本文來自聯訊證券，作者：王鳳華，本文作為轉載分享。

2019年全球電子產業將保持增長

ICInsights預計2018年全球電子產品銷售額16220億美元，同比增長5.1%，2019年將達到16800億美元，同比增長3.5%，2017~2021年CAGR=4.6%。

預計2019年通信市場銷售額5350億美元，依舊是最大的板塊，同比增長3.9%，2017~2021年CAGR=4.8%。

隨后依次計算機4270億美元，同比增長2.2%，CAGR=3.3%;工業/醫療/其他2450億美元，同比增長3.8%，CAGR=5.4%;消費電子2040億美元，同比增長3.6%，CAGR=4.5%;汽車1620億美元，同比增長6.3%，CAGR=6.4%，汽車電子將會是增速最快的領域;政府/軍工1070億美元，同比增長2.9%，CAGR=3.8%。

2019年各細分領域的銷售額占比分別為通信（32%）、計算機（25%）、工業/醫療/其他（15%）、消費電子（12%）、汽車（10%）、政府/軍工（6%）。

5G：引領創新浪潮，開啟全新時代

5G是移動通信技術的重大變革，其性能相比目前網絡將大幅提升。憑借無處不在的高速連接，5G將引領新一輪顛覆性創新浪潮。

5G具有三大應用場景：

1.增強移動寬帶（eMBB）;2.高可靠低時延連接（uRLLC）;3.海量物聯（mMTC）。

增強移動寬帶（eMBB）為密集城市、農村、高流動性環境以及室內環境提供極高的吞吐量。用戶將能夠在幾秒鐘內下載3D視頻等數千兆字節的數據，并且AR/VR將成為日常應用。

高可靠低時延連接（uRLLC）應用主要有無人駕駛、公共和大眾交通系統、無人駕駛飛行器、工業自動化、遠程醫療以及智能電網監控等。

海量物聯（mMTC）是為智能城市、家居、電網、樓宇、制造、物流、農業、礦業等海量設備提供連接。

在這基礎之上，AR/VR、物聯網、車聯網、8K、智慧城市等應用將興起。

5G一般分為兩個頻段。

其中一個使用低于6GHz頻率的頻段，該頻段在4GLTE上略有改進。

另一個利用24GHz以上頻率的頻譜，并最終走向毫米波技術。未來網絡將是4GLTE與5GNR長期共存的狀態。

2018年6月5G第一版標準R15正式凍結，支持eMBB場景，部分支持uRLLC場景，暫不支持mMTC場景。5G商用正式開啟。預計2019年底第二版標準R16將凍結，全面支持三大應用場景。

我國計劃2018年規模試驗，2019年預商用，2020年規模商用。

目前第一階段關鍵技術驗證、第二階段技術方案驗證已完成。目前華為已經率先完成第三階段系統驗證。我國與國外進展基本同步。

預計2019~2022年是中頻段網絡建設密集期，可實現eMBB應用。

2022~2025年是毫米波網絡建設密集期，可實現uRLLC、mMTC應用。預計我國2020~2025年是主建設期，2020~2022是整個周期的建設密集期。

上游芯片廠已陸續推出支持5G技術的調制解調器芯片，包括高通SnapdragonX50、聯發科HelioM70、英特爾XMM8000系列、三星ExynosModem5000系列、海思Balong5000系列等。

以各家的進度來看，預計明年上半年進行客戶送樣認證，明年下半年量產出貨。

TSR預計2019年5G手機開始出貨，隨后出貨量不斷增長。

5G版小米Mix3或于2019年歐洲上市。

三星預計2019年春天推出5G版GalaxyS10Plus手機。

華為計劃在2019年2月MWC推出可折疊5G手機，與此同時可能還會推出搭載5G基帶的P30Pro手機。

中興將于2019年上半年推出5G商用手機。

三大運營商已經獲得全國范圍5G中低頻段試驗頻率使用許可。

雖然正式的5G商用牌照還沒有下發，但三大運營商各自頻譜確定的意義仍然十分重大，最直接的影響就是運營商可以聯合產業鏈伙伴進行5G網絡建設。

這為產業界釋放了明確信號，將加快我國5G網絡建設和產業鏈的發展。

5G建設將帶動基站、終端等硬件需求的增長，技術變革也將帶來新的市場機會。

天線、PCB、射頻前端、電磁屏蔽等元器件及產業鏈相關公司將獲得新的增長動力。

在5G網絡逐步完善之后，相應的應用如車聯網、AR/VR等將會逐漸開發并滲透，這將開啟更廣闊的空間。

射頻前端：5G時代迎來快速增長

射頻前端（RFFE，RadioFrequencyFrontEnd）模塊是移動終端通信系統的核心組件。低功耗、高性能、低成本是其技術升級的主要驅動力。

移動終端中的射頻器件主要包括功率放大器（PA，PowerAmplifier）、雙工器（Duplexer）、射頻開關（Switch）、濾波器（Filter）、低噪放大器（LNA，LowNoiseAmplifier）等。

5G時代射頻前端元器件用量快速增長，系統復雜程度也將提高。

射頻前端的價值量從2G~4G不斷提升，4G時代平均成本（全頻段）約10美元，4.5G達到約18美元，預計5G將超過50美元。

Yole數據顯示2017年手機射頻前端市場規模150億美元，預計2023年將達到352億美元，2017~2023年CAGR=14%。

濾波器市場規模最大。2017年約80億美元，預計2023年將達到225億美元，2017~2023年CAGR=19%，主要來自于高頻通信對BAW（BulkAcousticWave）濾波器的需求增長。

功率放大器市場規模位于第二位。2017年達到50億美元，預計2023年將達到70億美元，2017~2023年CAGR=7%。高端LTEPA市場將保持增長，尤其是在高頻和超高頻段，但是2G/3GPA市場將會衰退。

射頻開關市場規模位居第三位。2017年開關為10億美元，預計2023年將達到30億美元，2017~2023年CAGR=15%。

2017年低噪聲放大器市場規模2.46億美元，預計2023年將達到6.02億美元，2017~2023年CAGR=16%。主要是多種射頻前端模組的使用以及其在手機中與PA模塊集成。

2017年天線調諧器市場規模4.63億美元，預計2023年將達到10億美元，2017~2023年CAGR=15%。主要受益于4×4MIMO技術的滲透。預計2023年毫米波前端模組的市場規模將達到4.23億美元。
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目前射頻開關、天線調諧器主要采用RF-SOI技術。濾波器、雙工主要是SAW/BAW。

PA可以用CMOS、GaAs、RF-SOI技術。低噪聲放大器可以用GaAs、RF-SOI技術。

進入5G時代，Sub-6GHz和毫米波階段各射頻元器件的材料和技術可能會有所變化。SOI有可能成為重要技術，具有制作多種元器件的潛力，同時后續有利于集成。

1、濾波器：市場規模最大的細分領域

Skyworks預計2020年5G應用支持的頻段數量將翻番，新增50個以上通信頻段，全球2G/3G/4G/5G網絡合計支持的頻段將達到91個以上。

頻段數上升將帶來射頻濾波器使用數量增多。

理論上每增加一個頻段需增加2個濾波器。由于濾波器集成于模組，二者并不是簡單的線性增加的關系。

雙工器由兩個濾波器組成，可在一條信道上實現雙向通信。半雙工是通信雙方輪流收發。全雙工是通信雙方同時收發。全雙工通過頻分雙工（FDD）或時分雙工（TDD）實現。

射頻濾波器包括聲表面濾波器（SAW，SurfaceAcousticWave）、體聲波濾波器（BAW，BulkAcousticWave）、MEMS濾波器、IPD（IntegratedPassiveDevices）等。

SAW和BAW濾波器是目前手機應用的主流濾波器。

采用MEMS工藝生產濾波器仍然存在挑戰。MEMS技術制造濾波器具有極高的技術門檻，在保證高度一致性和高質量的條件下實現大規模量產難度較大。

全球SAW濾波器市場份額前五位的廠商分別為村田（47%）、TDK（21%）、太陽誘電（14%）、Skyworks（9%）、Qorvo（4%），合計占比達95%。

全球BAW濾波器市場份額前三位分別為博通（87%）、Qorvo（8%）、太陽誘電（3%），合計占比達98%。

國內SAW濾波器的廠商有麥捷科技、德清華瑩（信維通信入股）和好達電子等。

2、功率放大器：GaAsPA仍是主流

PA的作用是將低功率信號進行放大。PA直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是射頻系統中的重要部分。手機頻段持續增加，PA的數量也隨之增加。

4G多模多頻手機所需PA芯片5~7顆。StrategyAnalytics預計5G時代手機內的PA或多達16顆。

目前GaAsPA是主流。CMOSPA由于性能的原因，只用于低端市場。Qorvo預計隨著5G的來臨，8GHz以下GaAsPA仍是主流，但8GHz以上GaN有望在手機市場成為主力。

2016年全球PA市場絕大部分份額被Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata占據，四家廠商合計占比達到97%，其中前三家合計占比達到92%。領導廠商Skyworks、Qorvo和Broadcom采用IDM模式。晶圓代工模式也在興起，主要有***穩懋等。

國內設計公司有近20家，主要有漢天下、唯捷創芯、紫光展銳等。國內晶圓代工廠商主要有三安光電、海特高新。

3、5G帶動SOI市場增長

2011年智能手機中還未使用RF-SOI產品。2010年GaAs射頻開關是主流技術。

RF-SOI產品在性能和功耗相當的情況下將成本下降30%、die尺寸減少50%，在不到5年的時間內替代GaAs開關。

Navian數據顯示90%的射頻開關和調諧器基于RF-SOI制造。5G時代基于RF-SOI的射頻開關使用數量會增加。

盡管射頻開關的出貨量巨大，但市場競爭激烈，價格壓力較大，ASP為10~20美分。目前智能手機中均有RF-SOI產品，未來還將繼續增長。

Yole數據顯示2016年全球絕緣體上硅（SOI，SiliconOnInsulator）市場規模4.293億美元，預計2022年將達到18.593億美元，2017~2022年CAGR=29.1%。市場驅動力主要來自消費電子市場增長帶來的需求提升。

Soitec預計2018年整個行業將出貨150~160萬片等效200mmRF-SOI晶圓，同比增長15%~20%，預計2020年將超過200萬片。

SOI襯底大約占硅襯底市場規模6%。2016年200mm的SOI晶圓占據市場主導地位，在2017~2022年仍將有望以較快的速度增長。200mm的晶圓主要用于生產RF-SOI，這是制造智能手機天線開關和其他重要元器件所使用的材料。

2016年RF-SOI占據整個SOI市場最大的份額。按產品類型來看，射頻前端占據SOI市場的最大份額。預計未來仍有較大幅度的增長。

廠商希望采用SOI將射頻開關和LNA集成到一起，可能會用300mmSOI晶圓實現。SOI技術具備集成毫米波PA、LNA、移相器、混頻器的潛力。

RF-SOI襯底制造主要有法國Soitec、日本信越、***環球晶圓和上海新傲科技。Soitec是“智能剝離（SmartCut）”技術的擁有者，RF-SOI襯底的最大供應商，擁有70%的市場份額。

Soitec生產200mm和300mmRF-SOI晶圓襯底。信越和環球晶圓也基于Soitec的技術生產200mm和300mmRF-SOI晶圓襯底。中國新傲科技生產200mmRF-SOI晶圓襯底。

格羅方德、TowerJazz、中芯國際、華虹宏力、臺積電和臺聯電等晶圓代工公司在擴大200mm或300mm晶圓RF-SOI工藝產能。

格羅方德推出300mm晶圓RF-SOI工藝，包括130nm和45nm工藝。中芯寧波將承接中芯國際的RF-SOI或其他SOI工藝技術。華虹集團旗下的上海集成電路研發中心進行SOI技術開發，華虹宏力的0.2μmRF-SOICMOS工藝已經量產。臺積電和臺聯電計劃進軍300mmRF-SOI晶圓。

設計公司CavendishKinetics推出了基于RFMEMS技術的射頻開關和天線調諧器產品，目前也在發展之中，未來可能成為挑戰者。

4、射頻前端集成化，毫米波帶來新機遇

射頻前端集成化是必然趨勢。集成化可以降低成本、提高性能，以及給系統集成商提供turn-key方案。

在射頻前端模塊集成上發展更快的廠商有望成為市場的主導者。同時擁有主、被動器件的設計能力、制造工藝以及集成工藝是未來射頻元件公司的發展方向。

射頻前端集成存在單片集成（片上SoC系統）和混合集成（SiP封裝）兩個發展方向。目前通過封裝集成的形式更易實現，也是各大廠商重點著力的方向。

博通、Qorvo、Skyworks、村田、TDK不僅供應元器件還具有模組整合能力，將在集中度很高的市場中進一步確立優勢。基帶廠商也進入射頻前端領域，行業競爭更加激烈。

近年射頻前端領域有多起并購整合，相關廠商積極布局。2014年RFMD和TriQuint合并成立Qorvo，RFMD擅長功率放大器，TriQuint的技術優勢則在于SAW和BAW，二者合并技術互補。

2017年1月高通和TDK合資成立RF360，TDK在SAW/BAW濾波器市場有技術積累。2017年2月聯發科將其部分持股的射頻前端芯片廠商絡達科技的股份全部收購。安華高則收購博通。

近年射頻前端領域有多起并購整合，相關廠商積極布局。2014年RFMD和TriQuint合并成立Qorvo，RFMD擅長功率放大器，TriQuint的技術優勢則在于SAW和BAW，二者合并技術互補。

2017年1月高通和TDK合資成立RF360，TDK在SAW/BAW濾波器市場有技術積累。2017年2月聯發科將其部分持股的射頻前端芯片廠商絡達科技的股份全部收購。安華高則收購博通。

毫米波技術采用與以往不同的方式實現高速數據傳輸，Sub-6GHz與毫米波技術可能重構射頻前端產業。高通是毫米波領域的新進入者，英特爾、海思、三星、聯發科也在積極探索新的機遇。

天線：MassiveMIMO和新材料將應用

5G將推動智能手機天線升級，MassiveMIMO技術提升通信速率，天線數量也將提升。

LCP（液晶聚合物，LiquidCrystalPolymer）適合于高頻高速應用，傳輸損耗較小，可以作為基板、封裝材料等。

2017年蘋果首次使用LCP天線，單機價值量遠高于之前的PI（Polymide，聚酰亞胺）天線。

LCP優良的彎折性能有助于合理利用智能手機內部的狹小空間。LCP產業鏈上、中游主要由外國廠商涉及。

生益科技進入LCPFCCL領域。信維通信進入LCP天線領域。立訊精密為LCP天線模組供應商。

MPI（ModifiedPolymide）在10~15GHz頻段（或更低）性能與LCP相當，價格也更加便宜。

2019年蘋果可能采用MPI天線，這將有利于改善良率，降低成本，同時提升對供應商議價能力。

MPI與LCP天線可能在5G時代共存，相對較低頻段采用MPI，較高頻段采用LCP。

Vivo方面認為目前手機毫米波天線陣列較為主流與合適的可能方向是基于相控陣（phasedantennaarray）的方式，實現方式主要分為三種：AoB（AntennaonBoard，天線陣列位于系統主板上）、AiP（AntennainPackage，天線陣列位于芯片的封裝內）、AiM（AntennainModule，天線陣列與RFIC形成一模組），三者各有優勢。現階段更多的以AiM的方式實現。

高通推出了QTM052毫米波天線模組產品，一部智能手機可集成4個該模組，預計2019年用于5G終端。

5G封測：各大封測廠積極備戰5G芯片

5G使用的芯片和元器件數量增加，通過集成可降低成本、提升性能、縮小體積。

現階段高通、英特爾、聯發科、華為等推出的5G芯片方案，搭配的前端射頻模塊均采用SiP封裝。

SiP技術（FEMiD、PAMiD等）將10~15個器件（開關、濾波器、PA）封裝在一起，連接可能采用引線（Wirebond）、倒裝（FlipChip）、Cu柱（Cupillar）。

5G毫米波產品的集成密度會進一步提升。

未來還要尋找低損耗的材料，集成天線，優化封裝整體結構，探索屏蔽防護措施。預計2017~2022年SiP封裝銷售額CAGR》10%，快于整個先進封裝銷售額增速（CAGR=7%）。

目前4G時代，智能手機射頻前端SiP封裝供應鏈由Qorvo、博通、Skyworks、Murata、TDK-Epcos5家IDM廠商領導。他們部分生產外包至領先的OSAT廠商，如：日月光、安靠、長電科技等。目前這幾家IDM廠商主要集中于Sub6GHz解決方案。

高通則想直接開發毫米波產品并建立供應鏈以確保未來處于領先位置。

各大封測廠在5G芯片及SiP模塊封測領域積極研發和布局并爭取訂單。

近年來全球主要封測廠商在持續提升晶圓級先進封裝技術，尤其是扇出型（Fan-out）封裝。

日月光、安靠、臺積電、力成、長電科技、華天科技等廠商均已推出相應的扇出型封裝服務。工研院預計未來5G高頻通信芯片封裝中扇出型封裝技術將快速發展。

化合物半導體迎來新機遇

Yole數據顯示2016年射頻功率半導體（》3W）市場規模接近15億美元，預計2020年將達到26億美元，2016~2022年CAGR=9.8%。電信基礎設施（包含基站、無線回傳）射頻功率半導體將占據一半的市場份額。預計2016~2022年基站市場CAGR=12.5%，無線回傳市場CAGR=5.3%。

2016年LDMOS、GaAs器件市場占比較多，GaN器件僅占比約20%（》3W，不包括手機PA）。

隨后GaN器件開始取代通信基站中的LDMOS、雷達和航空電子中的真空管以及其他寬帶應用。GaN在基站和無線回傳應用的增長主要來自數據業務的增長以及工作頻率和帶寬的提升。

隨著載波聚合、MIMO技術的使用，GaN的高效率、大帶寬優勢將進一步得到體現。未來5~10年GaN會取代LDMOS成為3W以上射頻功率應用的主要技術。

LDMOS技術成熟、成本低廉，在其他市場有潛在機會，但市場份額會降至約15%。GaAs由于性價比和可靠性較高，在防務、CATV市場中較多應用，將保持相對穩定的市場份額。

Yole數據顯示2017年GaN射頻器件市場規模約3.8億美元。

其中電信、軍事領域的市場占比分別為40%、38%。預計2023年將達到13億美元，其中電信、軍事領域的市場占比分別為43%、34%。

5G將會給GaN帶來新的市場機遇，主要是基站中GaNPA取代LDMOS。

同時由于電磁波頻率提升，未來需要布置更多基站，對元器件的需求量也會增加。

Yole預計Sub-6GHz時就會使用GaN器件。但是小基站功率不高，GaAs器件依舊有優勢。隨著器件技術提升和成本下降，未來GaNPA有望在小基站應用獲得市場份額。

GaN器件適合高壓（大于10V）應用，其高功率密度有可能減小PA的芯片面積。但現在手機使用的電壓范圍是3~5V，GaN的性能無法完全發揮。

高成本是阻止其進入消費電子領域的另一個障礙。此外還存在散熱方面的問題。因此現有問題有待解決。但未來在手機中使用GaN技術是有可能的。

化合物半導體外延工序非常重要，領先廠商擅長外延并保有自己的生產能力以使技術保密。但是設計和晶圓代工同樣快速發展。

2017年IDM廠商處于領導地位，未來設計和晶圓代工環節相對會有更快的發展。

GaN產業鏈的主要廠商有SumitomoElectric、Wolfspeed、Qorvo、M-A/COM、UMS、NXP、Ampleon、RFHIC、MitsubishiElectric、NorthropGrumman、Anadigics。

GaAs是重要的化合物半導體材料。

產業鏈上游為襯底制造，隨后是GaAs外延（使用MOCVD、MBE等外延技術）。中游為晶圓加工和封測。下游為手機、基站等應用。住友電工、Freiberger、AXT三家公司占據約95%的GaAs晶圓市場份額。

IQE、全新光電、SCIOCS、英特磊等是主要的外延片制造商。IQE市場份額超過50%。

Skyworks、Qorvo和Broadcom是全球領先的GaAsIDM廠商。設計和先進技術（除晶圓制造）主要為IDM大廠掌握。穩懋是全球GaAs晶圓代工龍頭。

三安光電也已進入化合物半導體代工領域，此外還有海特高新。

Yole數據顯示2017年GaAs襯底用量175萬片（以6英寸計），預計2023年將達到約415萬片。

2018年GaAs射頻產品占GaAs晶圓片市場的比例超過50%。但是手機市場飽和以及芯片尺寸縮小，該市場增速放緩。預計在Sub-6GHz波段，智能手機中GaAsPA依舊處于主流地位。

未來射頻領域對GaAs晶圓片的需求僅小幅增長。主要的增長動力來自LED、光子學領域的應用。

蘋果iPhone搭載的FaceID攝像頭中使用了GaAs激光器，這將極大的推動GaAs在光子學領域的應用。Yole預計2023年GaAs晶圓片光子學應用方面的市場將達到1.5億美元，2017~2023年GaAs晶圓片用量CAGR=39%。

GaAsLED將快速增長。Yole預計2017~2023年GaAsLED市場晶圓片用量CAGR=21%，2023年占全部GaAs晶圓片用量的比例超過50%。

StrategyAnalytics數據顯示2017年全球GaAs元件市場總產值（含IDM廠組件產值）約88.3億美元，達到歷史新高，同比增長7.8%。前三位廠商占比分別為Skyworks（32.5%）、Qorvo（25.1%）、博通（9%）。

2017年砷化鎵晶圓代工市場規模7.3億美元。***穩懋一家獨大，占比72.7%。隨后是GCS（8.4%）、AWSC（7.9%）。

在半導體制造業中，IDM廠商和晶圓代工廠核心競爭力不同，同時產能投資策略也有差異。

IDM廠商的核心競爭力為產品設計和制造能力，持續開發更高性能的產品。

晶圓代工廠則依靠多樣化以及先進制程技術，以利基型產品和低成本大規模制造并行的方式獲取更大的經營效益。隨著晶圓代工產業的成熟，IDM廠商為確保產能充分利用，投資擴產變的保守。

晶圓代工廠則通過獲得設計公司、IDM廠商等的訂單，維持一定水準的產能利用率。此外，以往少數兼營代工的IDM廠商，為了保有已付出大量資源所得到的最新研發成果，并不為客戶兼競爭者提供最新制程的代工服務，因而客戶逐漸流失，甚至最終放棄代工業務。晶圓代工廠則以最新制程為客戶服務而獲得競爭優勢。

目前晶圓代工廠與IDM廠商在先進制程上已經并駕齊驅，打破了過去晶圓代工廠只能接收IDM廠商舊技術的規律。在GaAs晶圓制造市場中，IDM廠商仍舊占有超過50%的生產規模。

近幾年由于專業代工更具成本優勢，加上IDM廠商對于產能擴充投資趨于保守，持續釋放出更大比率訂單給晶圓制造代工廠，同時整體市場需求持續增長，這都為晶圓代工廠的發展提供了良好的機會。

5GPCB量價齊升

賽迪顧問數據顯示2026年5G宏基站的數量達到475萬個，是2017年底4G基站數量328萬個的約1.4倍。此外5G小基站的數量保守估計是宏基站數量的2倍。基站數量的增長將帶動對PCB需求的提升。

5G宏基站由CU、DU、AUU組成。AUU是有源天線單元，可簡單等效為天線和RUU（4G）的集成。為減小傳輸損耗，用PCB集成天線和饋線，帶來單基站PCB用量的提升。

5G使用MasiveMIMO技術，天線單元通過高頻高速PCB集成，這也為單基站帶來了新的增量。

目前常用的PCB板材為FR-4，不適合在高頻高速條件下使用。

5G高頻高速傳輸數據，應用于微波與毫米波頻段的PCB板材主要采用低介電常數、低介電損耗的材料（PTFE、碳氫化合物、PPE樹脂）制作。

高速電路板材主要采用特殊樹脂、環氧改性特殊樹脂。采用高頻高速板材將使PCB價值量提升。

高頻基材行業壁壘高，龍頭企業優勢明顯，美日企業占據大部分市場。羅杰斯在PTFE-CCL的市場份額超過50%。國內主要有生益科技。

A股受益企業主要有滬電股份、深南電路、生益科技等。

電磁屏蔽、導熱材料獲得新市場空間

電子設備工作時不能被外界電磁波干擾，也要避免其自身輻射干擾外界設備或危害人體，因此需要通過電磁屏蔽阻斷電磁波傳播路徑。電子設備主要通過結構本體和屏蔽襯墊實現屏蔽功能。

電子產品的性能越來越強大，工作功耗和發熱量不斷增大，這為導熱材料的發展帶來了機會。

屏蔽材料、導熱材料產業鏈的上游是基礎原材料，如：塑料粒、硅膠塊、金屬材料等。中游是電磁屏蔽及導熱材料和器件。下游是各個應用領域的終端客戶。

BCCResearch數據顯示2013年全球EMI/RFI屏蔽材料市場規模52億美元，2014年達到54億美元，2016年達到約60億美元，預計2021年將達到約78億美元，2016~2021年CAGR=5.6%。

CredenceResearch數據顯示2015年全球熱界面材料市場規模7.74億美元，預計2022年將提升至17.11億美元，2015~2022年CAGR=12.0%。

5G時代電子設備數量持續增長，智能手機軟硬件均會有顯著變化，對電磁屏蔽和導熱提出了新的要求。未來單機用量提升、產品類型多樣化、工藝升級都將帶來新的市場空間。