各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅動碳化硅MOSFET時采用米勒鉗位功能的必要性。
2024-12-19 11:39:12
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本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新
2025-02-19 11:35:41
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。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
的平行引導,整個封裝的換向電感為15nH。 這使得 SEMITRANS 3 非常適合使用中等開關速度和高達 25 kHz 頻率的中功率和高功率碳化硅設計。全碳化硅半橋拓撲結構的額定電流為 350A
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。 (3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇,也是意法半導體的戰略。碳化硅(SiC)技術是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時,碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴,盡管認識到了與硅基產品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優勢,大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關鍵參數解讀 從應用角度來說,在選擇器件時,需要優先考慮器件能否滿足應用要求,然后考慮器件對設備整體性能的提升幅度,綜合這兩個因素,列舉如下二極管的關鍵參數: 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性,開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
2025-06-25 09:13:14
碳化硅已被證明是高功率和高壓器件的理想材料。然而,設備可靠是非常重要的,我們不僅指短期,而且還指長期可靠性。性能,成本和可制造性也是其他重要因素,但可靠性和堅固性是碳化硅成功的關鍵。全世界有超過30
2019-07-30 15:15:17
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件,可以降低驅動器損耗,提高開關頻率,降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅動碳化硅MOSFET時采用米勒鉗位功能
2025-01-04 12:30:36
近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動,碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度,更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
效率方面,相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓,碳化硅即便是在高電壓條件下,一樣可以支持單極操作,因此其功率損失、轉換效率等指針性能的表現,也顯著優于硅組件。目前大功率電力設備
2021-09-23 15:02:11
,在這些環境中,傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源(SMPS)的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后,可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求,碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓撲且具備高效能、高可靠性等明顯優勢,適合應用在中大功率新能源領域。其主要特點如下:碳化硅MOSFET高阻斷電壓(一般大于1000V)能夠簡化拓撲
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向前進。碳化硅器件的這些優良特性,需要通過封裝與電路系統實現功率和信號的高效、高可靠連接,才能得到完美展現,而現有的傳統封裝技術應用于碳化硅器件時面臨著一些關鍵挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
是一個接近正弦半波的波形,它的峰值電流非常高,而次級側并沒有濾波電感,因而需要更大的輸出濾波電容。較大峰峰值電流會增加輸出電容,同時帶來輸出電解電容壽命和可靠性的問題。 2. 碳化硅MOSFET在諧振
2016-08-25 14:39:53
小于5ns; · 選用低傳輸延時,上升下降時間短的推挽芯片。 總之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時,對于驅動器也提出了更高要求,為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級,并能夠監控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品:TDK-Lambda CUS350MP-1000醫療和工業電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:11
2599 多家公司已將 SiC 技術作為其功率器件生產的基礎。此外,幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已經為未來基于 SiC 的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅 (SiC)MOSFET 即將徹底取代硅功率開關;該行業需要能夠應對不斷變化的市場的新驅動和轉換解決方案。
2022-08-09 08:02:07
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電動交通電池管理和充電技術的全球引領者 AMP 公司于近日宣布,將在 AMP 電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。
2022-11-14 10:55:28
742 碳化硅MOSFET器件是一種半導體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各種電子設備,如電源、電路板、電腦、汽車電子系統等。
2023-02-15 16:05:25
1242 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:11
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SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:56
5771 碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET 就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-05-19 11:27:34
1189 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20
1105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
2612 8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-02-28 11:20:02
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SICMOSFET作為第三代半導體器件,以其卓越的高頻高壓高結溫低阻特性,已經越來越多的應用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅動碳化硅MOSFET,發揮SICMOSFET的優勢,盡可能
2022-11-30 15:28:28
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來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:20
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。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對高功率應用優化設計,適用于光伏與儲能系統、電動汽車充電、高電壓DC/DC轉換器、測試設備、不間斷電
2023-07-06 10:35:14
1265 點擊 “東芝半導體”,馬上加入我們哦! 碳化硅(SiC)是第3代半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優越的物理性能,應用前景廣闊。 目前,東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02
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中游器件制造環節,不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發,以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:36
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Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富,提供優異的散熱,極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26
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碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
4326 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效,高
2024-02-21 18:24:15
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英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明,延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31
1151 全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。
2024-03-28 14:37:32
1316 (JFET)以及現在的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關性能中,制造商通常需要在柵極驅動復雜性和所需性能之間進行權衡
2024-05-30 11:23:03
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在全球半導體技術持續革新的浪潮中,碳化硅芯片作為新一代功率半導體器件的核心材料,正逐步成為市場的新寵。近日,半導體制造領域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其碳化硅芯片制造工廠及材料制造工廠均取得了關鍵性的進展,這一里程碑式的成就無疑將進一步鞏固Wolfspeed在碳化硅功率器件領域的領先地位。
2024-06-27 14:33:01
1308 全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術創新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心,實現了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:32
1309 Wolfspeed碳化硅助力實現高性能功率系統
2024-10-24 10:51:36
2 碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:48
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隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,以其優越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:29
1400 中國碳化硅襯底材料從受制于人到實現自主突破的歷程,以及由此對國產碳化硅功率半導體企業的啟示,可以歸納為以下幾個關鍵點:? 一、從壟斷到突破:中國碳化硅材料的逆襲之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:05
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Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的先驅企業,其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務困境與德國30億歐元項目擱淺危機,折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導體產業鏈競爭中
2025-03-31 18:03:08
983 從Wolfspeed破產到中國碳化硅崛起:國產SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產業重構 一、Wolfspeed的隕落:技術霸權崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領域的先驅,Wolfspeed
2025-05-21 09:49:40
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在Wolfspeed宣布破產的背景下,國產碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
2025-06-19 16:43:27
782 亞非拉市場工商業儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩環境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代
2025-06-08 11:13:47
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Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續工作,助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:23
2328 全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產品開啟大規模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業從硅向碳化硅轉型的使命邁出關鍵一步。
2025-09-11 09:12:54
1415 碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品的創新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
2025-09-22 09:31:47
654 Wolfspeed 宣布推出最新的工業級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發,為硬開關應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:13:27
564 作為碳化硅 (SiC) 行業全球引領者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術平臺與 1200V 工業級、1200V 車規級產品系列,重新定義功率半導體器件的性能和耐久性,旨在為高功率應用在實際應用中帶來突破性的性能表現。
2025-12-22 17:32:00
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