射頻/微波器件的封裝設計非常重要，封裝可以保護器件，同時也會影響器件的性能。因此封裝一定要能提供優 異的電學性能、器件的保護功能和屏蔽作用等等。高性能射頻微波器件通常采用陶瓷封裝材料，陶瓷材料的介電性能在較寬的溫度和頻率范圍之內都很穩定，能承受很高的加工和工作溫度，機械性能優異，能提供較好的防潮濕功能和優異的氣密性。對于高頻器件，陶瓷材料的熱膨脹系數和半導體芯片材料的膨脹系數相近，并能支持較高的集成度和復雜的I/O管腳分布。

常見的陶瓷封裝制作方法有：共燒陶瓷工藝，厚膜、薄膜工藝。共燒陶瓷工藝適合大規模生產；對于中小批量生產，以及一些客戶定制的產品，通常采用厚膜、薄膜工藝。盡管上述的幾種工藝都很成熟可靠，但是其成本、工藝難以控制，而且對表面貼裝技術有所限制。Remtec公司發明的鍍銅厚膜 PCTF（Plated Copper on Thick Film）技術可以解決上述問題，可以生產高性能SMT器件，并且經濟、可靠，適用于中小批量生產（每年幾千----每月十萬左右的產能）

PCTF技術是一種可行的、經濟的射頻器件封裝方案，可以降低生產成本，并可有效加快投入市場的速度。該技術具有穩定的電學特性、良好的散熱性能以及很高的可靠性。PCTF技術允許直接將大塊的陶瓷封裝或襯底固定在微波PCB板上，符合RoHS標準的焊接，還可支持大面板、多陣列的封裝形式。基于PCTF技術的封裝或襯底適用的頻率范圍是100MHz至24GHz，該技術特別適合需要低熱阻（1到2°C/W 或更低）的應用。

采用無引腳的陶瓷SMT技術的優點很多，采用PCTB技術制造陶瓷SMT封裝，陶瓷襯底始終是無引腳SMT封裝的基底，上面覆蓋一層環氧材料的覆蓋層，或者使用金屬環型框架/蓋板形成氣密的腔體（圖1），。采用在種子層（seed layer）上鍍銅，最后鍍鎳-金層，實現襯底的金屬化。因此該封裝可以承受多次焊接以及+400°C的高溫。該方案還支持標準裝配技術，例如高溫合金芯片粘合、環氧材料粘合、BGA（ball-grid-array）封裝、倒扣封裝以及ribbon鍵合技術。PCTF封裝還可以采用無磁性材料，適用于核磁共振成像MRI（magnetic-resonance-imaging）系統等無磁應用。

PCTF表面貼裝器件具有三項顯著特點：銅金屬化、鍍銅實心插入式通孔、PCTF保護層。銅金屬化適合射頻信號傳輸，同時還有較好的散熱效果。實心通孔和保護層可以提供多種功能：可以降低陶瓷襯底的熱阻，為封裝提供接地，還可提供低電感互聯（寄生電感對高頻性能影響較大）；插入式通孔的直流電阻小于1mOhm，在4GHz時，其損耗小于0.1dB；實心通孔的熱導率大于200 W/m-°C，對應其熱阻小于1°C/W，提供很好的功率控制特性。通孔的氣密性（1×10–8 cm2/s）保證了芯片與外間的完全隔絕。

PCTF工藝還可增強器件的可靠性，由于采用了銅鍍層的覆蓋物，大型的無引腳SMT器件，通過可靠的焊接可以直接裝在PCB板上。典型的封裝尺寸為0.16平方英寸到1.00平方英寸。器件通常采用4.5×4.5英寸的多組包裝。其元件組裝、芯片粘合、鍵合甚至測試、包裝等流程可以實現全自動化。

陶瓷的襯底陣列具有切割孔（激光切割），可以簡化分割過程。如有需要還可以使用切割機替代激光。能在較大的面板上處理并提供封裝，是PCTF能降低成本的一個主要原因。能在PCB板上直接焊接大型（大于0.5英寸）無引腳陶瓷封裝器件，是PCTF的另一項獨有特點，并且經過長時間的考驗。該技術可以在PCB板上安裝大型的SMT射頻器件（甚至是氣密型的）。另一項優勢時，該技術具有很好的可焊接性，可以承受滿足RoHS要求的、多次、長時間的焊接操作，并且保證封裝的完整性和可靠性。

全氣密以及不氣密SMT器件在客戶提出的各項認證測試中，表現出高度的可靠性，并通過各項測試。在這些測試中，PCTF器件經受了機械沖擊、極度高低溫環境、以解其他各項嚴格的考驗。測試結果表明該封裝技術可以保證客戶產品在各種熱學、機械沖擊下，都能正常工作。上述測試都是在高頻PCB板上直接安裝SMT器件的條件下完成的。測試的結果在表1中。

由于有效的熱學設計，該陶瓷封裝技術可以支持多種有源或無源器件。例如采用單芯片的功放模塊以及四邊扁平無引腳（QFN，Quad Flat No Lead）封裝。另外，PCTF技術還可以用于SMT磁頭，或者嵌入式無源器件（如衰減器、濾波器）的封裝。該技術也可以用于大型無引腳SMT模塊，如多芯片模塊MCM（multi-chip modules），這些模塊含有多塊集成電路以及一些電阻、電容和微帶線，用于射頻功放、低噪聲放大器、發射機以及其他多功能模塊。