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DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁，它負責把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號，并發(fā)送到DRAM。

小泰是泰克MSO6B示波器，高達10G帶寬、50G采樣率、八個通道，幫助工程師及時完成任務(wù)，又可以隨心旅行。

魯米諾本身是一種粉末，在混合了雙氧水后用于織物表面進行測試。如果存在血，血紅蛋白中的鐵會催化魯米諾和雙氧水之間的反應，將電子釋放為對藍光可見的光子。

二極管結(jié)的這種溫度依賴性既是詛咒又是祝福。當然，這會嚴重影響半導體器件的基本性能，因為電流和電壓會發(fā)生變化，溫度系數(shù)（tempco）是經(jīng)過仔細研究的數(shù)據(jù)表編號。

ADI公司新開發(fā)了一款集成信號調(diào)理功能的高溫MEMS陀螺儀，即ADXRS645。此傳感器即使在沖擊和振動環(huán)境下也能實現(xiàn)準確的角速率（轉(zhuǎn)速）測量，且額定工作溫度高達175°C。

目前市場上很多芯片不具備輸入過壓保護功能，個別芯片的輸入過壓保護需要外接一串電阻來實現(xiàn)，我們的芯片將輸入過壓保護功能集成到內(nèi)部，簡化了外圍電路配置，降低成本。

基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場主體（占比超過70%），這主要歸功于工廠生產(chǎn)線中的電機驅(qū)動應用和第一代風力和太陽能逆變器。

設(shè)計人員通常使用四種拓撲的一種來進行優(yōu)化，以實現(xiàn)最小功耗，最小功率損耗時間間隔，最大程度地過濾電源線瞬變以及降低成本。

與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優(yōu)異的高速開關(guān)性能，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。

基于ADI的JFET放大器AD549芯片方案在微弱電流采樣的前端扮演著主力中堅的角色，在儀器儀表行業(yè)持續(xù)橫行了30多年，經(jīng)久不衰。

基于 LTC7821 的電路在運行頻率比其他轉(zhuǎn)換器的工作頻率高 3 倍之多的情況下可提供與其他同類解決方案相同的效率。

憶阻器代表著電荷與磁通量之間的關(guān)系。憶阻器的電阻會隨著通過的電流量而發(fā)生變化，就算電路斷電、電流停止，其電阻值仍然會被保留，直到有反向電流通過才會返回原狀。

借助FLIR Si124之類的聲學成像儀，公用部門可以分析局部放電模式，利用自動漏電成本估算和放電類型分類工具，優(yōu)先安排維修工作，安全快速地進行非接觸式檢查。

由于SSD相對于HDD而言是一項新技術(shù)，再加上產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模和需求量的矛盾，目前價格相比HDD仍然偏高。那么如何降低SSD使用成本就變得非常重要。

Allied Market Research的數(shù)據(jù)顯示，2019年全球機器視覺系統(tǒng)市場規(guī)模為297億美元，到2027年預計將達到749億美元，2020年到2027年的復合年增長率約為11.3％。

L pi損耗補償了功率傳感器測得的功率電平中的P。乍一看，損耗的測量方法如圖2所示，但是這種測量損耗的方法沒有正確制定。

另一種控制轉(zhuǎn)換器輸出電流的方法是根據(jù) LT8710 的輸入即監(jiān)視從 IMON 引腳引出的電容器的電壓，選擇合適的電阻器 RSC 以在最大電流條件下提供一個接近 50 mV 的電壓。

工廠的視覺檢測基本都是對應高速移動的物體，傳送帶的速度特別快，那么采用高幀率、短曝光控制以防止運動模糊，才能利用AI算法實現(xiàn)正確的智能判斷和快速決策。

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

變速箱組件的可靠性相對較差，因此需要重點對齒輪、軸承和軸實施狀態(tài)監(jiān)控。除了變速箱之外，轉(zhuǎn)子葉片和發(fā)電機是WT系統(tǒng)中 故障率最高的組件。