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隨著LED業(yè)內(nèi)競爭的不斷加劇，LED品質(zhì)受到了前所未有的重視。LED在制造、運輸、裝配及使用過程中，生產(chǎn)設(shè)備、材料和操作者都有可能給LED帶來靜電(ESD)損傷，導(dǎo)致LED過早出現(xiàn)漏電流增大，光衰加重，甚至出現(xiàn)死燈現(xiàn)象，靜電對LED品質(zhì)有非常重要的影響。LED的抗靜電指標(biāo)絕不僅僅是簡單地體現(xiàn)它的抗靜電強度，LED的抗靜電能力與其漏電值、整體可靠性有很大關(guān)系，更是一個整體質(zhì)素和可靠性的綜合體現(xiàn)。因為往往抗靜電高的LED，它的光特性、電特性都會

使用一個超級電容器和 TPS61094 實現(xiàn)有效的備用電源電路，圖 1 顯示了我們?nèi)绾闻渲?TPS61094 評估模塊 （EVM），為表 1 中的 NB-IoT 負(fù)載曲線提供足夠的備用電源支持。

電信號鏈有多種形式。它們可以由不同的電氣元件組成，包括傳感器、執(zhí)行器、放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），甚至微控制器。

隨著ALD厚度的增加，SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形，并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下，菱形孔的尖端可視度有限，這會導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻蝕保持圓形。

銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結(jié)（見圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強度、完整性和導(dǎo)電性。

LT1083穩(wěn)壓器（參見圖1中的符號和引腳排列）允許調(diào)整正電壓，并能高效地提供高達7.5 A的電流。

TI新型ADC幫助實現(xiàn)高精度數(shù)據(jù)采集同時降低65%的功耗...

第一章 概述 我司（DONWIT東識科技）RFID涉密載體管理系統(tǒng)是依托互RFID技術(shù)、3D技術(shù)、數(shù)據(jù)庫技術(shù)、AI、視頻分析技術(shù)對RFID智能倉庫進行統(tǒng)一管理、分析的信息化、智能化、規(guī)范化的系統(tǒng)。 在信息技術(shù)高速發(fā)展的今天，使用數(shù)字載體存放、傳遞和處理涉密信息，在軍隊和黨政機關(guān)中已很普遍。但由于缺乏有效的技術(shù)監(jiān)管手段，涉密載體亂放、亂帶現(xiàn)象，涉密區(qū)人員出入監(jiān)管不慎時有發(fā)生，由此引發(fā)的失泄密事件日益增多，直接危害國家與軍隊的安全。涉密

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出一款厚膜分流電阻器“LTR100L”，非常適用于工業(yè)設(shè)備和消費電子設(shè)備等的電流檢測應(yīng)用。

電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。

常見的如TSSOP-28/TSSOP-24/ESOP-16等散熱片在底部的貼片封裝，依賴芯片本身及PCB散熱很難支持60W以上持續(xù)功率輸出。

使用中科藍訊AB32VG1開發(fā)板點亮第一篇

[RTT-創(chuàng)新應(yīng)用設(shè)計]AB32VG1-4.wav搜索...

硬件平臺由DSP處理器+FPGA及其外圍器件組成的高速運算電路共同實現(xiàn)［2］，它為軟件編程、各類數(shù)據(jù)流控制及復(fù)雜對象的識別算法提供基礎(chǔ)保證。多目標(biāo)識別算法在物理空間運行上分成兩部分:圖像預(yù)處理算法(FPGA)和軌跡識別算法(DSP)，與嵌入式圖像處理硬件構(gòu)成一個完整的圖像處理系統(tǒng)共同完成空間觀測任務(wù)，識別算法主要負(fù)責(zé)對空間監(jiān)測圖像的分析和判讀，重點是濾除背景

LTspice 是一款功能強大、簡單易用且免費的 SPICE 仿真工具，在業(yè)界得到廣泛應(yīng)用。 列出了用于電源電路設(shè)計的 LTspice 的典型用例，并提供了 LTspice 使用的實用技巧。模擬器的這種解釋可以幫助工程師避免大量的手動計算并減少開發(fā)時間和成本。 ? 電源電路設(shè)計流程 電源電路設(shè)計通常是一項繁瑣的工作，涉及以下步驟： 寫下關(guān)鍵規(guī)格（電壓范圍、溫度范圍、最大電流、保護電路、變化的負(fù)載條件、最大尺寸等）。 選擇系統(tǒng)或電路的基礎(chǔ)架構(gòu)。 預(yù)測系統(tǒng)

UART-Print 模式：用戶通過串口將數(shù)據(jù)以固定的格式發(fā)送到 PC 端，上位機軟件按照用戶界面屬性配置將收到的數(shù)據(jù)繪成波形。

動態(tài)導(dǎo)通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運行至關(guān)重要。然而，許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON)，因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。在本文中，我們將討論使用帶鉗位電路的雙脈沖測試系統(tǒng)測量動態(tài) RDS(ON) 的技術(shù)

浪涌事件的類型和所含能量會因電子器件的使用區(qū)域而異；電路可能遭受過壓、過流、反向電壓和反向電流等情況。

局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個區(qū)域的電場強度一旦達到其介質(zhì)擊穿場強時，該區(qū)域就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。

對于繼電器，如果在輸入電壓正弦波處于周期的高點時斷開（關(guān)斷）器件，則觸點上會產(chǎn)生電弧，從而腐蝕觸點表面。使用半導(dǎo)體線路開關(guān)，可以通過在AC過零點設(shè)置關(guān)斷來降低開關(guān)損耗。