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電子發燒友網>RF/無線>220GHz無源三倍頻器設計詳細講解

220GHz無源三倍頻器設計詳細講解

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2023-12-20 14:47:451038

HDSF系列三倍頻電源發生的原理操作

通過施加倍頻電源裝置,以提高繞組間絕緣的試驗電壓,從而達到耐壓試驗的目的。HDSF三倍頻電源發生是為滿足上述要求而設計制造,經過廣大用戶使用證明:其操作簡單、性
2024-08-08 17:31:401079

外部倍頻器將LMX2820的工作頻率擴展至44GHz

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2024-09-06 10:24:080

DL-T848.4-2019高壓試驗裝置通用技術條件第4部分:三倍頻試驗電源裝置

DL-T848.4-2019高壓試驗裝置通用技術條件第4部分三倍頻試驗變壓裝置musen
2024-10-21 11:15:428

HMC-XDB112 x2倍頻器芯片,20-30GHz輸出技術手冊

HMC-XDB112是一款單芯片倍頻器,采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)技術,適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經濟的大規模應用。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,HBT器件已完全鈍化以實現可靠操作。
2025-04-16 16:05:09841

HMC-XTB110 x3倍頻器,24-30GHz輸入技術手冊

HMC-XTB110是一款單芯片x3倍頻器,采用GaAs肖特基二極管技術,具有低轉換損耗和高度Fo隔離。 這款寬帶x3倍頻器無需直流電源,適用于低頻率的3倍頻率比直接生成高頻率更加經濟的大規模
2025-04-16 16:15:30782

HMC1105 GaAs MMIC x2倍頻器,20-40GHz輸入技術手冊

HMC1105是一款微型倍頻器MMIC。 相對于輸入信號電平,無用基波和高階諧波抑制高達46 dB(典型值)。 該倍頻器采用與Hittite MMIC混頻中相同的GaAs Schottky二極管/巴倫技術。 它尺寸小,無需直流偏置,且無需在倍增信號上增加可衡量的加性相位噪聲。
2025-04-17 09:16:29706

HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器,采用SMT封裝技術手冊

HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器,使用InGaP GaAs HBT技術,采用4x4 mm引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm(典型值),電源電壓為5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。
2025-04-17 17:03:10999

HMC448LC3B x2有源倍頻器SMT,20-25GHz技術手冊

HMC448LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器,采用符合RoHS標準的引腳SMT封裝。 由0 dBm信號驅動時,該倍頻器在22至25 GHz范圍內提供+11 dBm
2025-04-18 09:42:38710

HMC578LC3B x2有源倍頻器SMT技術手冊

HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器,采用符合RoHS標準的引腳SMT封裝。 由+3 dBm信號驅動時,該倍頻器在24至33 GHz范圍內提供+15 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下,Fo和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。
2025-04-18 13:56:37823

HMC598 x2有源倍頻器芯片技術手冊

HMC598是一款x2有源寬帶倍頻器芯片,采用GaAs PHEMT技術。 由+5 dBm信號驅動時,倍頻器提供+15 dBm典型輸出功率(22 GHz至46 GHz),30 GHz時的Fo和3Fo
2025-04-18 14:03:24878

HMC942LP4E x2有源倍頻器,25-31GHz輸出技術手冊

HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs pHEMT技術,采用符合RoHS標準的引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號驅動時,該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內提供+17
2025-04-18 14:47:04663

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