電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) - 基于HMC704LP4的一種X波段跳頻源設(shè)計(jì)方案

　　3 電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　3.1 HMC704LP4簡(jiǎn)介

　　HMC704LP4是Hittite公司2011年4月推出的一款低相噪小數(shù)分頻鎖相環(huán)芯片，其最高工作頻率可達(dá)8 GHz，具有整數(shù)模式和小數(shù)模式，包括鑒相器，精密電荷泵，參考分頻器R，可編程分頻器N，Delta-sigma調(diào)制器以及緩沖放大電路等。

　　其主要性能指標(biāo)如下：

　　（1）噪聲基底在整數(shù)模式下為-233 dBc/Hz，小數(shù)模式下為-230 dBc/Hz;

　　（2）采用Delta-sigma調(diào)制技術(shù)改善了分?jǐn)?shù)雜散性能并有周期滑步抑制功能：

　　（3）最高參考輸入頻率高達(dá)350 MHz，在整數(shù)模式下鑒相頻率最高為115 MHz，在小數(shù)模式下鑒相頻率最高為100 MHz，最小可至DC;

　　（4）該芯片有八個(gè)供電引腳，其中電荷泵部分的供電電壓為5 V，其他供電均為3.3 V;5 V電流典型值6 mA;3.3 V電流典型值52 mA;

　　（5）三線(xiàn)SPI串口控制。分為HMC模式和開(kāi)放模式兩種；

　　（6）體積小：24引腳4×4mm SMT封裝。

　　3.2 環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)

　　環(huán)路濾波器設(shè)計(jì)是鎖相環(huán)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。環(huán)路濾波器處于鑒相器和VCO之間，可以濾除來(lái)自晶振的噪聲，鑒相器本身的輸出噪聲和載頻分量，濾除雜散，還可以濾除來(lái)自VCO的噪聲，但最重要的是建立起環(huán)路的動(dòng)態(tài)特性。

　　濾波器設(shè)計(jì)時(shí)帶寬需要折中考慮。帶寬小，呵降低近端相噪，環(huán)路鎖定時(shí)間長(zhǎng)。帶寬大，環(huán)路鎖定時(shí)間短，但會(huì)引入?yún)⒖茧s散。本設(shè)計(jì)借助于Hittite PLL Design設(shè)計(jì)濾波器。該軟件是Hittite公司推出的鎖相環(huán)輔助設(shè)計(jì)軟件，可以仿真鎖相環(huán)的相噪特性、環(huán)路特性等。可通過(guò)修改環(huán)路帶寬、相位裕量、零極點(diǎn)等來(lái)修改各參數(shù)值。本系統(tǒng)采用四階有源濾波器。電路如圖2所示。

　　系統(tǒng)采用四階有源濾波器。電路如圖2所示

　　其中Cb=100 nF;Rb1=Rb2=1 kΩ；C1=150 pF;C2=3.3 nF，R2=510 Ω，C3=68 pF;R3=510 Ω，C4=15 pF;R4=1.5 kΩ。此時(shí)的環(huán)路帶寬280 kHz，相位裕度為60°。

　　3.3 電路設(shè)計(jì)與軟件實(shí)現(xiàn)

　　本跳頻源輸出X波段頻率，電路基板采用ROGERS 4350B （介電常數(shù)3.48，厚度0.508 mm），各部分電路必須具有良好隔離和屏蔽。整個(gè)電路放在鋁腔體中，以保證內(nèi)部和外部的電磁隔離。腔體分為上下兩層。鎖相環(huán)電路放在上層。電源板和控制電路放在下層。為了獲得好的相噪指標(biāo)，對(duì)系統(tǒng)的供電設(shè)計(jì)要特別注意。系統(tǒng)供電包括+15V、+5 V和+3.3 V.+15 V、+5 V由電源板經(jīng)過(guò)濾波后直接給鎖相環(huán)電路供電。+3.3 V由+5 V經(jīng)LDO產(chǎn)生。各+5 V電源之間用磁珠進(jìn)行隔離，各+3.3 V電源間也果用磁珠進(jìn)行隔離。

　　HMC704寄存器較多，配置起來(lái)比較復(fù)雜，是設(shè)計(jì)難點(diǎn)之一。我們采用ALTEra公司的 FPCAEP1C3T14417對(duì)HMC704進(jìn)行配置。通過(guò)SPI串口用開(kāi)放模式配置，可以減少配置時(shí)間，進(jìn)一步減小跳頻時(shí)間。利用SCLK上升沿將數(shù)據(jù)、寄存器地址、芯片地址碼依次通過(guò)SDI送給PLL內(nèi)部的移位寄存器后，令SEN變?yōu)楦唠娖綄⒁莆患拇嫫髦械臄?shù)據(jù)所存至相應(yīng)鎖存器中，鎖相環(huán)進(jìn)入相應(yīng)頻率鎖定過(guò)程。跳頻時(shí)，改變頻點(diǎn)只用改變N整數(shù)寄存器和N小數(shù)寄存器即可。

　　4 測(cè)試結(jié)果與結(jié)論

　　采用Agilent頻譜儀N9030A和信號(hào)源分析儀E5052B分別對(duì)該跳頻源的雜散、相噪和跳頻時(shí)間進(jìn)行測(cè)試。相位噪聲測(cè)試曲線(xiàn)如圖3所示，測(cè)試頻率為10.47 GHz，相噪指標(biāo)為-96dBc/Hz@1kHz;雜散測(cè)試如圖4、圖5所示，測(cè)試頻率為10.44 GHz，圖4為近端雜散、圖5為遠(yuǎn)端雜散。雜散優(yōu)于-70dBc.跳頻時(shí)間測(cè)試的是9.9 GHz到10.93 GHz的跳頻時(shí)間，約為36 μs.

　　雜散優(yōu)于-70dBc.跳頻時(shí)間測(cè)試的是9.9 GHz到10.93 GHz的跳頻時(shí)間，約為36 μs.