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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

淺談MOSFET場效應管的分類及工作原理

JFET工作電流很小，適合于模擬信號放大，分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似，N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。而...

2023-11-04 標簽：MOSFET 場效應管 NMOS 4.5k 0

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指...

2023-11-03 標簽：芯片 MOSFET 導通電阻 2k 0

為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

2023-11-03 標簽：MOSFET IGBT MOS 6.8k 0

SiC與功率器件半導體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標簽：晶閘管 MOS 功率器件 1.3k 0

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

直流充電樁基本構(gòu)成包括：功率單元、控制單元、計量單元、充電接口、供電接口及人機交互界面等。功率單元是指直流充電模塊，控制單元是指充電樁控制器。

2023-11-01 標簽：電動汽車 IGBT MOS 4.6k 0

DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流IC——FP8013開關穩(wěn)壓器，便攜式照明

FP8013是一種高效電流模式同步降壓調(diào)節(jié)器。主（P通道MOSFET)和同步（N通道MOSFET)開關都建立在內(nèi)部。在電流模式運行時，PWM占空比由誤差...

2023-10-31 標簽：IC 開關穩(wěn)壓器 DC-DC 1.5k 0

半導體行業(yè)之半導體工業(yè)（九）

在之前眾多技術(shù)的量變積累之上，終于觸發(fā)質(zhì)變效應，仙童半導體公司引入了平面化技術(shù)，將之前的這些點技術(shù)集合到了一起。

2023-10-27 標簽：半導體晶體管 MOS 1.2k 0

如何防止靜電放電損傷呢？ESD的測試方法解析

NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性，但是實際上PMOS很難有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，這個...

2023-10-26 標簽：串聯(lián)電阻 IC設計靜電放電 3.2k 0

什么是軟開關？LLC電路是如何實現(xiàn)軟開關的？

與傳統(tǒng)PWM（脈寬調(diào)節(jié)）變換器不同，LLC是一種通過控制開關頻率（頻率調(diào)節(jié)）來實現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點是：實現(xiàn)原邊兩個主MOS開關的零電壓開...

2023-10-26 標簽：PWM MOS LLC 7k 0

詳解模擬芯片內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)

當IC穩(wěn)定工作后，復位電容E1已充滿電荷，其兩端電壓=VCC。當電源掉電時，因復位電容僅通過復位電阻R1放電，其電壓下降較慢，若當RESET端電壓較高時...

2023-10-23 標簽：芯片場效應管緩沖器 1.2k 0

詳解MOS的I/V特性方程

分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關系。推導出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹墑e從器件物理級提升到電路級。

2023-10-21 標簽：電容器 MOSFET MOS 4.3k 0

GPIO推挽輸出和開漏輸出電路圖分析

輸出端相當于三極管的集電極。要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內(nèi))。

2023-10-16 標簽：電流 MOSFET MOS 4.1k 0

ADC采樣電路圖設計方案詳解

開關電容的噪聲仿真通常有三種方法：基本的.ac/.noise Spice仿真，周期穩(wěn)態(tài)仿真，瞬態(tài)噪聲。

2023-10-13 標簽：電路圖電路設計 adc 6.2k 0

IGBT模塊關斷電阻對關斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過程中，關斷時刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺的應用中對于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標簽：IGBT MOS 驅(qū)動電路 2.8k 0

春風極核AE8電機控制器拆解分析

NCEP15T14D為新潔能Super Trench系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Super Trench）技術(shù)，全面提升了...

2023-10-07 標簽：MOSFET 導通電阻 MOS 5.9k 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...

2023-09-27 標簽：新能源 MOSFET MOS 2.5k 0

如何用MOS管實現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢？

在我們?nèi)粘４蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中，基本上所有的電子元件都是用的直流電，因此當我們的電源線插反時，極易容易燒壞電子產(chǎn)品。

2023-09-26 標簽：MOS管降壓電路輸出電壓 2.4k 0

電平轉(zhuǎn)換電路和電源轉(zhuǎn)換電路設計

電平及電源轉(zhuǎn)換電路是硬件設計中的常見電路，用于將一個電平/電源轉(zhuǎn)換為另一個不同電平/電源，確保外設之間可以正常通信和工作。

2023-09-20 標簽：仿真 MOS 電平轉(zhuǎn)換 7.7k 0

MOS檢測電路原理圖自制一個簡易的MOS檢測電路

很多小伙伴都說MOS不好檢測。下面我?guī)Т蠹襾碜鲆粋€簡單的MOS檢測電路。使用的材料很簡單。一個管腳插座。一個100歐電阻。一個USB輸入插頭。一塊敷銅板...

2023-09-20 標簽：原理圖 PCB板 MOS 3.8k 0

mosfet的三個電極怎么區(qū)分 mos管三個極電壓關系

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）有三個主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個電極的區(qū)分方法如下

2023-09-18 標簽：MOSFET MOS 柵極 4.2萬 2

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