氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統設計人員而設計，在極小的芯片級封裝中，實現?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器
2022-04-08 16:01:44
7120 
和自動駕駛汽車等應用。 EPC公司宣布推出額定電壓為100 V、58 mΩ和脈沖電流為20 A的共源雙路氮化鎵場效應晶體管EPC2221，可用于機器人、監控系統、無人機、自動駕駛汽車和真空吸塵器的激光雷達系統。 EPC2221采用低電感、低電容設計，允許快速開關
2022-04-28 17:59:424972 
宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器
2022-05-17 17:51:114007 
普電源轉換公司?為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。? EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:414156 
功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:439447 GaN晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用EPC的GaN EPC2032進行實驗。 EPC
2021-03-23 16:19:564543 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 面向高功率密度且低成本的DC/DC轉換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 09:16:201841 EPC公司和ADI公司推出參考設計，采用全面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結合，可實現高達2 MHz的開關頻率，從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。
2022-03-16 09:42:381741 
EPC2001C–增強型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結論GaN晶體管與其驅動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現了高電流壓擺率。它還減少了柵極環路電感，以盡可能地降低關閉過程中的柵極應力，并且提升器件的關斷保持能力。集成也使得設計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管，應選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高導熱系數。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時，此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優化散熱增強的行業標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅動。當務之急是找出能生產透明高性能器件的替代材料。 替代導電氧化物
2020-11-27 16:30:52
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優點。它具有良好的性能和廣泛的應用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發射極。晶體管的主要參數晶體管的主要參數包括電流放大因數
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因為輸出晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會導致負反饋下的不穩定。 達林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個大圓圈內連接在一起的一對晶體管元件。互補達林頓或
2023-02-16 18:19:11
（GaN）技術實現比使用傳統硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數，這使得功率晶體管具有非常低的導通電阻（R上），從而最大限度地減少了導通狀態傳導損耗。橫向晶體管結構還實現了極低
2023-02-21 15:57:35
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導體業者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
EPC標簽芯片的面積不足1平方毫米，可實現二進制96（128）字節信息存儲，它的標識容量上限是：全球2.68億家公司，每個公司出產1600萬種產品，每種產品生產680億個。這樣大的容量可以將全球每年
2019-06-21 06:06:31
標準化的產物。4. 按形狀分類根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器中的優勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級GaN IC的框圖和實際芯片照片。將這種單片集成電路的實驗測量效率（如圖8所示）與使用具有相同導通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進行比較，并由uPI半導體uP1966
2023-02-24 15:15:04
的高可靠性，EPC 公司已經宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產品利用 GaN 白光柵材料實現高電子遷移率和低溫系數。該
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
各位前輩可有辦法不用變壓器產生穩定的350V直流電壓？
2011-11-19 14:28:56
進一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術，PTVA127002EV展現出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
關鍵詞 EPC-296x摘 要 EPC-296x 產品上各接口說明及使用方法
2009-11-02 14:51:47
28 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一項易于操控，簡單實用且特別適合用于自動化控制的靈活性應用技術，其所具備的獨特優越性是其它
2010-04-01 17:42:4914017 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發板，這種開發板能使用戶更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管設計產品
2011-08-19 08:51:182974 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 開發板 ，這種開發板能使用戶更方便地使用宜普增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管設計產品。 EPC9005開發板 EPC9005開發板能使用戶更方便地使用
2011-09-28 09:30:241478 宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9003及EPC9006開發板， 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器可幫助工程師簡單
2012-10-12 09:12:491721 日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372188 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124 EPC公司推出全新開發板EPC9083 - 面向無線充電及激光雷達應用、采用200 V eGaN?FET、60 W E 類放大器拓撲，可以在高達15 MHz 頻率下高效地工作。
2017-08-28 11:42:051880 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應商。
2017-10-18 17:22:0712442 宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應用于負載點（POL）轉換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。
2017-12-29 10:40:007190 松下宣布研發出新型MIS結構的Si基GaN功率晶體管，可以連續穩定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
EPC為汽車激光雷達（LiDAR）系統設計的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協會AEC Q101認證。
2019-04-23 14:02:513702 EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達系統更準確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:003619 EPC2152是一個單晶驅動器并配以基于氮化鎵場效應晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專有的氮化鎵集成電路技術的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動器
2020-03-20 09:14:393180 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。
2020-03-20 16:57:445321 ST 發布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN 晶體管，而 ST 決定增加一顆 GaN，實現半
2020-10-30 12:04:45897 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 器件成為研發的重點，相關的應用開發活動也十分活躍。 EPC新近推出的EPC2218增強模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個大趨勢下應運而生的一款性能優異的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:153597 氮化鎵 （GaN） 繼續其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結束，它憑借其功率晶體管進入太空，這是支持極端太空任務的電源和射頻應用的理想選擇。EPC Space 通過其新的 eGaN
2022-07-27 08:03:051298 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:541728 
GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:552235 
是一種高度移動的半導體電子半導體 (HEMT)，被證明在滿足新應用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術無法實現的新應用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
EPC2106是增強型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個 eGaN 功率 FET 集成到單個器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。
2022-08-29 09:15:421289 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 功率晶體管的參數主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數都會影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時，應該根據實際應用來選擇合適的參數。
2023-02-17 14:29:373679 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342034 瞬變電壓抑制二極管選型選用過程中，除了工作電壓之外，重要的參數還有鉗位電壓、擊穿電壓、峰值脈沖電流、功率、封裝、漏電流等等。可見，TVS選型，是一門很大的學問，350V瞬態電壓抑制二極管型號齊全，具體選用哪個料號，還需要根據電路情況和保護需求來定奪！
2022-06-16 18:09:011676 
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:174139 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:222460 
高效功率轉換 (EPC) 宣布推出 EPC9194，這是一款用于 3 相 BLDC 電機驅動逆變器的參考設計。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V，可提供高達 60 Apk (40 A
2023-11-02 16:43:461916 參考設計，可在 14V 至 60V 的輸入電源電壓范圍內工作，并提供高達 60A 的電流PK公司(40安培有效值) 輸出電流。該電壓范圍和功率水平使該解決方案成為各種三相 BLDC 電機驅動器的理想選擇，包括電動
2023-11-14 16:53:022021 。EMC的主要目標是防止不同設備或系統之間的電磁干擾（EMI）和互操作性問題。 與EMC密切相關的是EPC，EPC即是開放式產品技術規范（Electronic Product Code），是一種應用于全球
2024-02-04 15:40:2012744 近日，EPC Space宣布與全球領先的電子元件和服務分銷商——安富利(Avnet)簽署了一項重要的分銷協議。根據協議，安富利將成為EPC Space耐輻射氮化鎵(GaN)功率器件系列的全球分銷商，這批產品主要服務于衛星和高可靠性應用領域。
2024-04-09 14:18:251232 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景，并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203067 電子發燒友網站提供《GaN晶體管的命名、類型和結構.pdf》資料免費下載
2024-09-12 10:01:200
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