IGBT單管是一種N溝道增強絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源極區，連接到其上的電極稱為源極區。P+區域稱為漏極區。器件的控制區域是柵極區域，連接到其上的電極稱為柵極。通道緊鄰圍欄邊界形成。漏極和源極（形成溝道的地方）之間的P形區域（包括P+和P區域）被稱為子溝道區域。漏極區另一側的P+區稱為漏極注入區，這是IGBT的一個獨特功能區，漏極區和子溝道區一起形成PNP雙極晶體管，它起發射極的作用，向漏極注入空穴，導電調制，并降低器件的導通電壓。連接到漏極注入區域的電極被稱為漏極。

　　IGBT功率模塊采用IC驅動、各種驅動器保護電路、高性能IGBT芯片、新型封裝技術，從復合功率模塊PIM到智能功率模塊IPM、電力電子構建模塊PEBB、功率模塊IPEM。

　　IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進和升級。它們的應用領域基本相同。然而，由于集成了各種驅動和保護電路，IGBT模塊的安裝大大方便了用戶。隨著新封裝技術的采用，IGBT的性能也得到了極大的提高，拓展了IGBT的應用領域。

　　IGBT最常見的形式實際上是模塊，而不是單管。

　　模塊的3個基本功能：

　　1、多個芯片與金屬襯底絕緣；

　　2、中空塑料外殼包裝，與空氣隔離的材料是高壓硅脂或硅脂，以及其他可能的柔性絕緣材料；

　　3、同一制造商，同一技術系列產品，IGBT模塊的技術特點與相同規格的IGBT單管基本相同。

　　該模塊的主要優點如下。

　　1、多個IGBT芯片并聯，IGBT的電流規格更大。

　　2、多個IGBT芯片根據特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以降低外部電路連接的復雜性。

　　3、多個IGBT芯片位于同一金屬基板上，相當于在獨立散熱片和IGBT芯片之間增加了一個蒸汽室，更可靠。

　　4、模塊內的多個IGBT芯片由模塊制造商進行篩選，與商用分立元件相比具有更好的參數一致性。

　　5、模塊中多個IGBT芯片之間的連接優于多個分立單管的外部連接，電路布局更好，引線電感更小。

　　6、模塊的外部引線端子更適合于高電壓和高電流連接。同一制造商的同一系列產品，模塊的最高電壓等級通常會比IGBT單管高1-2級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊具有2500V、3300V甚至更高電壓規格的產品。

　　IGBT的核心技術是單管而不是模塊，而模塊實際上更像是組裝產品和模具的組合和組裝。換言之，IGBT單管是IGBT制造商的核心技術。

　　綜合henlito和百度問答整合

　　審核編輯：郭婷