飛思卡爾半導體公司 （NYSE:FSL）日前宣布推出在一個器件中滿足兩個增益級要求的新型兩級低噪聲放大器（LNA），提供跨多個頻段覆蓋范圍，以簡化無線基站設計。

　　隨著支持LTE的器件數量不斷增加，以及日前網絡頻段配置的細化，需要采用支持多種品牌和協議的解決方案來支持器件解決消費組網需求問題。飛思卡爾通過其新型兩級LNA滿足了這些需求，在消除對額外增益級需求的同時，保持低噪音和高增益的最佳組合。

　　飛思卡爾的MML09212H和MML20242H兩級LNA提供了0.52和0.57 dB的噪聲系數，分別為低頻段頻率展現37.5 dB 增益，為高頻段頻率展現34 dB增益。LNA在多個頻段和協議之間提供覆蓋范圍（包括LTE和WCDMA），使無線基站OEM能夠實現通常由兩個不同的器件實現的增益功能，并且跨越無線網絡頻譜和頻段配置。

　　飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Ritu Favre表示：“對于無線基站提供商來說，集成可以在多個接口上使用的多個解決方案是一個充滿挑戰的過程。我們的新型LNA提供了單一的緊湊型解決方案，避免了對于補充放大器的需求，支持LTE和WCDMA等常用接口，并幫助設計者縮短開發時間，并更加高效地準備下一代網絡，為大量涌入的LTE用戶提供支持。”

　　這一新型兩級LNA提供高整體三階輸出截取點（OIP3），在溫度變化時可實現低失真并提高穩定性。這一緊湊型解決方案采用小型3 mm封裝，幫助設計者減少其總體芯片數量并節省板卡空間。這些器件的設計旨在支持無線基站的接收器要求，包括從femto到macro基站的處理能力，并支持廣泛的無線接口，包括LTE和WCDMA/CDMA。

　　定價和供貨

　　兩種器件目前都已大量供貨。評估套件和其他支持工具也已上市。如需了解樣件和定價信息，請聯系當地飛思卡爾銷售辦事處或飛思卡爾授權經銷商。如需了解更多信息，請訪問 www.freescale.com/RFMMIC

　　飛思卡爾半導體公司： 基站應用的領導者

　　飛思卡爾提供端至端的芯片解決方案，適用范圍從femtocell到macrocell（宏蜂窩）基站應用，包括Airfast射頻功率解決方案、QorIQ Qonverge SoC和射頻 GaA MMIC。飛思卡爾是在無線基站中使用的硅射頻LDMOS功率晶體管的世界領先提供商，并于近期宣布推出了Airfast 28 V AFT26HW050GS LDMOS晶體管，專門面向寬瞬時帶寬microcell/metrocell LTE應用而設計。飛思卡爾還擁有多項與GaAs有關的專利，是首家基于GaAs技術開發器件的公司。