摘要：這兩年，化合物半導(dǎo)體的發(fā)展得到國(guó)家的大力支持，化合物半導(dǎo)體具有高的電子遷移率，高的反向擊穿電壓等特性，在移動(dòng)終端上得到廣泛的應(yīng)用。而創(chuàng)建化合物半導(dǎo)體的器件模型，供集成電路設(shè)計(jì)者用于設(shè)計(jì)復(fù)雜集成電路，是集成電路代工廠的關(guān)鍵技術(shù)之一?；衔锂愘|(zhì)PN結(jié)，則是組成HBT的最基本結(jié)構(gòu)，有必要系統(tǒng)地分析、創(chuàng)建PN結(jié)的電路仿真模型。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，基于Si制程的PN結(jié)數(shù)學(xué)模型已經(jīng)完善，但缺乏對(duì)化合物半導(dǎo)體的異質(zhì)PN結(jié)模型的相關(guān)著述?；赟i制程的數(shù)學(xué)模型，應(yīng)用到砷化鎵制程，并用Verilog-A實(shí)現(xiàn)電路仿真模型的創(chuàng)建。最后，給出對(duì)應(yīng)模型參數(shù)的提取方法，確保模型DC特性、RF特性的仿真結(jié)果跟實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)高度一致。通過對(duì)砷化鎵制程的PN結(jié)測(cè)量、建模，可以得出該Verilog-A模型的正確性、通用性。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體器件模型；集成電路；PN結(jié)；Verilog-A模型；化合物半導(dǎo)體

中圖分類號(hào)：（O475）????? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

引言

近年來，我國(guó)大力發(fā)展化合物半導(dǎo)體的制造技術(shù)。跟Si制程的BJT、CMOS相比，由于GaAs制程的HBT pHEMT具有高的電子遷移速率，高的擊穿電壓等特性，被廣泛用來設(shè)計(jì)移動(dòng)終端的PA、LNA。

PN結(jié)是半導(dǎo)體器件最基本的結(jié)構(gòu)，是組成晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等半導(dǎo)體器件的基本單元。因此，對(duì)化合物半導(dǎo)體的異質(zhì)PN結(jié)的電性能特性的測(cè)量和建模就尤為重要。

本文的從PN二極管的物理結(jié)構(gòu)、電特性測(cè)量、器件模型及其參數(shù)優(yōu)化，最后到模型的比對(duì)展開，論述一個(gè)半導(dǎo)體器件建模的整個(gè)過程。

器件的數(shù)學(xué)模型，科學(xué)家們做了大量的研究，同時(shí)還在不斷維護(hù)升級(jí)器件模型，使器件模型與不斷升級(jí)的半導(dǎo)體工藝相匹配。不同的半導(dǎo)體制程，比如Si、GaAs、GaN等，PN結(jié)的模型僅僅是模型參數(shù)上的差別。因此，在模型參數(shù)的提取上，通常的做法是通過建模軟件來調(diào)整參數(shù)，使得仿真曲線和測(cè)量曲線重合?？紤]到二極管的數(shù)學(xué)模型的相對(duì)比較簡(jiǎn)單，本文將采用建模上的常規(guī)做法提取參數(shù)，順便簡(jiǎn)單介紹數(shù)學(xué)分析的提取手段。

最后，是器件的數(shù)學(xué)模型到電路仿真模型的實(shí)現(xiàn)，本文采用語法靈活的Verilog-A語言來描述。并總結(jié)二極管建模過程中所需要經(jīng)歷的一般步驟。

1、PN結(jié)電性能測(cè)量

1.1???DC特性

使用半導(dǎo)體分析儀，測(cè)量PN結(jié)的正向和反向DC特性。

圖1、二極管的DC IV曲線

1.2 RF特性

使用半導(dǎo)體分析儀和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀組成的高頻測(cè)量環(huán)境，測(cè)試CV曲線。

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置固定頻率110MHz，半導(dǎo)體分析儀掃偏壓-2~1.45V；得到一組S_vs_V數(shù)據(jù)，轉(zhuǎn)換成Y_vs_V，再經(jīng)過數(shù)學(xué)變換: Zd=-2/(Y12+Y21)，得到Zd_vs_V阻抗-偏壓曲線，如下：

圖2、二極管的Zd_vs_V/阻抗-偏壓曲線

從圖（2）可以得出，Zd的實(shí)部出現(xiàn)負(fù)值，等效為一個(gè)負(fù)電阻，這表明該P(yáng)N結(jié)反向偏壓的時(shí)候，在勢(shì)壘區(qū)發(fā)生量子隧穿效應(yīng)[1]，即電子會(huì)越過勢(shì)壘形成負(fù)電阻。

在結(jié)電容提取上，由于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻率為110MHz，Zd的虛部近似為純電容，因此有：imag(Zd)=-1/(2*PI*freq*C)，經(jīng)過換算可以得到C_vs_V曲線，作圖如下：

圖3、二極管的CV曲線，對(duì)數(shù)坐標(biāo)表示

2、數(shù)學(xué)模型

圖4、小信號(hào)等效電路

其中，DIODE為內(nèi)部本質(zhì)二極管(Intrinsic diode)；二極管的結(jié)電容由Cs、Cd組成。Ls、Rs為引線的寄生電感、寄生電阻。另，根據(jù)DUT的測(cè)試結(jié)構(gòu)，二極管還存在一組對(duì)地電容Cp，上述變換過程得知，測(cè)量的RF CV曲線是由π型網(wǎng)絡(luò)的Y12，Y21轉(zhuǎn)換得來的，這組對(duì)地電容Cp對(duì)CV曲線不產(chǎn)生影響。

2.1 DC數(shù)學(xué)模型[2]

Id=:

其中：

Is: saturation current(leakage current);
? ? ? ? N: emission coefficient(1≤N≤2);
? ? ? ? BV: Breakdown voltage;
? ? ? ? $vt=K * T/q;
? ? ? ? Ibv=Is * BV / $vt;

2.2 RF數(shù)學(xué)模型[2]

關(guān)于結(jié)電容的模型，采用電量Q來描述。

當(dāng)Vd＜Fc*Vj時(shí)：

當(dāng)Vd≥Fc*Vj時(shí)：

其中：
? ? ? ? ? ? ? Vj: Junction potential

? ? ? ?M: Grading coef
? ? ? ?Fc: Forward bias junct parm
? ? ? ?Fcp = Fc * Vj;

3、模型參數(shù)提取

DC參數(shù)提取

二極管開啟電壓附近，對(duì)數(shù)坐標(biāo)表示的IV曲線是線性的，在這個(gè)線性區(qū)，Id的最后兩項(xiàng)Is和Vd*Gmin對(duì)Id的貢獻(xiàn)忽略不計(jì)，如圖（4）；因此，DC模型可以近似為：

兩邊取自然對(duì)數(shù)，則有：

ln(Id)=ln(Is)+Vd/(N*$vt)

得到一條新的曲線，從線性區(qū)的斜率可以提取到N，把線性區(qū)延伸到Vd=0的軸，可以提取Is。

接著，在大電流區(qū)域，做Rs的提取。

而建模上的做法是調(diào)整模型參數(shù)值，使得模型曲線和測(cè)量曲線重疊。如圖:

圖5、參數(shù)提取

4、電路仿真模型創(chuàng)建

Verilog-A主要是描述組成電路網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)以及分支的電壓和電流之間關(guān)系。圖（4）的等效電路模型，要實(shí)現(xiàn)Verilog-A描述，除了本質(zhì)二極管外，還需解決電阻，電感，電容元件。電阻性元件：V=R*I；電感性元件：V=L*ddt(I)；電容性元件：I=C*ddt(V)。前兩種是寄生參數(shù)的等效元件，為理想元件。但二極管的節(jié)電容C不再是一個(gè)常量，而是偏置電壓Vd的函數(shù)，因此，要用電量Q來表示，即：I=ddt(Q)。

且有：

Q=Qs+Qd；

其中：

Qd由渡越時(shí)間參數(shù)決定：Qd=Tt * Id。從PN結(jié)的阻抗特性上看，渡越時(shí)間參數(shù)Tt貢獻(xiàn)了一個(gè)負(fù)電阻，即PN結(jié)反向偏壓的時(shí)候，電子的量子隧穿效應(yīng)引起的[1]。

當(dāng)Vd＜Fc*Vj時(shí)：

上式，令?

則，v=Vj*(1-u)，有，=>

當(dāng)Vd≥Fc*Vj時(shí)：

上式積分部分，令?

則，? ，有? ? ，

即：

根據(jù)上述公式，二極管的Verilog-A模型描述如下：

`include "disciplines.vams"
`include "constants.vams"
?
module PN_DIODE(anode, cathode);
?????? inout anode, cathode;
?????? electrical anode, cathode;
??????
?????? parameter real Area = 2; ????? //Area scaling factor
?????? parameter real Is = 1.2e-15; //Saturation current [A]
?????? parameter real Rs = 0.66;? ?? //Series resistance [Ohm]
?????? parameter real Ls = 170e-12; // Series inductance[H]
?????? parameter real N = 1.80;??? ?????? //Ideality
?????? parameter real Tt = 1.2e-10; ?????? //Transit time [s]
?????? parameter real Cjo = 2.3e-14;? //Junction capacitance [F]
?????? parameter real Vj = 1.06;????? //Junction potential [v]
?????? parameter real M = 0.336;??? ???? //Grading coef
?????? parameter real Fc = 0.99;????? //Forward bias junct parm
?????? parameter real BV = 25.45;?? //Breakdown Voltage
?????? parameter real Gmin = 1.4e-9;????? //minimum junction conductance
??????
?????? real Vd, Id, Qd, Ibv;
?????? real f1, f2, f3, Fcp;
??????
?????? electrical in1, in2;
??????
?????? analog begin
????????????? f1 = (Vj/(1 - M))*(1 - pow((1 - Fc), (1 - M)));
????????????? f2 = pow((1 - Fc), (1 + M));
????????????? f3 = 1 - Fc * (1 + M);
????????????? Fcp = Fc * Vj;
????????????? Ibv = Is * BV / $vt;
?????????????
????????????? Vd = V(in1, cathode);
????????????? Id = I(in1, cathode);
?????????????
????????????? // Intrinsic diode
????????????? if (Vd < -5 * N * $vt) begin
???????????????????? if (Vd == -BV)
???????????????????? I(in1, cathode) <+ -Area * Ibv;
???????????????????? else if (Vd > -BV)
??????????????????????????? I(in1, cathode) <+ -Area * Is + Vd * Gmin;
??????????????????????????? else
??????????????????????????? I(in1, cathode) <+ -Area * Is * (exp( -(Vd + BV) / $vt) - 1 + BV / $vt);
????????????? end
????????????? else
????????????? I(in1, cathode) <+ Area * Is * (exp(Vd? / (N * $vt)) - 1) + Vd * Gmin;
????????????? // Capacitance (junction and diffusion)
????????????? if (Vd <= Fcp)
???????????????????? Qd = Tt * Id + Area * Cjo * Vj * (1 - pow((1 - Vd / Vj), (1 - M)))/(1 - M);
????????????? else
???????????????????? Qd = Tt * Id + Area * Cjo * (f1 + (1 / f2) * (f3 * (Vd - Fcp) + (0.5* M / Vj) * (Vd + Fcp) * (Vd - Fcp)));
????????????????????
???????????????????? I(in1, cathode) <+ ddt(Qd);
???????????????????? V(in2, in1) <+ I(in2, in1) * Rs;
???????????????????? V(anode, in2) <+ Ls * ddt(I(anode,in2));
??????????? end
endmodule

5、總結(jié)

本文中論述的是二極管的小信號(hào)模型，適用于半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)以及金屬半導(dǎo)體組成的肖特基PN結(jié)。另外，論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的Base和Collector材料組成的異質(zhì)結(jié)。

參考文獻(xiàn):

[1] 劉恩科朱秉升羅晉生，半導(dǎo)體物理學(xué)[M]。電子工業(yè)出版社。
[2] Antognetti, Massobrio. model based on P-N junction theory[J].
[3] Franz Sischka, IC-CAP Modeling Handbook[M]. Agilent Technologies.

作者：邱文忠、李建勛、黃宏達(dá)，福聯(lián)集成電路有限公司

作者簡(jiǎn)介

1，邱文忠、男、1984年出生于福建省莆田市；廈門大學(xué)本科學(xué)歷，電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)畢業(yè)、中級(jí)電子工程師職稱，從事砷化鎵制程PDK開發(fā)工作。
2，李建勛、男、1961年出生于福建省晉江市；浙江大學(xué)本科學(xué)歷，半導(dǎo)體器件專業(yè)畢業(yè)、高級(jí)電子工程師職稱，從事砷化鎵制程開發(fā)工作。
3，黃宏達(dá)、男、1968年出生于***彰化縣；國(guó)立中山大學(xué)電機(jī)工程碩士學(xué)歷，專長(zhǎng)在CMOS工藝開發(fā)、器件設(shè)計(jì)；曾從事晶圓代工、設(shè)計(jì)服務(wù)、EDA軟件。目前負(fù)責(zé)砷化鎵HBT pHEMT工藝開發(fā)。

附錄：

文章的創(chuàng)新點(diǎn)自述：完整論述了一個(gè)器件的建模過程，對(duì)器件的模型創(chuàng)建、參數(shù)提取有參考意義。