電路顯示150kHz非隔離電源,用于使用現(xiàn)成組件將36V72V輸入轉(zhuǎn)換為5V輸出。與傳統(tǒng)的單晶體管正激轉(zhuǎn)換器相比,所示的雙晶體管設(shè)計(jì)采用了較低電壓的MOSFET,并提供了變壓器互損和漏電能量的無(wú)損恢復(fù)。
2019-04-25 09:12:11
晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
周圍溫度在25oC以上時(shí),或者因晶體管自身發(fā)熱元件溫度上升時(shí),需要降低SOA的溫度。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關(guān)于元件溫度的詳細(xì)計(jì)算方法,請(qǐng)參照
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中,分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
; 晶體管,本名是半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié),外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用,應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39
使用FIFO時(shí),與手動(dòng)讀取相比噪聲較小。問題的原因是什么以及如何降低噪音?當(dāng)我從FIFO讀取它們時(shí),為什么它們給我的噪音更小?謝謝你, Sharmila以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi, I am
2019-02-28 07:45:14
MRF151G射頻晶體管產(chǎn)品介紹MRF151G報(bào)價(jià)MRF151G代理MRF151G咨詢熱線MRF151G現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MRF151G是設(shè)計(jì)用于寬帶
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào):MRF154產(chǎn)品名稱:射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特,30兆赫的特性-輸出功率=600瓦,功率增益=17分貝(Typ),效率
2018-08-07 17:17:34
:MRF422產(chǎn)品名稱:硅雙極晶體管MRF422產(chǎn)品特性指定的28伏,30 MHz的特點(diǎn):輸出功率= 150瓦(PEP),效率= 40%,小增益= 10分貝。互調(diào)失真@ 150瓦特(PEP)- IMD
2018-10-09 12:10:05
的13.5分貝增益55%在3.5 GHz的漏極效率100%射頻測(cè)試螺栓法蘭標(biāo)準(zhǔn)件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和260°C回流兼容?NPT2020產(chǎn)品詳情:NPT2020是一個(gè)寬帶晶體管優(yōu)化DC - 3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
產(chǎn)品名稱:低噪音放大器QPA2626產(chǎn)品特性頻率范圍:17 - 22 GHz噪聲系數(shù):1.3分貝(典型值)小信號(hào)增益:25分貝(典型)功率:20 dBm(典型)IM3:- 55 dBc(典型)(功率
2018-06-28 09:20:27
的0.25um GaN-on-SiC生產(chǎn)工藝制造。這是強(qiáng)大的5W的共源共柵LNA的輸入功率從0.03到3 GHz 17db典型增益和1.2分貝噪聲系數(shù)。理想的寬帶通信應(yīng)用在國(guó)防和商業(yè)市場(chǎng)。16引腳3x3的包
2018-07-27 11:26:50
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TGA2618-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:16 - 18 GHzNF:2.3分貝小信號(hào)增益:28分貝回波損耗:> 10分貝Output P1dB: 6 dBmPSAT = 10
2018-07-04 09:48:21
TGF2022-12 KU波段晶體管產(chǎn)品介紹TGF2022-12報(bào)價(jià)TGF2022-12代理TGF2022-12咨詢熱線TGF2022-12現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-07-18 11:51:59
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報(bào)價(jià)TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號(hào): TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:10:10
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號(hào): TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:11:32
SOT-89封裝使用鎳鈀金鍍層消除錫晶須的可能性。產(chǎn)品型號(hào): TQP3M9008產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9008產(chǎn)品特性50到4000 MHz20.6分貝增益@ 1.9 GHz1.3分貝
2018-11-14 15:17:10
流和電壓。該裝置是裝在一個(gè)綠色的/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝。產(chǎn)品型號(hào): TQP3M9041產(chǎn)品名稱:低噪音放大器TQP3M9041產(chǎn)品特性2.3 - 6 GHz工作帶寬超低噪聲,0.33分貝
2018-07-04 11:31:28
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替,MFR151管子能用哪個(gè)來代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
`內(nèi)容簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
本電路是只用一只晶體管的簡(jiǎn)易溫度遙測(cè)儀,他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù),用AM短波收音機(jī)接收。實(shí)現(xiàn)溫度遙測(cè)。
2021-05-06 06:19:30
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝,也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi),容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術(shù))嚴(yán)格來說,晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件,包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 (IC) 邏輯一起使用,以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 (LED) 顯示器和其他小負(fù)載。 與使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比,達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘,從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
,出于實(shí)際原因,保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要。 如前所述,實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小,漏極和源極之間的距離
降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱耍矫?/div>
2023-02-24 15:25:29
創(chuàng)作時(shí)間:2020-11-17目錄:1.使用MOS管作為開關(guān)控制的應(yīng)用2.單晶體管負(fù)載開關(guān)3.MOS管說明,什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例,采用PMOS進(jìn)行開關(guān)控制,且如何看懂
2021-10-29 08:39:45
`簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路,小型
2017-06-22 18:05:03
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
出現(xiàn)了一個(gè)問題,從PCMI808獲取的數(shù)據(jù)一直再跳,用(LP = 20log(Prms/pref))這個(gè)公式換算出來的音量一直在100分貝到144分貝,偶爾也會(huì)有90多分貝、10多分貝。用示波器測(cè)試
2024-10-11 07:13:37
的360 o內(nèi)可用。那么我們?nèi)绾卧O(shè)置晶體管的Q點(diǎn)偏置呢?–使用通常稱為基極偏置的過程可實(shí)現(xiàn)晶體管的正確偏置。但是在開始研究可能的不同晶體管偏置方式之前,首先讓我們想起一個(gè)基本的單晶體管電路及其電壓和電流
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A:首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管,加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B:漸漸降低電壓,到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài),故該產(chǎn)品為合格。C:如果繼續(xù)降低基極電壓,不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
:首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管,加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B:漸漸降低電壓,到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài),故該產(chǎn)品為合格。C:如果繼續(xù)降低基極電壓,不能完全保持ON狀態(tài),而向OFF狀態(tài)
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
噪音降低0~20分貝。同一管徑壁越厚,同一壁厚管徑越大,降低噪音效果越好。如DN200管道,其壁厚分別為6.25、6.75、8、10、12.5、15、18、20、21.5mm時(shí),可降低噪音
2020-12-10 16:15:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
LDO就是一個(gè)運(yùn)算放大器加一個(gè)晶體管。運(yùn)算放大器使用兩個(gè)參考點(diǎn) — 一個(gè)是內(nèi)部帶隙基準(zhǔn),另一個(gè)是輸出端的電阻分壓電路。在穩(wěn)壓過程中,電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的電壓值向運(yùn)算放大器提供與帶隙基準(zhǔn)相比較的反饋。比較
2022-01-20 07:46:56
用于隔離柵雙極性晶體管(IGBT)的富士混合IC 驅(qū)動(dòng)器使用說明
介紹:隔離柵雙極性晶體管(IGBT)正日益廣泛地應(yīng)用于小體積,低噪音,高特性的電源,逆變器,不間斷電源(UPS
2009-01-21 13:41:30
21
簡(jiǎn)單晶體管收音機(jī)原理圖
2008-07-04 14:57:16
8348 
單晶體管、80W、50甚高頻放大器電路圖
2009-04-08 09:22:09
2127 
單晶體管鋸齒波發(fā)生器電路圖
2009-07-01 11:40:28
1065 
如何測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:51
1924 
單晶體管實(shí)驗(yàn)操作振蕩器
采用以值2N366
2009-09-12 11:33:13
925 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:53
4989 高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么
具有高速電子移動(dòng)率、低噪音特性、高fr(斷開頻率)等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導(dǎo)本
2010-03-01 11:12:07
4420 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:05
6815 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成,它是利用電流來控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:46
6586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:30
14825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:51
4129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 如何制作單晶體管FM接收機(jī)(英文)Build A One Transistor FM Radio
Schematic diagram for the Original One Transistor FM Radio
2010-03-09 15:43:49
2356 
低噪音放大器,低噪音放大器是什么意思
低噪音放大器 低噪音放大器是一類特殊的電子放大器,主要用于通訊系統(tǒng)中將接收自天線
2010-03-10 16:56:19
1034 晶體管收音機(jī)制作入門教程 本書主要內(nèi)容是介紹簡(jiǎn)單晶體管收音機(jī)的制作和調(diào)整方法。包括各種二極管收音機(jī),直接放大式單管機(jī)、二管機(jī)、三管機(jī)和四管機(jī)等,另外簡(jiǎn)單介紹了晶體管收音機(jī)整流電源.
2011-02-26 17:27:01
882 圖1中的簡(jiǎn)單晶體管測(cè)試儀可以判斷出晶體管的類型,并且能幫助檢測(cè)出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被測(cè)晶體管三個(gè)端子T1、T2和T3之間流過的各種可能電流方向的
2012-03-28 18:02:54
2216 
這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個(gè)單一的設(shè)備和它的外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個(gè)單一的偏置電阻網(wǎng)絡(luò)組成的兩個(gè)單晶體管;電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨(dú)的組件,將它們集成到一個(gè)單一的設(shè)備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:34
14 單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規(guī)則、周期排列的一種固體狀態(tài)。而整個(gè)物體是由許多雜亂無(wú)章的排列著的小晶體組成的,這樣的物體叫多晶體。
2017-12-08 17:21:04
127356 斯坦福研究人員開發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”(1T1R)單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒有晶體管的存儲(chǔ)單元,能夠提供極大好處。
2018-01-23 17:23:59
7500 
本文主要介紹了晶體管測(cè)試儀電路圖大全(CD4022/雙極晶體管/NE555時(shí)基電路圖詳解)。通過簡(jiǎn)單晶體管測(cè)試儀可以判斷出晶體管的類型,并且能幫助檢測(cè)出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被
2018-03-20 09:06:19
26046 
單晶體管FM接收機(jī)(英文),One Transistor FM Receiver by MPF102
關(guān)鍵字:單晶體管FM接收機(jī)
One
2018-09-20 19:14:19
2020 附圖電路是只用一只晶體管的簡(jiǎn)易溫度遙測(cè)儀,他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù),用AM短波收音機(jī)接收。實(shí)現(xiàn)溫度遙測(cè)。
2018-09-25 09:10:00
2873 
使用超再生無(wú)線電接收商用FM電臺(tái)的想法可以在互聯(lián)網(wǎng)上的不同位置找到。由于電路很小,實(shí)驗(yàn)室訪客可能會(huì)給人留下深刻的印象,尤其是兒童。但圖1中所示的基本單晶體管電路存在缺陷;更好的電路是本設(shè)計(jì)理念的主題。
2019-08-07 16:40:46
2826 
,克服之前吹風(fēng)范圍小,風(fēng)流低的問題,同時(shí)也降低噪音,至于怎么降低噪音,正弦波無(wú)刷電機(jī)又有何優(yōu)勢(shì)呢?下面看看什么是正弦波,如何降低噪音? 貫流風(fēng)機(jī)無(wú)刷電機(jī)中采用電子換向技術(shù),其本質(zhì)是“倒裝式
2019-09-20 19:50:31
5443 本文首先闡述了晶體管的概念,其次介紹了晶體管的優(yōu)越性,最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:12
13941 碳化硅材料半導(dǎo)體,雖然隨著技術(shù)的發(fā)展,目前碳化硅成本下降很多,但是據(jù)市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)同類型的硅材料與碳化硅材料的半導(dǎo)體器件價(jià)格相差十倍有余。碳化硅
單晶體可以制作
晶體管(二極
管和三極
管)。因?yàn)樘蓟璧慕?/div>
2020-07-10 11:20:06
2598 LT3062:45V VIN,微功耗,低噪音,200 mA LDO數(shù)據(jù)表
2021-05-13 15:08:24
0 低噪音電纜、F46絕緣低噪音電纜、耐輻照低噪音電纜、低電容低噪音電纜、水聽器電纜、水密低噪音電纜等多種型號(hào)規(guī)格的電纜。 電纜中產(chǎn)生噪音的原因有: 1)介質(zhì)本身內(nèi)部分子摩擦; 2)電纜電容的改變; 3)電纜介質(zhì)的壓電效應(yīng); 4)電纜
2022-03-29 11:42:20
3485 單晶體管正激轉(zhuǎn)換器
2022-11-14 21:08:00
1 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46
2023-02-07 19:26:11
0 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV26_BCV46
2023-02-08 18:44:27
0 帶有外部晶體管驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)單RC濾波器可抑制LDO噪聲。噪聲密度與頻率的關(guān)系圖顯示,濾波器抑制LDO噪聲超過46dB,并實(shí)現(xiàn)了7nV/√Hz的本底噪聲。
2023-02-09 15:47:54
1637 
PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46-Q
2023-02-09 21:22:55
0 許多需要精確控制時(shí)間的電子電路都使用晶體振蕩器。下圖所示的僅使用一個(gè)基于NAND柵極的CMOS 4011的簡(jiǎn)單晶體振蕩器。電阻R1將柵極偏置為線性區(qū)域,電容C2和C3分壓形成Colpitt振蕩器。
2023-04-08 10:02:46
2504 
EMI是一種有害的電磁信號(hào),它從外部滲透到電子電路中,電磁感應(yīng)、靜電耦合或傳導(dǎo)是產(chǎn)生電磁干擾的原因。本文的重點(diǎn)是如何正確設(shè)計(jì)電子解決方案來幫助工程師“降低噪音”,限制汽車和工業(yè)應(yīng)用中的電磁干擾,讓這類干擾不再是問題。
2023-05-06 11:43:18
2474 
(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)和沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 晶體管是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因?yàn)樗芤詷O低的單位成本被大規(guī)模生產(chǎn)。 1947年12月,美國(guó)貝
2023-05-16 11:06:20
3183 晶體管收音機(jī)是一種簡(jiǎn)單而有趣的技術(shù)小玩意,它改變了我們聽音樂的方式。為了放大微弱的無(wú)線電信號(hào)并將其作為可聽聲音傳輸,它使用單個(gè)晶體管。本文將解釋單晶體管收音機(jī)的電路原理圖并解釋其工作原理。
2023-08-01 15:01:07
8624 
頻譜分析儀在測(cè)量過程中常常會(huì)受到噪音的干擾,這會(huì)影響到測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。為了降低噪音的影響,可以采取以下措施:
2023-08-23 15:52:07
2303 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:00
9546 1月8日消息,日本豐田合成株式會(huì)社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
1363
已全部加載完成
評(píng)論