在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
下面我們就來了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧!1、什么是MOS管?場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
MOSFET種類與電路符號有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。關(guān)于寄生二極管的作用,有兩種解釋:
- MOSFET的寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞MOS管,因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。
- 防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管,也可以在電路有反向感生電壓時(shí),為反向感生電壓提供通路,避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。2、什么是IGBT?IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。
IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號,這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個(gè)二極管都是存在的。
IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的,而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,又稱為FWD(續(xù)流二極管)。判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難,可以用萬用表測量IGBT的C極和E極,如果IGBT是好的,C、E兩極測得電阻值無窮大,則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。3、MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu),如下圖所示:
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn),在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能會慢于MOSFET,因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間,由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長,死區(qū)時(shí)間也要加長,從而會影響開關(guān)頻率。
4、選擇MOS管,還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結(jié)出以下幾點(diǎn):
也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區(qū)域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“?”表示當(dāng)前工藝還無法達(dá)到的水平。
總的來說,MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好,可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz,缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越,其導(dǎo)通電阻小,耐壓高。MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
*免責(zé)聲明:本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn),轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn),不代表對該觀點(diǎn)贊同或支持,如有侵權(quán),歡迎聯(lián)系我們刪除!
北京漢通達(dá)科技主要業(yè)務(wù)為給國內(nèi)用戶提供通用的、先進(jìn)國外測試測量設(shè)備和整體解決方案,產(chǎn)品包括多種總線形式(臺式/GPIB、VXI、PXI/PXIe、PCI/PCIe、LXI等)的測試硬件、相關(guān)軟件、海量互聯(lián)接口等。經(jīng)過二十年的發(fā)展,公司產(chǎn)品輻射全世界二十多個(gè)品牌,種類超過1000種。值得一提的是,我公司自主研發(fā)的BMS測試產(chǎn)品、芯片測試產(chǎn)品代表了行業(yè)一線水平
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2786瀏覽量
76887 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1288文章
4331瀏覽量
262965
發(fā)布評論請先 登錄
詳解LLC開關(guān)電源中MOS管的失效機(jī)制
如何用萬用表1秒?yún)^(qū)分MOS管與IGBT?這個(gè)方法太實(shí)用了!#三極管 #萬用表的使用 #mos管 #IGBT
MOS管到底是什么?和三極管、繼電器有什么本質(zhì)區(qū)別?
增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管之間的區(qū)別
合科泰超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的區(qū)別
100V200V250V MOS管詳解 -HCK450N25L
常用的mos管驅(qū)動方式
MOS管緩啟動電路 NMOS 與 PMOS區(qū)別? #MOS管 #電子 #緩啟動 #米勒平臺 #電源
反向保護(hù)電路:肖特基二極管、MOS管區(qū)別 #電路 #區(qū)別 #電子 #二極管 #mos管
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOSFET與IGBT的區(qū)別
電氣符號傻傻分不清?一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應(yīng)用實(shí)例
詳解:MOS管和IGBT的區(qū)別
評論