砷化鎵晶圓的材料特性

砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導體貴族”之稱，是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。

砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產生芯片崩裂現象，使芯片的晶體內部產生應力損傷,導致產品失效和使用性能降低。

砷化鎵晶圓的應用

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，可用于生產二極管、場效應晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。

目前，基于砷化鎵襯底的led發光芯片在市場上有大量需求。

選刀要點

切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當極易造成晶片碎裂，導致成品率偏低。用極細粒度金剛石（4800#，5000#）規格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進行修刀。

案例實錄

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測試目的

1、對比測試

2、驗證切割品質

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材料情況

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修刀參數

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工藝參數

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樣刀準備

SSTYE 5000-R-90-AAA

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樣刀規格

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測試結果

1、刀痕良好，＜18μm，在控制范圍內。

2、正面崩邊＜3μm。

3、背面崩邊＜15μm，在控制范圍內。

切割效果（滑動查看更多圖片）

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