LED知識大全(原理，分類和LDE特性表)

一、LED歷史

　　LED是英文light emitting diode(發(fā)光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料, 置于一個有引線的架子上,然后四周用環(huán)氧樹脂密封,即固體封裝,所以能起到保護內(nèi)部芯 線的作用,所以LED的抗震性能好。

50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產(chǎn)生光線的基本知識,1962年,通用電氣 公司的尼 克何倫亞克(NickHolonyakJr.)開發(fā)出第一種實際應用的可見光發(fā)光二極管。

最初LED用作儀器儀表的指示光源,后來各種光色的LED在交通信 號燈和大面積顯 示屏中得到了廣泛應用,產(chǎn)生了很好的經(jīng)濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈 為例,在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈 作為光源,它產(chǎn)生2000流明的白 光。經(jīng)紅色濾光片后,光損失90%,只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中,Lumileds 公司采用了18個紅色LED光源,包括電路損失在內(nèi),共耗電14瓦,即可產(chǎn)生同樣的光效。 汽車 信號燈也是LED光源應用的重要領域。

　　二、LED芯片的原理：

　　 LED(LightEmittingDiode),發(fā)光二極管,是一種固態(tài)的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架 上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成, 一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電 子。但這兩種半導體連接起來的時候,它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用 于這個晶片的時候,電子 就會被推向P區(qū),在P區(qū)里電子跟空穴復合,然后就會以光子的 形式發(fā)出能量,這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的 材料決定的。

　　三、LED芯片的分類：

　　1.MB芯片定義與特點 定義：MetalBonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品。 特點： (1)采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底,散熱容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。 (3)導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4倍),更適 應于高驅(qū)動電流領域。 (4)底部金屬反射層,有利于光度的提升及散熱。 (5)尺寸可加大,應用于Highpower領域,eg:42milMB。

　　2.GB芯片定義和特點 定義：GlueBonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品。 特點： (1)透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底,其出光功率是傳統(tǒng)AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。 (2)芯片四面發(fā)光,具有出色的Pattern圖。 (3)亮度方面,其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。 (4)雙電極結構,其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。

　　3.TS芯片定義和特點 定義：transparentstructure(透明襯底)芯片,該芯片屬于HP的專利產(chǎn)品。 特點: (1)芯片工藝制作復雜,遠高于ASLED。 (2)信賴性卓越。 (3)透明的GaP襯底,不吸收光,亮度高。 (4)應用廣泛。

　　4.AS芯片定義與特點 定義：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力,***LED光 電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售 處于成熟的階段,各大公司在此方面的研發(fā)水平 基本處于同一水平,差距不大。 大陸芯片制造業(yè)起步較晚,其亮度及可靠度與***業(yè)界還有一定的差距,在這里我們所 談的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。 特點： (1)四元芯片,采用MOVPE工藝制備,亮度相對于常規(guī)芯片要亮。 (2)信賴性優(yōu)良。 (3)應用廣泛。

　　四、發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類

　　1.LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP
　　2.VPE：VaporPhaseEpitaxy(氣相磊晶法)GaAsP/GaAs
　　3.MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有機金屬氣相磊晶法)AlGaInP、GaN
　　 4.SH：GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
　　5.DH：GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure(雙異型結構)GaAlAs/GaAs
　　6.DDH：GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure(雙異型結構)GaAlAs/GaAlAs

　　五、LED芯片組成及發(fā)光

　　LED晶片的組成：主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的 若干種組成。

　　LED晶片的分類： 1、按發(fā)光亮度分： A、一般亮度：R、H、G、Y、E等 B、高亮度：VG、VY、SR等 C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等 D、不可見光(紅外線)：R、SIR、VIR、HIR E、紅外線接收管：PT F、光電管：PD

　　2、按組成元素分： A、二元晶片(磷、鎵)：H、G等 B、三元晶片(磷、鎵、砷)：SR、HR、UR等 C、四元晶片(磷、鋁、鎵、銦)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

　　3.LED晶片特性表：

　　 LED晶片型號　　發(fā)光顏色　　組成元素　　波長(nm)
　　　SBI　　　　　　藍色　　　　lnGaN/sic　　430

　　　HY　　　　　超亮黃色　　　AlGalnP　　　595

　　　SBK　　　　　較亮藍色　　　lnGaN/sic　　468

　　　SE　　　　　　高亮桔色　　　GaAsP/GaP　　610

　　　DBK　　　　　較亮藍色　　　　GaunN/Gan　470

　　　HE　　　　　　超亮桔色　　　　AlGalnP　　　620

　　　SGL　　　　　青綠色　　　　　lnGaN/sic　　　502

　　　UE　　　　　　最亮桔色　　　　AlGalnP　　　620

　　　DGL　　　　　較亮青綠色　　　　LnGaN/GaN　　505

　　　URF　　　　　最亮紅色　　　　　AlGalnP　　　　630

　　　DGM　　　　較亮青綠色　　　　　lnGaN　　　　　523

　　　E　　　　　　　桔色　　　　　　　　GaAsP/GaP　　635

　　　 PG　　　　　　　純綠　　　　　　　　GaP　　　　555　　　

　　　　R　　　　　　　　紅色　　　　　　　GAaAsP　　655

　　　　SG　　　　　　　標準綠　　　　　　　　GaP　　　560

　　　　　SR　　　　　　較亮紅色　　　　　　　GaA/AS　　660

　　　　　G　　　　　綠色　　　　　　　　　　　GaP　　　　565

　　　　　HR　　　　　超亮紅色　　　　　　　　GaAlAs　　　　660

　　　　VG　　　　　　　較亮綠色　　　　　　　GaP　　　　　　　565

　　　　　UR　　　　　　　最亮紅色　　　　　　GaAlAs　　　660

　　　　UG　　　　　　　　最亮綠色　　　　　AIGalnP　　　　　574

　　　H　　　　　　　　　　高紅　　　　　　　　GaP　　　　　　　697

　　 　Y　　　　　　　　　黃色　　　　　　　　GaAsP/GaP　　　　585

　　　HIR　　　　　　　　紅外線　　　　　　GaAlAs　　　　　　　850

　　　VY　　　　　　　較亮黃色　　　　　　GaAsP/GaP　　　　　　585

　　　SIR　　　　　　紅外線　　　　　　　　　　GaAlAs　　　　　　　880

　　 　UYS　　　　最亮黃色　　　　　　　　　AlGalnP　　　　　　　　587

　　　VIR　　　　　　紅外線　　　　　　　　GaAlAs　　　　　　　　　940

　　　UY　　　　　　最亮黃色　　　　　　　　AlGalnP　　　　　　　　595

　　　IR　　　　　　　紅外線　　　　　　　　　GaAs　　　　　　　　　940