圖2為本文利用標準CMOS工藝設計的基準電路。該電路主要由啟動電路、和式電流產生電路、有效負載電路構成。電路的基本原理是利用高性能和式電流源產生高電源抑制比的PTAT電流，再利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向，但不同數量的溫度系數設計了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準。

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　　3.1 和式電流源電路

　　由圖2可見，和式電流產生電路由自舉式偏置電路(由MOS管M6～M9和電阻R2構成)產生偏置電流。設M9與M8的寬長比為K1，則有：

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　　但是由于體效應的存在，使得R2中的電流隨電源電壓VDD的變化有一定改變。所以文中引入和式電流產生電路。

　　如圖2可知，電阻R1中的電流值為：

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　　式中：K2為M5與M6的寬長比。

　　由于MOS管的柵源電壓VGS幾乎不隨電源電壓的變化而變化，由式(6)、式(7)可知MOS管M4中的電流IM4的變化方向與R2中的電流IR2隨電源電壓的變化方向相反。

　　由圖2可知，取K3，K4分別為M10與M7，M11與M2的寬長比，M13與M12，M15與M14的寬長比為1，則MOS管ML1中的電流I為：

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　　合理選擇式(8)中的K3，K4就能減小電源電壓VDD對電流I的影響。

　　由上面的分析和式電流源電路可以進一步減小電源電壓對輸出電流的影響。

　　3.2 有效負載電路

　　由圖2可知，電流I流過MOS管M15，ML1時：

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　　由式(2)可知，載流子遷移率μ是溫度的高階函數，若近似認為μN，μP的溫度變化量相等，可將K看作常數，可得：

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　　由式(3)和式(13)可知，取恰當的K值，即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長比，就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數相抵消，使VREF幾乎不隨環境溫度的變化而變化。