。
4、橋堆前L，N走線距離2．5mm以上，橋堆后高壓＋，－距離2．5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號線遠離大電流走線，避免干擾，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC，信號地與功率地分開走，星形接地，或者單點接地，最后匯總到大電容的“－”引腳，避免調試時信號受干擾，或者抗擾度出狀況。
5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過波峰焊上錫，提高產線效率，避免陰影效應，連錫，虛焊等問題出現。
6、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件，之前看過一個日本的PCB，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，漂亮。
7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關書籍。還有1種情況，PCB當單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導和輻射很有效果。
8、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他干擾的電流路徑，會不會影響IC。
3、電源調試階段應注意的細節
1、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒有短路，有沒有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試，變壓器同名端有沒有繞錯。
2、開始上電，我的習慣是先上100V的低壓，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動電壓，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發，或者參數不對。找不到問題，查看IC的上電時序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。
3、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發現啟動時變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。
4、輸出有了，但是輸出電壓不對，或者高了，或者低了。這個需要判斷是初級到問題，還是次級的問題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對，估計就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩壓管＋1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過載保護等保護的動作。常見問題，光耦腳位畫錯，導致反饋到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導致輸出電壓不對。
5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個時候一般采用2個電阻并聯的方式來調節到精確電壓。采樣電阻必須是1％或者0．5％。
6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期，停幾十個周期，這樣的情況調節環路。431上的C與RC，現在的很多IC內部都已經集成了補償，環路都比較好調整。環路調節沒有效果，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經認為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測試。
7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續安規測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級里面的標準參考。
8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF＋104，或者10uF＋104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會影響紋波電壓。示波器測試紋波時探頭上用彈簧測試探頭測試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態電容。
9、輸出過流保護，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護，大部分IC都有集成過流或者過功率保護。過流保護一般放大1．1－1．5倍輸出電流。最大輸出電流時，元器件的應力都需要測試，并留有余量。電流保護如增加反饋環路可以做成恒流模式，無反饋環路一般為打嗝保護模式。做好過流保護還需要測試滿載＋電解電容的測試，客戶端有時提出的要求并未給出是否是容性負載，能帶多大的電容起機測試了后心里比較有底。
10、輸出過壓保護，穩定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的，一個是做過壓保護的。無要求的，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護電路，或者IC里面已經有集成的過壓保護，外圍器件很少。
11、過溫保護一般要看具體情況添加的，安規做高溫測試時對溫度都有要求，能滿足安規要求溫度都還可以，除非環境復雜或者異常情況，需要增加過溫保護電路。
12、啟動時間，一般要求為2S，或者3S內起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什么問題。
13、上升時間和過沖，這個通過調節軟啟動和環路響應實現。
14、負載調整率和線性調整率都是通過調節環路響應來實現。
15、保持時間，更改輸入大電容容量即可。
16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電，IC啟動后，Isense腳檢測過流會做短路保護，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控制住2W以內比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，并通過查看MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計范圍。
17、空載起機后，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應電壓低導致，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出反饋環路不穩定，需要更新環路參數。
18、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過壓，或者是過流保護動作。
還有變壓器設計時按照正常輸出帶載設計，導致重載或者過流保護前變壓器飽和。
19、元器件的應力都應測試，滿載、過載、異常測試時元器件應力都應有余量，余量大小看公司規定和成本考慮。 性能測試與調試基本完成。調試時把自己想成是設計這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問題。 這些全都按記憶寫的，有點亂，有些沒有記錄到，后續想到了再補上。
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