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簡單滯后補償：在中間級的輸出并聯一個小電容，讓高端截止頻率變小，從而使180°反饋點自激增益不滿足。

基于Spartan3主流低端FPGA器件實現PWM發生器的設計...

恒壓充電階段（已經充滿85%以上，在慢慢的進行補充） 在鋰電池的電容量達到了85％時候（約值），必須再次進入慢充階段。

在2020年架構日上，英特爾六大技術支柱持續創新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。

基于IEEE802.15.4的雙向功率放大器的設計與實現...

5G、邊緣計算和物聯網正在加快設備互連的速度，服務于各個市場的高科技OEM廠商也比以往更加關注安全性。

midge medical目前專注于開發便攜式COVID-19（SARS-CoV-2）基因檢測設備，檢測結果可以使用智能手機在15分鐘內讀取。

共發射極放大器是三種基本單級放大器拓撲之一。BJT共發射極放大器一般用作反相電壓放大器。

為什么尺寸縮小并沒按應有的速度不斷進步呢？為什么高端硅成本依然如此昂貴？答案就在于芯片設計的復雜性——如今的芯片設計層數繁多，各層之間還必須無縫連接。

SiC器件的市場份額預計將在未來幾年加速增長，主要推動因素是運輸行業的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動力傳動牽引系統等應用的模塊中的基本構件。

鉗位電路的核心器件是二極管和電容，下面我們具體分析實現各種鉗位的電路圖。

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據，儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

當電路中存在感性元件（如電感）或者容性元件（電容）時，信號源（比如電流源）的頻率變化會使得電路總體呈現容性、感性或者電阻性。

LTC4125是一款單芯片全橋AutoResonant無線功率發射器，用于最大限度提高接收器可用功率，提升整體效率，并為無線充電系統提供全面保護。

本文探討了在SiC MOSFET應用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態的工作條件。

隨著光器件制造商都試圖在數據中心領域占據領先地位，成本和性能將推動400G光通訊市場的發展。2017年，CFP8成為用于核心路由器和DWDM傳輸接口的第一代400GE模塊。

電路的放大倍數越大，則電路越容易起振，但只要放大倍數超過3，則輸出波形都將出現削波失真，如果放大倍數設置恰好為3，則仿真時間要等很久才會有結果。

每片DDR2存儲器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總容量為2Gb。單DDR2存儲器為16bit，兩片存儲器共用控制線和地址線，數據線并列，即組成了32位的2Gb存儲模組。

詳細闡述了ADuCM355氣體檢測方案與傳統方案相比的優勢，以及設計中的注意點和相關開發資源。

本文給出了快速響應FSK控制環路模擬前端的詳細設計方案。用兩片MAX176 ADC分別量化兩個輸入通道并控制FSK調制器的PLL。這一獨特、簡單的結構將電路尺寸和環路延遲時間降至最小，從而得到一個簡單的FSK調制器。文中介紹了部份經過測試的基本控制回路。