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電子發燒友網>模擬技術>在1:5CW轉換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關

在1:5CW轉換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關

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TLC5615串行數模轉換器開關電源的應用   開關電源具有體積小、效率高、重量輕、噪聲低等優點,其應用越來越廣
2009-07-09 14:57:562130

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉換器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉換器--TPS51315 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器
2009-07-28 07:48:391600

開源硬件-PMP10486.1-15V@1A 集成 FET 升壓轉換器 PCB layout 設計

該集成 FET 升壓轉換器使用 TPS55340 控制5V(最低 4.5V)輸入電壓調節為 15V (1A)。該轉換器能夠短時間提供 1.5A pk 負載,并具有出色的瞬態性能以及小外形。
2012-09-25 09:43:36458

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉換器

本章對采用eGaN FET原型設計的全穩壓半磚式供電設備轉換器與類似的MOSFET轉換器進行了比較。與可比的先進商用轉換器相比,eGaN FET原型工作約高出兩倍的開關頻率時,性能可以得以充分發揮。與最接近的商用轉換器相比,其輸出功率可以高出100W。
2013-01-22 16:01:578022

空間限定的集成FET的DC - DC轉換器的介紹

設計指南-空間限定的集成FET的DC - DC轉換器
2018-06-24 03:03:004290

介紹集成FET的DC - DC轉換器

白板向導-空間限定的集成FET的DC - DC轉換器視頻教程
2018-06-26 08:35:005493

具有集成式驅動GaN FET如何實現下一代工業電源設計

應用,實現新型電源和轉換系統。(例如,5G通信電源整流和服務計算)GaN不斷突破新應用的界限,并開始取代汽車、工業和可再生能源市場傳統硅基電源解決方案。? 圖1:硅設計與GaN設計的磁性元件
2022-01-12 16:22:471799

基于GaN的耐輻射DC/DC轉換器可提高關鍵應用的效率

除了顯著提高各種拓撲和功率級別的商用 DC/DC 轉換器的效率外,基于 GaNFET 還表現出對伽馬輻射和單事件效應 (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛星和運載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:413561

電網轉換器采用氮化鎵

工作已經產生了有關 GaN 可靠性和測試的指南。最近,TI 展示了一個完整的 900-V 5-kW 雙向電網轉換器解決方案,該解決方案使用具有集成驅動和保護功能的 GaN FET
2022-07-27 08:03:061236

N分相混合電感電容器開關的應用

操作受益。然而,圖 1 的 Cockcroft-Walton 是一種首選拓撲,因為它提供的開關和電容器電壓應力較小 [6]。 本文將討論三個貢獻。它將通過介紹它們之間的比較并突出它們的優點來初步分析 N 開關分相開關 [6-7] 方案。對于小負載,N
2022-08-04 14:54:572435

48V電源系統GaN FET應用

解決方案需要額外的 IC,這會增加額外的復雜性和挑戰。本文中,作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制,該控制的物料清單數量少,使設計人員能夠像使用硅 FET 一樣簡單地設計同步降壓轉換器,并提供卓越的性能。 眾所周知,與傳統的硅 FET 相比,氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:081408

具有BJT開關反激轉換器參考設計

電子發燒友網站提供《具有BJT開關反激轉換器參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:531

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計

電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510

如何設計具有 COT 的穩定 Fly-Buck? 轉換器 - 1

如何設計具有 COT 的穩定 Fly-Buck? 轉換器 - 1
2022-11-04 09:52:043

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:181078

C2000實時微控制(MCU)應對GaN開關挑戰

與碳化硅(SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益,可幫助減小磁性元件的尺寸。
2023-07-24 14:15:30908

淺談CW32系列模數轉換器(ADC)

CW32系列模數轉換器(ADC)
2023-10-25 15:43:322125

模擬開關充當dc/dc轉換器

用于從正電源生成負直流電壓的傳統 dc/dc 轉換器模塊的低成本替代方案使用低成本四半導體模擬開關和板載系統時鐘(圖1a)。 這種類型的電壓轉換器5V 輸入生成低功耗負偏置電壓。
2023-10-04 18:15:001319

具有集成開關的 LP875761-Q1、3MHz、1V、16A 直流/直流降壓轉換器數據表

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2024-02-28 13:46:480

具有集成開關的四 20A 降壓轉換器LP8764-Q1數據表

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2024-03-25 11:22:000

SOT-23帶有30-V內部FET開關的1.6-MHz升壓轉換器LM27313/-Q1數據表

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2024-04-12 10:59:030

如何在反激式轉換器緩沖FET關斷電壓

上一期,我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流的電壓。現在,我們看一下如何在反激式轉換器緩沖 FET 關斷電壓。
2024-11-04 09:48:041184

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅動、保護和零電壓檢測介紹

LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅動和保護介紹

LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅動和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726

技術資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅動、保護和零電流檢測

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47746

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動GaN FET數據手冊

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動,帶高側電平轉換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:072907

LMG3616 650V GaN功率FET技術解析與應用指南

8mmx5.3mm的QFN封裝,該GaN FET簡化了設計且減少了元件數量。LMG3616 GaN FET具有可編程開啟轉換速率,可提供EMI和振鈴控制。晶體管的內部柵極驅動可調節驅動電壓,以獲得最佳
2025-08-13 14:56:51759

LMG3612 650V GaN功率FET技術解析與應用指南

和保護功能 集成8mm x 5.3mm QFN封裝。LMG3612 GaN FET具有低輸出電容電荷,可減少電源轉換器開關所需的時間和能量。該晶體管的內部柵極驅動可調節驅動電壓以獲得最優GaN
2025-08-13 15:13:49777

Murata MGN1系列3kVAC隔離1W SM GaN柵極驅動DC - DC轉換器技術解析

Murata MGN1系列3kVAC隔離1W SM GaN柵極驅動DC - DC轉換器技術解析 電子工程師的日常設計工作,DC - DC轉換器是不可或缺的關鍵組件,尤其是驅動氮化鎵(GaN
2025-12-18 09:45:03181

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