引言

　　在由N溝道增強型MOS場效應管組成的分壓-自偏壓共源放大電路中，由于所選用場效應管的性能參數不同，在理論計算中要考慮多項因素而導致理論計算復雜、繁瑣，并且難以理解。本文以某一型號N溝道增強型MOS場效應管組成的分壓-自偏壓共源放大電路為例，進行靜態、動態和溫度特性分析，并且與理論計算結果對比，得出分壓-自偏壓共源放大電路的Multisim電路仿真分析方法。

　　1 分壓-自偏壓共源放大電路工作原理

　　由N溝道增強型MOS場效應管組成的分壓-自偏壓共源極放大電路如圖1所示。輸入電壓Ui加在場效應管Q1的柵極G和源極S之間，輸出電壓U。從漏極D和源極S之間得到。因為輸入、輸出回路的公共端為場效應管的源極S，所以稱其為共源級放大電路。靜態時，為了使場效應管Q1能夠正常工作，必須在柵-源極之間加上大小適當的偏壓，通常利用靜態漏極電流IDQ在源極電阻RS上產生的壓降來獲得靜態偏置電壓UGSQ=-IDQRS，稱其為自給柵偏壓放大電路，簡稱自偏壓放大電路。同時柵極電壓也能由VDD經過電阻R1，R2分壓后提供，即場效應管的靜態偏置電壓UGSQ由分壓和自偏壓共同決定，UGSQ=VGQ-VSQ，因此稱其為分壓-自偏壓共源放大電路。尤其對于增強型MOS場效應管，由于不能形成自偏壓，所以通常采用分壓-自偏壓共源放大電路形式。圖中柵極電阻RG用于提高電路的輸入電阻Ri，源極電阻RS既能利用IDQ在其上的壓降為柵極提供偏壓UGSQ，也有利于穩定靜態工作點，旁路電容C3起到消除RS對交流信號的衰減。當UGS大于場效應管的開啟電壓UT，并且漏源極電壓UDS>VGS-UT時，N溝道增強型MOS場效應管工作在恒流區，實現放大作用。

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　　2 靜態分析

　　圖1中所選用的N溝道增強型MOS場效應管Q1的性能參數如下：

　　跨導gm=0.42 ms，開啟電壓UT=4 V，UGS=2UT時，漏極電流IDO=0.45 mA。其他元件參數如圖1所示。根據圖1所示輸入回路可得到：

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　　使用Multisim仿真軟件選擇信號源V1、直流電壓源VDD、場效應管Q1、電阻、電容、模擬示波器等創建分壓-自偏壓共源放大電路仿真分析電路，如圖2所示。

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　　選擇Simulate菜單中的Analysis命令，然后選擇DC Operation Point子命令，在彈出的對話框中的Output Variables選項卡中選擇1，3，4節點即場效應管的柵極G、漏極D、源極S作為仿真分析節點，單擊Simulate按鈕，得到分析結果，如圖3所示。

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　　可見，靜態分析仿真的分析結果與理論計算數值非常接近。

　　3 動態分析

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　　使用Multisim仿真軟件，選擇Sireulate菜單中的Analysis命令，然后選擇AC Operation Point子命令，單擊Simulate按鈕，得到幅頻特性分析和相頻特性分析結果，如圖4，圖5所示。由圖4，圖5可見，輸入信號頻率在10 Hz～1 MHz范圍內，N溝道增強型MOS場效應管應用電路的幅頻特性和相頻特性均穩定、工作正常。由圖4可見，Au(dB)≈-6.8 dB，與理論計算值相符。

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　　使用MuItisim仿真軟件，選擇虛擬雙蹤示波器Oscilloscope，CH1，CH2信道分別接入電路輸入、輸出信號，示波器運行后顯示輸入、輸出波形，如圖6所示。由圖6可見，輸出波形電壓幅值Votop=42.041 mV，Vitop=19.250 mV，電壓放大倍數

，與理論計算值-2.10相差很小。可見，動態分析仿真的分析結果與理論計算數值基本相符，仿真圖形清晰明了、易于理解。

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　　4 溫度特性分析

　　使用Multisim仿真軟件，選擇Simulate/Analysis/Temperature Sweep Analysis/Transient Analysis命令，環境溫度分別設置為0℃，60℃，120℃，180℃，觀察輸出電壓的瞬態變化，如圖7所示。由圖7可見，當環境溫度分別為0℃，60℃，120℃時，輸出波形不隨溫度改變;當環境溫度為180℃時，輸出波形幅度有微小改變。這說明場效應管的性能受溫度的影響很小，只有在環境溫度非常高時對其性能有微小的影響。

　　5 結語

　　針對不同性能參數的元件，通過運用Multisim軟件中龐大的元器件庫和虛擬儀器儀表以及各種完善的分析方法，用仿真數據及曲線直觀地描述分壓-自偏壓共源放大電路的靜態、動態及溫度特性，總結出研究N溝道增強型MOS場效應管組成的分壓-自偏壓共源放大電路的方法。