概述
HMC-XDB112是一款單芯片無源倍頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)技術，適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經濟的大規模應用。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化，HBT器件已完全鈍化以實現可靠操作。

HMC-XDB112無源倍頻器MMIC可兼容常規的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。
數據表：*附件：HMC-XDB112 x2無源倍頻器芯片，20-30GHz輸出技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• VSAT
• 測試儀器儀表
• 軍事和太空
• 時鐘發生

特性

• 轉換損耗： 13 dB
• 無源： 無需直流偏置
• 輸入驅動： +13 dBm
• 高Fo隔離： 30 dB
• 裸片尺寸： 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

框圖

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應使用導電環氧樹脂（參見HMC通用操作、安裝、鍵合說明）直接連接到接地層，或者與接地層實現電連接。建議使用0.127mm（5密耳）厚的氧化鋁薄膜微帶線傳輸線來傳輸50Ω射頻信號，并將其連接到芯片（圖1）。如果必須使用0.254mm（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片應抬高0.150mm（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實現這一點的一種方法是將0.120mm（4密耳）厚的芯片連接到0.150mm（6密耳）厚的鉬墊片（熱沉片）上，然后將其連接到接地層（圖2）。

微帶線應盡可能靠近芯片放置，以盡量減少鍵合線長度。典型的芯片與襯底間距為0.076mm至0.152mm（3至6密耳）。

操作注意事項

遵循以下預防措施，避免造成永久性損壞。

• 存儲 ：所有芯片均應放置在防靜電華夫盒或凝膠基防靜電容器中，然后密封在防靜電袋中運輸。防靜電袋一旦開封，所有芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
• 清潔度 ：在清潔環境中操作芯片。請勿嘗試使用液體清潔系統清潔芯片。
• 靜電敏感性 ：遵循防靜電措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態 ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號和偏置電纜，以盡量減少電感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子夾持芯片邊緣。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面有金屬化層，可以使用金錫共晶預制件或導電環氧樹脂進行芯片安裝。安裝時芯片應保持清潔和平整。

• 共晶焊接 ：建議使用80/20金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10氮氣/氫氣混合氣體時，工具尖端溫度不得超過290°C。芯片溫度達到320°C以上時，請勿擦拭芯片。連接時間不應超過3秒。
• 環氧樹脂粘貼 ：在安裝表面涂抹適量環氧樹脂，確保芯片放置到位后，其周邊出現一圈薄的環氧樹脂邊。按照制造商的固化時間表固化環氧樹脂。

引線鍵合

建議使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀射頻鍵合線。這些鍵合線應采用熱超聲鍵合，鍵合力為40 - 60克。建議使用DC鍵合線，直徑0.001英寸（0.025毫米），采用熱超聲鍵合。建議使用球鍵合，鍵合力為40 - 50克，楔形鍵合，鍵合力為18 - 22克。所有鍵合應在150°C的標稱階段溫度下進行。為實現可靠鍵合，應施加最小12微秒的能量，所有鍵合長度應盡可能短，小于12密耳（0.31毫米）。