JFET的操作
JFET:結(jié)型場效應(yīng)晶體管
(1)在N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管(圖3-3(a))中,當(dāng)在漏極和源極之間施加電壓時,電子從源極流向漏極。
(2)當(dāng)在柵極和源極之間施加反向偏壓時,耗盡層擴大并抑制(1)中的電子流動。(使電子流動的路徑變窄)
(3)如果柵極和源極之間的反向偏壓進(jìn)一步增加,耗盡層就會阻塞通道,電子流動停止。
如上所示,施加在柵極和源極之間的電壓控制著漏極和源極之間的狀態(tài)。所以場效應(yīng)晶體管是電壓驅(qū)動的器件。

圖3-3(a)N溝道JFET的符號和操作

圖3-3(b)P溝道JFET的符號和操作
注:電流方向與電子流動方向相反。耗盡層的拓寬機理與二極管相同。
審核編輯:湯梓紅
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