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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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似乎選取功率MOSFET的耐壓對于很多工程師來說是最容易的一件事情,因為設計的電子系統輸入電壓是相對固定的,公司選取特定的供應商的一些料號,產品額定電壓...
2018-02-10 標簽:mosfet 2.5萬 1
反激式轉換器工作原理以及反激開關MOSFET源極流出的電流波形轉折點的分析
反激式轉換器在正常工作情況下,當MOSFET關斷時,初級電流(id)在短時間內為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當Coss兩端的電壓V...
本文將對一些參數進行探討,如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質...
為減少開關管損耗的BSCO16NO3LSG型開關電源MOSFET
近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設計中采用開關電源控制器、加上多個驅動器及功率 MOS...
要實現LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的...
采用自舉升壓電路,設計了一種BiCMOS Totem結構的驅動電路
結論 本文采用自舉升壓電路,設計了一種BiCMOS Totem結構的驅動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設計,可在1.5V...
幾類器件慎重采用串并聯結構設計。繼電器不允許并聯一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯結構以解決單只...
電的發現是人類歷史的革命,由它產生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
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