01

MOS管導(dǎo)通條件

MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分為增強(qiáng)型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強(qiáng)型的管子是需要加電壓才能導(dǎo)通的，而耗盡型管子本來就處于導(dǎo)通狀態(tài)，加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂埂?/p>

開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，開關(guān)電路用于數(shù)字電路時(shí)，輸出電位接近0V時(shí)表示0，輸出電位接近電源電壓時(shí)表示1。

02

MOS管導(dǎo)通過程

導(dǎo)通時(shí)序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個(gè)時(shí)間段，這四個(gè)時(shí)間段有不同的等效電路。

1、t0-t1：Cgs開始充電，柵極電壓還沒有到達(dá)Vgs(th)，導(dǎo)電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。

2、t1-t2：GS間電壓到達(dá)Vgs(th)，DS間導(dǎo)電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID，Cgs繼續(xù)充電，Vgs由Vgs(th)指數(shù)增長(zhǎng)到Va。

3、t2-t3：MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同，產(chǎn)生Millier效應(yīng)，Cgd電容大大增加，柵極電流持續(xù)流過，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對(duì)Cgs的充電，從而使得Vgs近乎水平狀態(tài)，Cgd電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。

4、t3-t4：至t3時(shí)刻，MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓，Millier效應(yīng)影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，Cgs電容的電壓上升，至t4時(shí)刻為止。此時(shí)Cgs電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài)，DS間電壓也達(dá)最小，MOSFET完全開啟。

審核編輯：劉清