在集成電路的設計中，電阻器不是主要的器件，卻是必不可少的。如果設計不當，會對整個 電路有很大的影響，并且會使芯片的面積很大，從而增加成本。

目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。

1、多晶硅電阻

集成電路中的單片電阻器距離理想電阻都比較遠，在標準的MOS工藝中，最理想的無源電阻器是多晶硅條。一個均勻的平板電阻可以表示為：

式中：ρ為電阻率；t為薄板厚度；R□=（ρ/t）？為薄層電阻率，單位為Ω/□；L/W為長寬比。由于常用的薄層電阻很小，通常多晶硅最大的電阻率為100 Ω/□，而設計規(guī)則又確定了多晶硅條寬度的最小值，因此高值的電阻需要很大的尺寸，由于芯片面積的限制，實際上是很難實現(xiàn)的。當然也可以用擴散條來做薄層電阻，但是由于工藝的不穩(wěn)定性，通常很容易受溫度和電壓的影響，很難精確控制其絕對數值。寄生效果也十分明顯。

無論多晶硅還是擴散層，他們的電阻的變化范圍都很大，與注入材料中的雜質濃度有關。不 容易計算準確值。由于上述原因，在集成電路中經常使用有源電阻器。

2、MOS管電阻

MOS管為三端器件，適當連接這三個端，MOS管就變成兩端的有源電阻。這種電阻器主要原理 是利用晶體管在一定偏置下的等效電阻。可以代替多晶硅或擴散電阻，以提供直流電壓降，或在小范圍內呈線性的小信號交流電阻。在大多數的情況下，獲得小信號電阻所需要的面積比直線性重要得多。一個MOS器件就是一個模擬電阻，與等價的多晶硅或跨三電阻相比，其尺寸要小得多。

簡單地把n溝道或p溝道增強性MOS管的柵極接到漏極上就得到了類似MOS晶體管的有源電阻。對于n溝道器件，應該盡可能地把源極接到最負的電源電壓上，這樣可以消除襯底的影響。同樣p溝道器件源極應該接到最正的電源電壓上。此時，VGS=VDS，如圖1（a），（b）所示。

圖1（a）的MOS晶體管偏置在線性區(qū)工作，圖2所示為有源電阻跨導曲線ID-VG S的大信號特性。這一曲線對n溝道、p溝道增強型器件都適用。可以看出，電阻為非線性的。但是在實際中，由于信號擺動的幅度很小，所以實際上這種電阻可以很好地工作。根據公式

其中：K′=μ0C0X。可以看出，如果VDS《（VGS-VT），則ID與VDS之間關系為直線性（假定VGS與VDS無關，由此產生一個等效電阻R=KL/W，K=1/［μ0C0X（VGS-VT）］，μ0為載流子的表面遷移率，C0X為柵溝電容密度；K值通常在1 000～3 00 0Ω/□。實驗證明，在VDS《0.5（VGS-V T）時，近似情況是十分良好的。

圖1（c），（d）雖然可以改進電阻率的線性，但是犧牲了面積增加了復雜度。

用有源電阻得到大的直流電壓需要大的電流，或者遠小于1的W/L比值。可以采用級連的方法克服這一問題即將每一級的G，D與上一級的S相連。這樣可以使W/L接近于1且使用較小的直流電流。

在設計中有時要用到交流電阻，這時其直流電流應為零。圖1所示的有源電阻不能滿足此條 件，因為這時要求其阻值為無窮大。顯然這是不可能的。這時可以利用MOS管的開關特性來實現(xiàn)，如圖3（a）所示。MOS開關的特性近似為直線，沒有直流失調。這時通過控制柵源之間的電壓值就可以得到ΔV為1 V的線性交流電阻。

為了盡可能夸大線性區(qū)并抵消體效應，電阻往往以差動方式成對出現(xiàn)，如圖3（b）所示的一 對差動結構的交流電阻。注意，加到電阻器左邊的是差動信號（V1）；右邊則處于相同電位。

3、電容電阻

交流電阻還可以采用開關和電容器來實現(xiàn)。經驗表明，如果時鐘頻率足夠高，開關和電容的組合就可以當作電阻來使用。其阻值取決于時鐘頻率和電容值。

圖4是一種電阻模擬方法，稱為“并聯(lián)開關電容結構”。在特定的條件下，按照采樣系統(tǒng)理論，可以近似為圖4（b）所示的電阻。其中V1和V2為兩個獨立的直流電壓源，其按照足夠高的速率采樣，在周期內的變化可忽略不計。通過計算可得：

其中，fc=1/T是信號Φ1和Φ2的頻率。

這種方法可以在面積很小的硅片上得到很大的電阻。例如，設電容器為多晶硅多晶硅型，時鐘頻率100 kHz，要求實現(xiàn)1 MΩ的電阻，求其面積。根據式（3）可知電容為10 pF。假設單位面積的電容為0.2 pF/mil2，則面積為50 mil2。如果用多晶硅，取最大可能值100 Ω，并取其最小寬度，那么需要900 mil2。當然在開關電容電阻中除了電容面積外還需要兩個面積極小的MOS管做開關。可以看出，電容電阻比多晶硅電阻的面積少了很多。而在集成電路設計中這是十分重要的，雖然增加了2個MOS管，但與所減少的面積相比是可忽略的。實際上所節(jié)省的面積遠不止此，因為多晶硅條的電阻率很難達到100 Ω/□。當然，利用電容實現(xiàn)電阻還有其他的方法，在此不再贅述。

4、結語

本文集中討論了怎樣在物理層上實現(xiàn)電阻。實際上，MOS工藝在這方面提供了不少方便。這些電阻器可以與其他的元器件一起使用。使用開關和電容模擬電阻，可以減輕漏極電流受漏—源電壓的影響。對于電容電阻器，由于其電阻值與電容大小成反比，因此有效的RC時間常數就與電容之比成正比，從而可以用電容和開關電容電阻準確的實現(xiàn)電路中要求的時間常數；而使用有源器件的電阻，可以使電阻尺寸最小。多晶硅電阻則是最簡單的。在設計中要靈活運用這三種不同的方式。

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