電源和 DC-DC 轉換器成為可能。在設計研究中，在Traco Power 電源單元的 PFC 階段實現并測量了 GaN 晶體管的使用。對優缺點以及相關的技術問題進行了詳細的研究和描述。 近幾十年來，電力電子領域發展迅速。這主要是由于越來越快的半導體開關，這使得設計更小的用于存儲電能的組件成為可能
2021-10-14 15:33:00
5187 
晶體管開關電路（工作在飽和狀態）在現代電路設計應用中很常見。經典的74LS、74ALS和其他集成電路內部使用晶體管開關電路，但它們只有共同的驅動能力。晶體管開關電路分為兩類，一類是經典的TTL晶體管
2022-11-28 11:00:154216 晶體管開關電路在現在電路設計中十分常見。經典的74LS、74ALS等集成電路內部采用晶體管開關電路，但只有普通的驅動能力。三極管開關電路分為兩大類，一類是經典的TTL三極管開關電路，一類是MOS管開關電路。 這里會介紹有關開關電路的知識，包括 TTL晶體管開關電路，蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器等等。
2023-02-15 09:12:452411 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:2810231 
電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 17:06:382690 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
作者: 德州儀器設計工程師謝涌；設計與系統經理Paul Brohlin導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
一、晶體管開關電路：是一種計數地接通-斷開晶體管的集電極-發射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區和飽和區。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
開關電路的設計，FET開關電路的設計，功率MOS電動機驅動電路，功率MOS開關電源的設計，進晶體管開關電源的設計，模擬開關電路的設計，振蕩電路的設計，FM無線話筒的設計，
2025-04-14 17:24:55
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
型號的晶體管。 5．開關三極管的選用小電流開關電路和驅動電路中使用的開關晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
基于SiC HEMT技術的GaN輸出功率> 250W預匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
和雙極技術。產品型號：IGN1090M800產品名稱： L波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk = 800w @ 128us / 2% / 50v1.090ghz操作頻率
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術。產品型號：IGN2856S40產品名稱：晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
了功率晶體管的性能。如 (1)開關晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術上的簡化， (3)晶體管的復合——達林頓， (4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應晶體管優勢 更好地控制通道 抑制短通道效應 更低的靜態漏電流 更快的開關速度 更高的漏極電流（每個封裝的驅動電流更大） 更低的開關電壓 低功耗 鰭式場效應晶體管缺點 難以
2023-02-24 15:25:29
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
的內部電路中也是采用這種技術。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關速度快，正向壓降比PN結小，準確來說叫做肖特基勢壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來應該
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
） 和芯片照片 （b） 的框圖 圖 8：48 V – 12 V 降壓轉換器中單片 GaN 功率級（綠色）和外部驅動的等效分立 GaN 晶體管（藍色）解決方案之間的效率比較，頻率為 1 MHz（實線
2023-02-24 15:15:04
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
將會導致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導致晶體管損壞?！ ”M管傳統硅晶體管的并聯配置技術已經十分成熟，但對于GaN器件并聯技術研究還鮮有涉及?？紤]到GaN器件驅動的特殊性以及其高速開關
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
電極-發射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
這個晶體管為什么是開關管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
工作于開關狀態的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產生瞬態過電流和瞬態過電壓，這種現象稱為電應力。電應力的本質是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
（是絕緣柵雙極晶體管或 IGBT）作為其主要開關器件，如下所示。 降壓開關穩壓器 降壓開關穩壓器 我們可以看到，降壓轉換器的基本電路配置是串聯晶體管開關TR 1以及相關的驅動電路（使輸出電壓盡可能接近所需
2024-06-18 14:19:42
在復合式晶體管開關中晶體管IGBT的并聯
2009-05-30 21:26:24
2 晶體管輸出驅動電路
2009-01-14 11:53:241688 
晶體管的導通和繼電器的驅動
2009-06-08 23:13:481131 
晶體管驅動電路圖
2009-07-06 14:49:451149 
晶體管開關變換器(buck)電路
如圖是晶體管開關變換器(BUCK)電路，其中晶體管Q為
2009-09-23 18:37:512376 
晶體管開關的作用
（一）控制大功率 現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521462 晶體管的開關作用
(一)控制大功率
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；
2009-11-06 16:58:423970 晶體管高速開關電路是非常實用而又簡單的電路。電子發燒友為您提供了晶體管高速開關電路，希望對您有所幫助！
2011-07-12 09:41:556371 
談逆變電源中開關晶體管IGBT的驅動與保護。
2016-03-30 15:13:0926 晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關。
2017-05-11 15:54:466958 
經過大量實踐檢驗，已被證明安全可靠的硅MOSFET已經成為電源電路設計的中流砥柱，但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術的發展，電源設計的趨勢正逐漸轉向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:376648 
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；（1）容易關斷，所需要的輔助元器件少，（2）開關迅速，能在很高的頻率下工作，
2018-11-26 17:51:2016687 晶體管原理及應用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號
2019-01-16 13:45:164296 晶體管構成的開關電路是把晶體管的截止與飽和當作機械開關的“開和關”來使用的。當晶體管在截止狀態時，Ic為0，相當于開關“斷開”；而在飽和狀態時，由于飽和壓降很小，相當于開關的“接通”。因此，晶體管廣泛用作開關器件，主要用在數字電路中。
2019-11-01 16:44:0115055 
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是,電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度
2020-12-26 04:10:191059 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 工作于開關狀態的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產生瞬態過電流和瞬態過電壓，這種現象稱為電應力。電應力的本質是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2021-03-21 15:40:515302 
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。
2021-03-21 15:43:036509 
) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:022729 
如何高效、安全地驅動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:421 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如
2022-02-09 12:34:232 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應物相比具有多個優勢。
2022-07-29 15:00:302352 器件在處理功率方面仍然存在限制。 然而，當結合使用這些器件（GaN 晶體管）時，工程師不能簡單地從硅 MOSFET 切換到 GaN 器件。 并聯開關裝置和最佳驅動 理想情況下，當使用并聯開關時，所 用器件 的 R DS(on) 需要緊密匹配，以確保靜態電流在晶體管上均勻
2022-08-04 09:35:482219 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:541728 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。
2023-02-03 14:34:204023 
與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。
2023-02-03 14:35:402638 
提高晶體管開關速度的方法可以通過減少晶體管的輸入電容來提高晶體管的開關速度，這可以通過減少晶體管的輸入電容的大小來實現。
2023-02-24 15:54:572318 
晶體管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓的流動。當電流或電壓達到一定的閾值時，晶體管就會從開路狀態轉換到閉路狀態，從而實現開關功能。晶體管的開關功能可以用來控制電路的開啟和關閉，從而實現電路的控制。
2023-02-28 18:10:574009 
功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342034 為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施
2023-06-27 17:51:271142 
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。按晶體管連接方式分為發射極接地（PNP晶體管發射極接電源）和射手跟隨開關電路。
2023-07-03 10:12:185770 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28694 650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:174139 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:222460 
如何提高晶體管的開關速度？
2023-11-27 14:23:471888 
晶體管作為現代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區和飽和區的工作原理。
2023-11-28 11:15:582382 
咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產品里就像是繼電賽跑的選手，開關的速度決定了電子設備的快慢。那么，如何才能提高晶體管的開關速度呢？來一探究竟。如果把晶體管比作一名運動員，要想
2024-04-03 11:54:121518 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景，并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203067 電子發燒友網站提供《GaN晶體管的命名、類型和結構.pdf》資料免費下載
2024-09-12 10:01:200
電子發燒友App
工商網監
評論