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　　賽威科技(SiFirst Technology)繼在離線式(AC/DC)小功率充電器領(lǐng)域推出驅(qū)動MOSFET的SF5920系列之后，近期又推出兩款全新的驅(qū)動功率BJT的PSR架構(gòu)芯片SF6010和SFL658。其中，SF6010適用于充電器領(lǐng)域，可以實現(xiàn)30mW的超低待機功耗和小于±5%的高精度恒壓恒流(CV/CC)特性; SFL658適用于小功率LED照明領(lǐng)域，可以實現(xiàn)小于±4%的高精度恒流。賽威這次發(fā)布的PSR控制器SF6010和SFL658分別采用新穎的“多模式控制”和“智能短路保護”技術(shù)，大大提高了系統(tǒng)可靠性。

　　眾所周知，原邊反饋(PSR)控制架構(gòu)由于其可省去傳統(tǒng)反激架構(gòu)中的光耦和輔助元件而成為小功率充電器領(lǐng)域的主流架構(gòu)。近年來，驅(qū)動功率BJT的PSR架構(gòu)由于其系統(tǒng)成本低，因而受到了電源廠家和LED照明驅(qū)動廠家的青睞。然而由于功率BJT的耐壓比功率MOSFET要低，在極端情況下諸如短路或這過載時容易發(fā)生擊穿現(xiàn)象從而導致系統(tǒng)損壞。

　　賽威科技這次發(fā)布的SF6010和SFL658采用了專利的 “多模式控制”和“智能短路保護”技術(shù)，克服了目前驅(qū)動BJT的PSR技術(shù)的缺陷，大大提高了系統(tǒng)的可靠性。賽威科技IC研發(fā)總監(jiān)林官秋指出：目前的模擬類PSR系統(tǒng)大都采用PFM控制，PFM控制的好處是其優(yōu)異的EMI性能。然而在小功率充電器領(lǐng)域，純粹PFM架構(gòu)容易導致變壓器發(fā)生飽和現(xiàn)象，從而導致系統(tǒng)在過載時損壞。賽威發(fā)布的SF6010和SFL658采用“多模式”控制，通過在滿載附近采用PWM+PFM控制，從而防止變壓器發(fā)生飽和現(xiàn)象，大大提高了系統(tǒng)可靠性。林官秋還指出，傳統(tǒng)PFM架構(gòu)的PSR系統(tǒng)在短路時，容易發(fā)生頻率“誤觸發(fā)”現(xiàn)象，一方面容易導致系統(tǒng)短路功耗大，另一方面容易導致功率管電壓沖高而炸機，尤其是在LED照明領(lǐng)域。當LED進行板端短路測試時，功率BJT由于其耐壓值相對較低，從而相對于功率MOS更容易發(fā)生炸機現(xiàn)象。賽威科技這次發(fā)布的SFL658徹底解決了這個問題，通過采用專利的“智能短路保護”技術(shù)，自動檢測識別系統(tǒng)短路情況，同時采用多種手段降低短路功率管的短路沖高電壓，測試結(jié)果表明采用“智能短路保護”能夠使系統(tǒng)短路時功率管的沖高電壓至少降低100V以上，從而大大提高了系統(tǒng)可靠性。

　　SF6010內(nèi)部恒壓比較器參考電壓精度為+/1%，因而可以實現(xiàn)±5%的高精度恒壓。同時SF6010還內(nèi)置線損補償(cable drop compensation)， 并且無需外部環(huán)路補償電容，降低了系統(tǒng)成本。SF6010用在充電器領(lǐng)域時，可以實現(xiàn)30mW的超低待機功耗，達到“五星級”充電器標準。SFL658適用于LED照明領(lǐng)域， 包括小功率GU10和PAR燈應(yīng)用。SF658內(nèi)部恒流比較器參考電壓誤差為+/1%，為業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最高精度。同時SFL658還采用了專利的恒流控制與修正技術(shù)，結(jié)合內(nèi)置的系統(tǒng)恒流點溫度補償功能，可以實現(xiàn)量產(chǎn)4%的恒流精度。此外，SF6010和SFL658還集成了諸多完善的保護，諸如軟啟動保護，VDD過壓保護，輸出過壓保護，管腳浮空保護等等，這些保護功能大大提高了系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化了系統(tǒng)性能。SF6010和SFL658提供SOT23-5封裝。