目前，國(guó)內(nèi)外大多數(shù)電力電子功率器件都采用硅基半導(dǎo)體材料，經(jīng)過(guò)幾十年的不斷改良和優(yōu)化，其性能已接近硅材料的理論極限。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料功率器件在各項(xiàng)性能指標(biāo)上較現(xiàn)有硅基功率器件有飛躍性的提升。

憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通和風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年10.9億美元增長(zhǎng)至2027年62.97億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)34%。

三安光電股份有限公司

三安光電股份有限公司成立于2000年，主要從事碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。

三安光電子公司湖南三安作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅垂直產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái)（6英寸），產(chǎn)業(yè)鏈包括長(zhǎng)晶-襯底制作-外延生長(zhǎng)-芯片制備-封裝，2022年碳化硅產(chǎn)能已達(dá)1.2萬(wàn)片/月，二期工程將于2023年貫通，達(dá)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到50萬(wàn)片。

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年，是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。其前身為中原半導(dǎo)體研究所，始建于1970年，至今有50年歷史積淀。

專(zhuān)注于戰(zhàn)略新興半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，已創(chuàng)新性的解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、高壓低導(dǎo)通電阻SiC SBD、MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等。目前已完成從碳化硅功能材料生長(zhǎng)、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)和解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局。

6英寸碳化硅單晶已量產(chǎn)，功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SiC SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn)對(duì)標(biāo)英飛凌，打造從外延、設(shè)計(jì)、制造到封測(cè)的國(guó)內(nèi)平臺(tái)型IDM龍頭。

士蘭微旗下士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，已將SiC MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅(qū)功率模塊上，并已向客戶(hù)送樣，預(yù)計(jì)2023年底形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅芯片的生產(chǎn)能力。

2022年10月，士蘭微籌劃非公開(kāi)發(fā)行募資65億元，募投項(xiàng)目之一便是用于“碳化硅功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”，并在2023年4月26日定增獲上交所審核通過(guò)，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬(wàn)片SiC MOSFET/SBD功率半導(dǎo)體器件芯片的生產(chǎn)能力。

華潤(rùn)微電子有限公司

華潤(rùn)微電子有限公司的成立最早可以追溯到1983年，原四機(jī)部、七機(jī)部、外經(jīng)貿(mào)部和華潤(rùn)集團(tuán)聯(lián)合在香港設(shè)立的香港華科電子公司。目前，公司擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器領(lǐng)域。

華潤(rùn)微早在2020年就深度布局了碳化硅，并于當(dāng)年7月正式向市場(chǎng)投放了1200V和650V工業(yè)級(jí)SiC SBD功率器件產(chǎn)品系列，同時(shí)，其6英寸商用碳化硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)正式量產(chǎn)。

2021年12月，華潤(rùn)微正式推出自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET新品，并推出了第二代650V/1200V SiC JBS產(chǎn)品。2022年，華潤(rùn)微碳化硅器件整體銷(xiāo)售規(guī)模同比增長(zhǎng)約2.3倍，待交訂單超過(guò)1000萬(wàn)元，投片量逐月穩(wěn)步增加。車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET和碳化硅模塊研發(fā)工作進(jìn)展順利，已完成多款SiC MOSFET模塊產(chǎn)品出樣。華潤(rùn)微給2023年寬禁帶半導(dǎo)體的目標(biāo)是整體銷(xiāo)售上億元。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司成立于2011年，是中國(guó)碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅芯片和碳化硅功率器件的研發(fā)與制造，包含各種封裝形式的SiC SBD、SiC MOSFET和碳化硅模塊，并提供應(yīng)用解決方案。

泰科天潤(rùn)的碳化硅功率器件產(chǎn)品規(guī)格范圍覆蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內(nèi)絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、TO268、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶(hù)需求提供其他封裝形式。

公司總部坐落于北京，在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸碳化硅半導(dǎo)體工藝晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。湖南6英寸碳化硅半導(dǎo)體工藝晶圓生產(chǎn)線(xiàn)于2019年動(dòng)工，2021年批量面對(duì)市場(chǎng)。目前，產(chǎn)線(xiàn)正處于擴(kuò)產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)2023年將實(shí)現(xiàn)10萬(wàn)片/年的碳化硅晶圓片產(chǎn)能。

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年，專(zhuān)業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售服務(wù)，主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。

2020年投資約2億元建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，投資建設(shè)年產(chǎn)8萬(wàn)顆車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模組生產(chǎn)線(xiàn)和研發(fā)測(cè)試中心，2022年公司完成定增募資35億元，用于投資IGBT和碳化硅芯片項(xiàng)目等。公司車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊開(kāi)始在海外市場(chǎng)小批量供貨，另外，使用公司自主芯片的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始在主電機(jī)控制器客戶(hù)批量供貨。

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2000年，產(chǎn)品線(xiàn)含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、碳化硅、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等，為客戶(hù)提供一攬子產(chǎn)品解決方案。

揚(yáng)杰科技采取IDM與Fabless并行，多渠道加速碳化硅產(chǎn)能建設(shè)。目前揚(yáng)杰已經(jīng)向市場(chǎng)推出碳化硅模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產(chǎn)品，SiC MOSFET已取得關(guān)鍵性進(jìn)展。

2023年4月20日，揚(yáng)杰投資10億元在江蘇揚(yáng)州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線(xiàn)，規(guī)劃產(chǎn)能5000片/月，后續(xù)擬進(jìn)一步布局6~8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)。揚(yáng)杰科技還通過(guò)投資控股湖南楚微半導(dǎo)體，進(jìn)一步完善了公司在晶圓制造上的核心能力，楚微半導(dǎo)體二期建設(shè)規(guī)劃為新增3萬(wàn)片/月的8英寸硅基芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目和5000片/月的6英寸碳化硅基芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司

深圳基本半導(dǎo)體有限公司成立于2016年，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等。

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車(chē)廠(chǎng)和Tier1電控客戶(hù)的定點(diǎn)，成為國(guó)內(nèi)第一批碳化硅模塊量產(chǎn)上車(chē)的頭部企業(yè)，采用自研芯片的碳化硅功率器件已累計(jì)出貨超過(guò)3000萬(wàn)顆。

2023年4月24日，基本半導(dǎo)體位于深圳的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)順利通線(xiàn)，該產(chǎn)線(xiàn)具備年產(chǎn)1.8萬(wàn)片6英寸SiC MOSFET晶圓的能力，二期計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)至7.2萬(wàn)片，產(chǎn)線(xiàn)達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。

聞泰科技股份有限公司

聞泰科技股份有限公司成立于2006年，是集研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造于一體的產(chǎn)品集成、基礎(chǔ)半導(dǎo)體和光學(xué)企業(yè)，主要為全球客戶(hù)提供手機(jī)、平板、筆電、服務(wù)器、IoT、汽車(chē)電子等終端產(chǎn)品研發(fā)制造，半導(dǎo)體功率器件、模擬芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試，光學(xué)模組的研發(fā)制造服務(wù)。

聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體是全球知名的半導(dǎo)體IDM公司，集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一體，前身是原飛利浦半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部，擁有60多年半導(dǎo)體研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)。

安世半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛用于全球各類(lèi)電子設(shè)計(jì)，豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管、碳化硅二極管、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

安世半導(dǎo)體最近已接連發(fā)布650V碳化硅二極管、首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET、80V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-80SSE等創(chuàng)新產(chǎn)品，這些產(chǎn)品的線(xiàn)性模式性能對(duì)于高效可靠地管理浪涌電流必不可少，更能滿(mǎn)足超高性能、低損耗和高效率的功率半導(dǎo)體需求。

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司成立于2018年，專(zhuān)注于碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。可年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬(wàn)只功率模塊、1800萬(wàn)只功率單管。目前該公司可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。

2023年6月26日，長(zhǎng)飛光纖發(fā)布公告稱(chēng)，公司子公司長(zhǎng)飛先進(jìn)擬投資人民幣60億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目。該項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容包括第三代半導(dǎo)體外延、晶圓制造、封測(cè)等產(chǎn)線(xiàn)，建設(shè)完畢后將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊的能力。

審核編輯：黃飛

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