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如何成功校準(zhǔn)開環(huán)DAC信號(hào)鏈

單極性電壓DAC只能提供正輸出或負(fù)輸出。本文將以AD5676R為單極性DAC的例子,說明如何進(jìn)行精確校準(zhǔn)。相同的方法可用于對(duì)其他類型的DAC進(jìn)行必要的調(diào)整。

2021-12-16 關(guān)鍵字: dac數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出放大器

CMP后晶片表面金屬污染物的清洗方法解析

由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散,以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級(jí)的形成,銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過程后清洗。

2021-12-15 關(guān)鍵字: 集成電路半導(dǎo)體電鍍CMP晶片

Fe和Cu污染對(duì)硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會(huì)大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和表面光電壓研究了p型和n型硅中微量鐵和銅的影響。這些晶片受到了與超大規(guī)模集成技術(shù)相關(guān)的受控量的鐵和銅表面污染。襯底摻雜類型對(duì)金屬雜質(zhì)的影響很大。正如所料,F(xiàn)e會(huì)大大降低p型襯底的少數(shù)載流子壽命

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕劑寬度對(duì)幾何形狀的影響,并對(duì)蝕刻過程進(jìn)行了數(shù)值模擬。驗(yàn)證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測(cè)結(jié)果一致,表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測(cè)蝕刻截面的幾何形狀。

2021-12-14 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體刻蝕

學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn):BJT差分對(duì)

本次實(shí)驗(yàn)旨在研究一個(gè)使用NPN晶體管的簡(jiǎn)單差分放大器。首先,我們需要做一些關(guān)于硬件限制問題的說明。ADALM2000系統(tǒng)中的波形發(fā)生器具有高輸出帶寬,該高帶寬代來了寬帶噪聲。

2021-12-14 關(guān)鍵字: adi濾波器差分放大器波形發(fā)生器

電動(dòng)汽車電池技術(shù)為可持續(xù)發(fā)展的未來注入動(dòng)力

電動(dòng)汽車的潛力令人振奮,尤其是在環(huán)境影響方面。越來越多的企業(yè)將可持續(xù)發(fā)展作為重中之重。研究表明,注重生態(tài)的做法可以轉(zhuǎn)化為銷售的增長(zhǎng)。

MSP430? MCU:簡(jiǎn)化樓宇自動(dòng)化設(shè)計(jì)的創(chuàng)新選擇

數(shù)字模擬和數(shù)字PIR解決方案都無法輕松適應(yīng)變化的范圍、目標(biāo)速度、環(huán)境溫度和照明條件。TI的測(cè)試結(jié)果表明,使用MSP430 MCU設(shè)計(jì)的PIR運(yùn)動(dòng)感應(yīng)器能夠在沒有模擬和數(shù)字信號(hào)處理的情況下檢測(cè)到36英尺(11米)外的運(yùn)動(dòng)。

使用低 IQ 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)流量計(jì)電池壽命的 3 個(gè)好...

與鋰二氧化錳 (LiMnO2) 等電池化學(xué)物質(zhì)相比,鋰亞硫酰氯 (LiSOCI2) 電池可實(shí)現(xiàn)更高的能量密度和更出色的每瓦成本比,因此普遍用于智能流量計(jì)。

2021-12-09 關(guān)鍵字: 超級(jí)電容器升壓轉(zhuǎn)換器

芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W內(nèi)置BJT的PSR電...

充電器和適配器是我們生活中非常常見的產(chǎn)品,我們很多人可能只知道這些產(chǎn)品是用來充電的,但是可能不知道具體是如何實(shí)現(xiàn)充電的,本文就帶大家詳細(xì)了解一下。

2021-12-09 關(guān)鍵字: MOSFET充電器適配器

【解決方案】基于RS-485總線的Acrel3200遠(yuǎn)程預(yù)付...

文章根據(jù)用電遠(yuǎn)程管控原理,設(shè)計(jì)了用電預(yù)付費(fèi)遠(yuǎn)程管理終端及管理系統(tǒng),該系統(tǒng)以智能遠(yuǎn)程預(yù)付費(fèi)電表、智能網(wǎng)關(guān)以及預(yù)付費(fèi)管理軟件實(shí)現(xiàn)了商業(yè)綜合體的用電管理,實(shí)現(xiàn)了欠費(fèi)自動(dòng)分閘,充值后自動(dòng)合閘,并輔助強(qiáng)控、分時(shí)控制;移動(dòng)終端充值等功能,幫助后勤管理部門實(shí)現(xiàn)電費(fèi)的自動(dòng)催繳,提高電費(fèi)收繳率,降低人工成本。

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓...

用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航担陂_通時(shí)候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右,這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電容C10上就會(huì)有3V壓降。

2021-12-06 關(guān)鍵字: 單電源SiC MOSFET

全球小型化電感器需求加速釋放,無源器件產(chǎn)業(yè)開啟技術(shù)升級(jí)

電感是電路必備的被動(dòng)元件之一,主要用于電源轉(zhuǎn)換、濾波和信號(hào)處理等。隨著5G到來,各種智能終端將大幅增加電感的用量。

2021-12-06 關(guān)鍵字: 電感器無源器件功率電感器村田

適用于微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的快速反應(yīng)、光學(xué)編碼器反饋系統(tǒng)

本文介紹工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制的位置檢測(cè)接口時(shí)面臨的常見問題。

ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)

負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離,但是起保護(hù)作用的 MOSFET 現(xiàn)在面臨的一大問題是功耗過高。

2021-12-01 關(guān)鍵字: MOSFET電池充電器電壓保護(hù)

RF轉(zhuǎn)換器:一種支持寬帶無線電的技術(shù)

在發(fā)射器和接收器中,RF轉(zhuǎn)換器均能提供常規(guī)無線電無法實(shí)現(xiàn)的靈活性。寬帶RF轉(zhuǎn)換器可以同時(shí)捕捉并直接合成每個(gè)頻段中的信號(hào),從而支持同時(shí)測(cè)試移動(dòng)設(shè)備中的多個(gè)無線電。

2021-11-30 關(guān)鍵字: RF無線電數(shù)字控制振蕩器

iMX8MP 測(cè)評(píng)|飛凌FETMX8MP-C核心板多媒體功能

iMX8MP 測(cè)評(píng)|飛凌FETMX8MP-C核心板多媒體功能...

2021-11-30 關(guān)鍵字: arm開發(fā)板imx8

講科學(xué)不講玄學(xué),使用D類放大器打造高保真音頻系統(tǒng)

高效轉(zhuǎn)換的背后,是因?yàn)镈類放大器由于具有不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可以簡(jiǎn)單地描述為開關(guān)放大器或脈寬調(diào)制(PWM) 放大器,其輸出級(jí)在正電源和負(fù)電源之間切換從而產(chǎn)生一串電壓脈沖。

2021-11-25 關(guān)鍵字: D類放大器音頻系統(tǒng)

具有動(dòng)態(tài)過流檢測(cè)功能的智能門鎖電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)方案

電機(jī)堵轉(zhuǎn)檢測(cè)時(shí)間為100 ms。如果在啟動(dòng)后100 ms內(nèi)電機(jī)電流較高,則電機(jī)驅(qū)動(dòng)將自動(dòng)關(guān)閉。

2021-11-19 關(guān)鍵字: 集成電路IC設(shè)計(jì)智能門鎖

『前沿電容』之陶瓷電容龍虎榜

我們先來盤一盤藏龍臥虎的 Vishay 陶瓷電容,看看里面有哪些“高手”。

2021-11-18 關(guān)鍵字: pcb濾波陶瓷電容

指定支持Wi-Fi?的MCU時(shí)的注意事項(xiàng)

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展趨勢(shì)是在一個(gè)SoC而非多個(gè)離散器件中執(zhí)行更多功能,以精簡(jiǎn)物料清單、降低設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)、減少占用空間。

2021-11-17 關(guān)鍵字: mcu物聯(lián)網(wǎng)wi-fi

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