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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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NAND Flash綜合價格指數(shù)將再次上漲6%

市場主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價格維持平穩(wěn)走勢，240GB/480GB TLC SSD價格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 974 0

武漢新芯可能2018年量產(chǎn)48層NAND

紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

2016-05-10 標(biāo)簽：NAND 存儲器武漢新芯 1.5k 0

武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

根據(jù)科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠。

2016-03-22 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3.8k 0

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名分拆NAND存儲器事業(yè)部

被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Me...

2015-12-22 標(biāo)簽：東芝 NAND 存儲器 909 0

東芝傳分拆 NAND Flash 事業(yè)，以便上市籌資、代工強(qiáng)化收益

被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND 型快閃記憶體（Flash M...

2015-12-19 標(biāo)簽：東芝 NAND 698 0

英特爾大連廠攻NAND 市場恐供過于求

全球半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布，旗下位于大陸大連的12寸晶圓廠將由原本生產(chǎn)電腦晶片組，轉(zhuǎn)為制造儲存型快閃記憶體（NAND Flash），總投資金額達(dá)55億美元...

2015-10-22 標(biāo)簽：英特爾 NAND 781 0

四強(qiáng)投資動作暗潮洶涌欲爭奪3D NAND市場

包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有...

2015-10-09 標(biāo)簽：NAND 存儲器半導(dǎo)體行業(yè) 1k 0

聯(lián)發(fā)科2710萬美元收購存儲器商常憶科技

聯(lián)發(fā)科技表示，收購常憶科技主要木器是要強(qiáng)化存儲相關(guān)專利(IP)人才，并不會介入存儲市場，未來將是DRAM或NAND Flash存儲廠商合作。

2015-08-17 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 DRAM NAND 1.1k 0

速度是NAND千倍！新型非揮發(fā)性存的儲器已量產(chǎn)

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint，該種記憶體號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來...

2015-07-30 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲器 1.4k 0

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

在設(shè)計及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporatio...

2014-12-23 標(biāo)簽：SATA NAND SSD 1.6k 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 1.7k 0

新一代存儲器？十年后再說吧！

　很少人會想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快...

2014-04-11 標(biāo)簽：NAND 存儲器 V-NAND 3k 0

云儲存崛起　移動設(shè)備NAND存儲器萎縮加劇

NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)...

2013-11-26 標(biāo)簽：NAND 存儲器云儲存 1.8k 0

NAND Flash合約價恐走跌本季仍供過于求

SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過于求、價格也將恢復(fù)走跌情勢！受到大陸十一長假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集...

2013-10-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 海力士 1.1k 1

IDC：2013年半導(dǎo)體營收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國外媒體報道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營收評估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 742 0

Gartner：2012-2017年硬盤市場收入將逐年攀升

Gartner近日發(fā)布了2012~2017年硬盤發(fā)貨量報告，報告預(yù)測2017年搭載NAND閃存的混合硬盤出貨量將是現(xiàn)在的163倍。但是分析報告并沒有明確...

2013-07-10 標(biāo)簽：NAND 大容量硬盤 HDD 1.3k 0

2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑

據(jù)IHS公司的閃存動態(tài)簡報，2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一，盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標(biāo)簽：PCM NOR閃存 NAND 1.7k 0

NAND閃存現(xiàn)曙光，今年營收有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。

2013-06-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 925 0

Intel企業(yè)級S3500系列SSD，攪動云計算市場

Intel公司近日發(fā)布了一組可以將數(shù)據(jù)中心移到全SSD存儲模型的固態(tài)硬盤，宣稱其能改善云計算環(huán)境、數(shù)據(jù)中心虛擬化、虛擬主機(jī)以及讀密集型應(yīng)用的性能。

2013-06-21 標(biāo)簽：NAND SSD Intel公司 1.6k 0

SanDisk發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的19納米SSD

瞄準(zhǔn)超輕薄超極本（Ultrabook）、筆記本電腦及平板裝置終端用戶對于更高運算效能與反應(yīng)速度的SSD需求，SanDisk已率先業(yè)界發(fā)布采用19奈米（n...

2013-06-07 標(biāo)簽：NAND SSD SanDisk 2k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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