宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。 全球行業領先供應商
2022-05-17 17:51:11
4007 
宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。 全球行業領先供應商宜
2022-06-01 10:22:414156 
總的來說，場效應晶體管可區分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2022654 場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:004991 在半導體器件的講解中，場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:044112 
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 `功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管的K值得問題：在研究學習楊建國老師的負反饋和運算放大器基礎這本書的時候，發現有一道題的一個參數不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
和PNP型晶體三極管引腳對應圖。（2)．場效應晶體管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。場效應晶體管道放大系數是（跨導gm）當柵極電壓改變一伏時能
2019-03-28 11:37:20
`一、場效應晶體管特點場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業，場效應晶體管一直被譽為開關電路的“神器”，那是因為場效應晶體管具有噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成等優點，所以在開關電路中迅速走紅， 可是一提起場效應晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-06-18 04:21:57
場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場效應晶體管特點（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；（2）場效應管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
`場效應晶體管在運用時除了留意不要使主要參數超越允許值外，對于絕緣柵型場效應晶體管還應特別留意由于感應電壓過高而形成的擊穿因素。場效應晶體管在運用時應留意以下幾點：1、場效應晶體管在運用時要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選用功率
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機H橋驅動電路方案.doc詳細講解MOSFET管驅動電路.doc場效應晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應管
2019-08-11 22:46:35
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 07:46:37
`電子元器件行業有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助，但是一些剛入電子行業的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談，到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯系？這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
,和場效應晶體管一樣，具有放大作用和開關特性的，是電子設備中的核心器件之- -，應用十分廣泛。三極管和場效應晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不-樣，普通三極管是電流控制器件，二場效應晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中，以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應晶體管的參數，大家都是一籌莫展，因為場效應晶體管的參數有很多，其中包括直流參數、交流參數和極限參數等，但普通運用時只需關注
2019-04-04 10:59:27
`隨著便攜式電子產品的興盛，人們的生活發生看翻天覆地的變化，然而這一切都與電子元器件行業的兩位領軍人物有著不可分割的關系，那就是三極管與場效應晶體管，他們深受電子行業的鐘愛，三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
我想了解互補場效應晶體管點火和只用一個場效應晶體管點火與 PWM 的區別？
2024-05-21 07:24:48
開關。其應用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設備、高端網絡、汽車等。 鰭式場效應晶體管代表鰭狀場效應晶體管。鰭片，因為它有一個鰭狀體——形成晶體管主體的硅鰭片區分了它。場效應，因為
2023-02-24 15:25:29
場效應晶體管在芯片中的作用講起：開關電源芯片就是利用電子開關器件如晶體管、場效應晶體管、閘流管等，通過控制電路，使電子開關器件不停地“接通”和“關斷”，讓電子開關器件對輸入電壓進行脈沖調制，維持穩定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28
1. 場效應晶體管開關電路學習過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發射極之間的電流；而場效應晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
`我們常接觸到場效應管，對它的運用也比較熟習，相對來說對場效應晶體管就陌生一點，但是，由于場效應晶體管有其共同的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱動搖性好等，在我們的運用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-03-21 16:48:50
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應晶體管一樣，具有放大作用和開關特性的，是電子設備中的核心器件之一，應用十分廣泛。三極管和場效應晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器件
2019-03-27 11:36:30
的使用也比較熟悉，相對于場效應晶體管就比較陌生了，但是，由于場效應晶體管有其獨特的優點，深受電子行業的青睞，例如輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的電子產品生產使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-03-26 11:53:04
六大訣竅著手。二、場效應晶體管選擇的六大訣竅1、溝道類型選擇好場效應晶體管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道場效應晶體管。在典型的功率應用中，當一個場效應晶體管接地，而負載連接到干線電壓上時，該場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
穿場效應晶體管（TFET）的工作原理是帶間隧穿，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作電壓可以進一步地降低。如下圖中的虛線所示，在比較小的柵電壓
2018-10-19 11:08:33
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 3DJ7 型硅N 溝道耗盡型低頻場效應晶體管
2010-03-24 09:22:3790 MOS場效應晶體管使用注意事項: MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下
2009-03-11 22:22:501219 功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
2009-04-25 16:05:1010826 
場效應晶體管
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511
VMOS功率場效應晶體管光敏繼電器電子圖
2009-06-03 15:44:351433 
MOS場效應晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應
2009-09-05 15:17:181525 
結型場效應晶體管是什么?
結型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:134030 絕緣柵場效應晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531671 
光電池-VMOS功率場效應晶體管光敏繼電器電路圖
2010-03-31 17:15:501512 
場效應晶體管放大器
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應
2010-04-16 10:08:575587 
場效應晶體管開關電路
場效應晶體管（簡稱場效應管）有結型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應管作為開關器件應用類似
2010-05-24 15:26:0612209 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。
2011-08-18 09:53:103871 電子專業單片機相關知識學習教材資料——場效應晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業單片機相關知識學習教材資料——場效應晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應晶體管及其應用
2017-09-21 11:21:2429 用于射頻（RF）放大器的包絡跟蹤（ET） 并不是一個全新的概念，但隨著我們需要移動電話具備更長的電池壽命、基站需具備更高電源效率，以及昂貴的射頻傳送器需要實現更大輸出功率，使用包絡跟蹤來 改善射頻
2017-11-23 06:31:14464 
本文從基本結構、工作原理、應用研究三個方面介紹了有機場效應晶體管。
2018-01-03 14:20:4430188 
隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4534291 
TP65H050WS 650V，50MΩ氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一種通常關閉的器件。它結合了最先進的高壓氮化鎵HEMT和低壓硅MOSFET技術，提供了卓越的可靠性和性能。通過更低的柵極電荷、更低的交叉損耗和更小的反向恢復電荷，TransphormGan提供了比硅更高的效率。
2019-07-15 08:00:001 功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:3113045 
MOSFET的類型很多，按導電溝道可分為P溝道和N溝道；根據柵極電壓與導電溝道出現的關系可分為耗盡型和增強型。功率場效應晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 10:33:2910005 
功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930043 
TPH3206PSB 650V，150mΩ氮化鎵（gan）場效應晶體管是一種常關器件。它結合了最先進的高壓 GaN HEMT和低壓硅MOSFET技術，提供了卓越的可靠性和性能。Transphorm GaN通過降低柵極電荷、降低交叉損耗和減小反向恢復電荷，提供了比硅更高的效率。
2019-10-16 08:00:000 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數載流子在電場
2020-03-23 11:03:1813926 
場效應晶體管（FET）簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0522 用于射頻（RF）放大器的包絡跟蹤（ET） 并不是一個全新的概念，但隨著我們需要移動電話具備更長的電池壽命、基站需具備更高電源效率，以及昂貴的射頻傳送器需要實現更大輸出功率，使用包絡跟蹤來 改善射頻
2020-09-18 10:45:002 場效應晶體管根據其結構的不同分類，體管（金屬氧化物半導體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結型場效應晶體管與絕緣柵型場效應晶體管。
2020-09-18 14:08:4410167 結型場效應晶體管原理與應用。
2021-03-19 16:11:1727 TP90H050WS，900V，50m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一種常閉器件，結合了低電壓具有業界領先的閾值電壓的硅MOSFET增強的魯棒性和抗噪性，以及市場上最可靠的耗盡模式GaN FET。
2022-03-31 14:46:111 TP90H180PS 900V 165m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一個正常關閉的設備。Transphorm GaN FET提供更好的性能通過更低的柵極電荷和更快的開關來提高效率速度和更小的反向恢復費用，提供與傳統硅（Si）器件相比具有顯著優勢。
2022-03-31 14:50:492 TPH3206PSB 650V，150m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一個正常關閉的設備。它結合了最先進的高科技電壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 14:51:3310 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一款使用Transphorm第四代平臺的常閉設備。它結合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114 TP65H035BS 650V，35m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管增強模式常關設備。TransphormGaN FET通過更低的柵極電荷提供更好的效率，更快的切換速度和更小的反向恢復充電，與傳統充電相比具有顯著優勢硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:3813 CRF24010是一種無與倫比的碳化硅（SiC）射頻功率金屬半導體場效應晶體管（MESFET）。碳化硅具有優越性與硅或砷化鎵相比的性能，包括更高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和導熱系數。SiC MESFET具有更高的效率和更大的功率與硅和砷化鎵晶體管相比，具有更高的密度和更寬的帶寬。
2022-07-23 11:53:590 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
2023-02-19 14:32:393123 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:232247 場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。
2023-05-17 15:15:379724 
功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。
2023-07-05 14:57:191096 
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區域的載流子發生漂移，從而改變電流的導通狀態。
2023-09-28 17:10:464280 【科普小貼士】什么是結型場效應晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:442130 
場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關和調制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關鍵特性
2023-12-08 10:27:082625 場效應晶體管是一種常用的半導體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:542596 氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
2024-07-05 09:20:011589 
場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點，在電子技術領域得到了廣泛的應用。 一
2024-08-01 09:13:202426 結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其特點在于通過改變外加電場來調制半導體溝道中的電流，從而實現
2024-08-15 16:41:422885 結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應晶體管（N-Channel Field-Effect Transistor，簡稱N溝道
2024-10-07 17:28:001707 在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
2024-09-23 18:18:241695 電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071126 
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13779 
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