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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來高成長(zhǎng)契機(jī)

三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來高成長(zhǎng)契機(jī)

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數(shù)據(jù)中心電源客戶已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!光電碳化硅最新進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?半導(dǎo)體在近期發(fā)布的中報(bào)里公開了不少關(guān)于碳化硅業(yè)務(wù)的新進(jìn)展,包括器件產(chǎn)品、客戶導(dǎo)入、產(chǎn)能等信息。 ? 在產(chǎn)能方面,湖南安在職員工1560人,已經(jīng)擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能
2025-09-09 07:31:001631

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、飽和電子漂移速度、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

8KW碳化硅全橋LLC解決方案

Mos管代替上圖中兩個(gè)串聯(lián)的MOS,電平變換器簡(jiǎn)化成傳統(tǒng)兩電平全橋變換器,如下圖。 同時(shí),我們將開關(guān)頻率設(shè)定到160KHz,減小了磁性器件和整個(gè)變換器的體積?! ?KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

的正向損耗小?! ?2)碳化硅功率器件由于具有的擊穿電場(chǎng)而具有的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V?! ?3)碳化硅的熱導(dǎo)率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

了?! 」逃袃?yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展  碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多,如臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近,UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),可以用來制造
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、飽和以及電子漂移速率和擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

精細(xì)化,集成化方向發(fā)展?! ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動(dòng)下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級(jí)。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下,車用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車用電路板穩(wěn)定訂單和毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

明顯優(yōu)勢(shì),可以用來做成耐壓的肖特基二極管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。  03  碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析  肖特基二極管:以金屬為陽極,以N
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

用于一些高壓、高溫、高效率及功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性,開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來,直到
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高開關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

的平行引導(dǎo),整個(gè)封裝的換向電感為15nH?! ∵@使得 SEMITRANS 3 非常適合使用中等開關(guān)速度和高達(dá) 25 kHz 頻率的中功率和功率碳化硅設(shè)計(jì)。全碳化硅半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流為 350A
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

通時(shí)由電容驅(qū)動(dòng)的柵極 - 源極電壓,其源于半橋配置中第二個(gè)碳化硅MOSFET的dv/dt開關(guān)。  硅MOSFET設(shè)計(jì)中在此類問題一般可以通過柵極驅(qū)動(dòng)器和硅MOSFET柵極之間插入一個(gè)阻值電阻,或找到
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

特點(diǎn), 高壓輸入隔離DC/DC變換器的拓?fù)淇梢缘玫胶?jiǎn)化(從原來的電平簡(jiǎn)化為傳統(tǒng)全橋拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式上具有以下明顯的優(yōu)勢(shì):阻斷電壓可以簡(jiǎn)化拓?fù)湓O(shè)計(jì),電路從復(fù)雜電平變?yōu)閮呻娖饺?/div>
2016-08-05 14:32:43

基本半導(dǎo)體第碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有導(dǎo)熱,剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

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碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
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AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

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碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

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功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)相逆變器損耗分析

  相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于開關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

集成:碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”,湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

迎來碳化硅元年”,湖南駛?cè)氚l(fā)展快車道   在化石燃料資源和環(huán)境問題面前,各國(guó)都發(fā)布了“雙碳”計(jì)劃。歐盟各國(guó)決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車,拜登政府也計(jì)劃拿出超過600億美元用于
2022-01-24 14:18:32977

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這個(gè)特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:093880

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第代半導(dǎo)體材料,由于第代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、飽和電子
2023-02-12 15:12:321748

電機(jī)碳化硅技術(shù)的作用與特點(diǎn)

  電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:007613

碳化硅模塊上車濕測(cè)試

碳化硅模塊上車濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始投建
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177

碳化硅功率模組有哪些

讀者的持續(xù)關(guān)注。 一、簡(jiǎn)介 二、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上游 四、碳化硅功率器件設(shè)計(jì) 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng) 01 | 碳化硅功率器件的應(yīng)用 目前市場(chǎng)上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:201105

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

光電擬與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)廠生產(chǎn)碳化硅晶圓

? ? ?? 本報(bào)訊 6月7日,中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體公司光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布:雙方已簽署協(xié)議,擬在中國(guó)重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。同時(shí),光電將在
2023-06-08 19:05:021041

碳化硅賽道持續(xù)火熱 光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億

碳化硅賽道持續(xù)火熱 光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億 在新能源汽車、充電樁、光伏發(fā)電、高壓輸電市場(chǎng)如火如荼之際,光電正持續(xù)加大投入;這次又是超200億。 6月7日晚間,光電
2023-06-08 19:33:051848

光電擬與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)廠生產(chǎn)碳化硅晶圓

6月7日,中國(guó)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)光電與全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布:雙方已簽署協(xié)議,擬在中國(guó)重慶合資建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件制造工廠。同時(shí),光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)
2023-06-09 08:37:421013

?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

光電近日宣布,將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:03381

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:011445

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

光電碳化硅芯片產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域

光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管(sic)和mosfet,可應(yīng)用于800v平臺(tái)。其中,碳化硅(sic)二極管產(chǎn)品經(jīng)過持續(xù)的反復(fù)作業(yè),推出了第四代高性能產(chǎn)品,7種產(chǎn)品通過汽車規(guī)格認(rèn)證
2023-10-12 10:59:552413

光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

光電碳化硅實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)

光電10月23日宣布,旗下湖南安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:041652

新能源車、光伏需求旺盛,碳化硅投資擴(kuò)產(chǎn)迎來熱潮.zip

新能源車、光伏需求旺盛,碳化硅投資擴(kuò)產(chǎn)迎來熱潮
2023-01-13 09:07:123

碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:514542

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:332699

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:494326

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、飽和電子漂移速率和鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646

光電兩大項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn),助力碳化硅產(chǎn)能躍升

光電近期在互動(dòng)平臺(tái)上透露了其重要項(xiàng)目的最新進(jìn)展,顯示公司在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的布局正加速前行。其中,合資公司意法項(xiàng)目與全資子公司重慶項(xiàng)目的建設(shè)均已進(jìn)入穩(wěn)步推進(jìn)階段,預(yù)示著光電碳化硅晶圓市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力將進(jìn)一步增強(qiáng)。
2024-08-02 16:57:211882

碳化硅SiC在光電器件中的使用

。 高熱導(dǎo)率 :SiC的熱導(dǎo)率是Si的倍以上,有助于器件的散熱。 電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 :SiC在高溫下具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,適合于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。 碳化硅光電器件中的應(yīng)用 1. 光電探測(cè)器 碳化硅的寬帶
2024-11-25 18:10:102440

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

。此外,碳化硅電子飽和速度和擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度使其在功率太陽能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風(fēng)力發(fā)電 在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅材料可以用于制造高效率的電力電子轉(zhuǎn)換器。這些轉(zhuǎn)換器在風(fēng)力發(fā)電機(jī)中用于將機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能,并調(diào)
2024-11-29 09:31:191783

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有禁帶寬度、
2025-01-23 17:09:352667

光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線

光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(意法半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn),屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:431263

SDS065J020H3碳化硅二極管,深圳現(xiàn)貨

在新能源汽車充電樁、光伏逆變器、工業(yè)電源等眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域, 碳化硅半導(dǎo)體 正以其優(yōu)異的性能,逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè),光電憑借其完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局和技術(shù)突破
2025-11-05 16:58:29508

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