GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而，隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上
2020-08-04 09:42:34
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Hanebeck表示，“GaN技術(shù)為更節(jié)能、更節(jié)約二氧化碳的脫碳解決方案鋪平了道路。在移動(dòng)充電、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽能逆變器和電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用領(lǐng)域的采用正處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將導(dǎo)致市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)增長(zhǎng)。” 為什么是GaN Systems？ 官網(wǎng)信息顯示，作為一家GaN功率半導(dǎo)體廠商
2023-03-06 07:57:0026151 本期，為大家?guī)淼氖恰妒褂没?GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求，同時(shí)詳細(xì)探討可靠數(shù)據(jù)測(cè)量的最佳做法、GaN 對(duì) EMI 頻譜的影響，以及解決傳導(dǎo)發(fā)射問題的有效方案。
2025-05-24 15:46:004361 
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:065406 
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表征這些功率器件帶來了多重挑戰(zhàn)。本文回顧了GaN半導(dǎo)體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰(zhàn)，以及一些有助于應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的新技術(shù)。
2022-10-19 17:50:341925 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054790 
功率半導(dǎo)體公司GaN Systems宣布，參加IEEE國(guó)際電力電子與應(yīng)用會(huì)議和博覽會(huì)（PEAC）的細(xì)節(jié)。該國(guó)際活動(dòng)專注于電力電子、能源轉(zhuǎn)換和應(yīng)用，將于2018年11月4-7日在中國(guó)深圳舉辦。
2018-10-29 09:59:271713 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。
2020-03-16 15:04:331629 D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術(shù) （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時(shí)提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191412 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:003360 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年1月，美國(guó)GaN初創(chuàng)公司NexGen Power Systems突然被曝人去樓空，工廠被關(guān)閉，據(jù)消息稱該公司在2023年圣誕節(jié)前夕就已經(jīng)破產(chǎn)倒閉。NexGen成立
2024-02-07 00:08:008810 出貨量占功率GaN市場(chǎng)的9%，僅次于GaN Systems。而在這次收購(gòu)之后，此前全球出貨量排名前六的功率GaN廠商已經(jīng)有兩家被大廠并購(gòu)。 ? 功率GaN并購(gòu)邏輯 ? 根據(jù)官方說法，英飛凌收購(gòu)GaN
2024-02-26 06:30:003364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2023年10月，英飛凌成功收購(gòu)GaN Systems，后者是在氮化鎵芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，有著獨(dú)特的技術(shù)和產(chǎn)品積累的公司。英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤
2024-07-25 09:16:014493 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近垂直GaN功率器件又迎來新進(jìn)展。7月10日，廣東致能CEO黎子蘭博士，在瑞典舉辦的全球氮化物半導(dǎo)體頂尖會(huì)議ICNS(國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議)上發(fā)表邀請(qǐng)報(bào)告，首次報(bào)道了廣東致能
2025-07-22 07:46:004783 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005652 受到關(guān)注。因此，這些設(shè)備可能存在于航空航天和軍事應(yīng)用的更苛刻條件下。但是這些行業(yè)對(duì)任何功率器件（硅或GaN）都要求嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，而這正是GaN HEMT所面臨的問題。氮化鎵HEMT與硅
2020-09-23 10:46:20
GaN為何這么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
價(jià)值的市場(chǎng)分析。很難弄明白GaN參與者在開發(fā)過程中所起的作用，因此這些更新信息僅供參考。市場(chǎng)分析結(jié)束后之后，我們接著討論了Ionel Dan Jitaru所做的一個(gè)電力轉(zhuǎn)換性能分析。我并沒有看出它與2013 APEC上提交的論文有多大區(qū)別，但新手們可能已經(jīng)從中受益…
2022-11-16 08:05:34
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
, and isolated power supplies. This compact reference design is intended to control GaN in power
2018-09-21 08:37:53
”就是把手機(jī)收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備。”這個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
圖像生成對(duì)抗生成網(wǎng)絡(luò)ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
。這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)下去，到2020年，LTE用戶數(shù)將達(dá)25億。 移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商面臨著諸多挑戰(zhàn)，一方面要快速擴(kuò)容以支持增量用戶，另一方面則要盡量減少網(wǎng)絡(luò)中斷并降低成本。長(zhǎng)期而言，5G網(wǎng)絡(luò)有望大幅提升
2018-12-05 15:18:26
GAN的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和案例應(yīng)用
2020-04-13 09:34:52
數(shù)字電視市場(chǎng)面臨哪些挑戰(zhàn)我國(guó)是消費(fèi)類電子的制造大國(guó)，據(jù)CCID預(yù)測(cè)，我國(guó)2008年有望成為世界最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品制造國(guó)。同時(shí)作為電視機(jī)的主要制造國(guó)，我國(guó)數(shù)字電視業(yè)也正在厲兵秣馬，只待一觸即發(fā)。任何
2010-03-10 17:03:50
無線通信行業(yè)對(duì)5G市場(chǎng)的愿景和該市場(chǎng)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？BEE7原型設(shè)計(jì)環(huán)境的具體方面和設(shè)計(jì)過程中需要做出的部分利弊權(quán)衡和設(shè)計(jì)決策
2021-05-21 06:09:06
power amplifier simulation, I need a GaN device for that. Please give your suggestions.
2019-01-17 15:55:31
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
更好地處理熱量，其熱導(dǎo)率高達(dá)5 W-cm-1K-1（與硅的1 W-cm-1K-1相比）。但對(duì)于PA 電路級(jí)，這意味著設(shè)計(jì)人員必須在考慮所有其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的同時(shí)考慮散熱問題，而GaN 模型可以提供幫助。從
2018-08-04 14:55:07
GaN電源管理芯片市場(chǎng)將增長(zhǎng)快速
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年
2010-03-25 10:12:471636 
The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ 600-V GaN power
2016-10-17 11:34:43
27 今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了有線電視、移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場(chǎng)。
2016-12-14 02:16:114925 浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒有電流折疊（即沒有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進(jìn)的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:516069 出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)了RF GaN市場(chǎng)，已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構(gòu)中。
2019-05-09 10:25:185447 
ADPA1105: 46 dBm (40 W), 0.9 GHz to 1.6 GHz, GaN Power Amplifier Data Sheet
2021-01-29 10:33:131 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 HMC1087F10：8瓦特佛山Gan MMIC Power Power，2-20 GHz數(shù)據(jù)Sheet
2021-04-23 17:32:115 HMC8205BF10：0.3 Ghz to 6 GHz，35 W，Gan Power Amplififer數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-16 12:52:020 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對(duì)凈零排放挑戰(zhàn)，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。
2021-12-21 13:54:03839 近年來智能快充市場(chǎng)爆火，GaN給智能快充領(lǐng)域帶來不少新機(jī)會(huì)，同時(shí)也進(jìn)入多個(gè)新應(yīng)用場(chǎng)景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充成為行業(yè)內(nèi)廣大廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。
2022-07-14 14:44:101624 GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特性 R DS(on)導(dǎo)致具有較低電容的較小器件。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下運(yùn)行。
2022-08-08 10:04:592610 
CEO進(jìn)一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識(shí)產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2023-01-11 09:55:541224 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216119 
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
2023-07-04 11:47:58660 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:252393 
) 強(qiáng)化GaN Systems作為全球氮化鎵功率器件首選供貨商的領(lǐng)導(dǎo)角色。 實(shí)現(xiàn)具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的開關(guān)及傳導(dǎo)損耗，進(jìn)一步驗(yàn)證氮化鎵功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、光伏、工業(yè)及電動(dòng)車市場(chǎng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。 大幅優(yōu)化
2023-09-28 09:28:32968 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:521104 英飛凌科技集團(tuán)今天宣布，對(duì)GaN Systems Inc.的收購(gòu)已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專業(yè)知識(shí)。已獲得所有必要的監(jiān)管批準(zhǔn)，截至
2023-10-25 14:51:131525 ?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。 英飛凌表示，這家總部位于加拿大
2023-10-26 08:43:521116 的應(yīng)用前景。然而，由于其特殊的材料性質(zhì)，GaN的驅(qū)動(dòng)電路面臨著一些挑戰(zhàn)。為了克服這些挑戰(zhàn)并實(shí)現(xiàn)GaN驅(qū)動(dòng)電路的突破，需要采取一些技術(shù)手段和設(shè)計(jì)技巧。 首先，由于GaN具有較高的開關(guān)速度和能力，因此在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中需要考慮高頻響應(yīng)和快速
2023-11-07 10:21:441826 GaN 如何改變了市場(chǎng)
2023-12-06 17:10:56959 
報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58897 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521229 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281693 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直GaN的GaN層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓
2025-12-04 17:13:20471 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年一月，電子發(fā)燒友網(wǎng)曾報(bào)道專注于垂直GaN器件的美國(guó)GaN IDM初創(chuàng)公司NexGen Power Systems破產(chǎn)倒閉；而在今年3月，另一家位于美國(guó)紐約州的垂直
2024-04-06 00:04:005247 
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