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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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選型手冊(cè):MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力...
中科微電ZK4030DG:N+P MOS管領(lǐng)域的Trench工藝性能典范
在MOS管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下,高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的深耕,推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK403...
2025-10-30 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 401 0
160A大電流賦能低壓場(chǎng)景:中科微電ZK30G011Q MOS管技術(shù)解析
在低壓大電流功率控制領(lǐng)域,器件的電流承載能力、能效水平與小型化適配性成為衡量性能的核心指標(biāo)。中科微電推出的ZK30G011Q N溝道MOS管,憑借30V...
2025-10-30 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 470 0
選型手冊(cè):MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣...
選型手冊(cè):MOT20200D 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MOT20200D是一款面向高壓大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、200V反向耐壓及低正向壓降特性,...
選型手冊(cè):MOT6525G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6525G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、30A大電流承載能力及緊湊貼片封裝,廣...
選型手冊(cè):MOT65R380D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于...
選型手冊(cè):MOT1514G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適用...
選型手冊(cè):MOT30100D 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MOT30100D是一款面向大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借30A連續(xù)電流承載能力、100V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛...
選型手冊(cè):MBR20150A 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MBR20150A是一款面向大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、150V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛...
選型手冊(cè):MOT4N70C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
選型手冊(cè):MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適...
選型手冊(cè):MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
雙向控制賦能低壓場(chǎng)景:中科微電ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索
一、參數(shù)解構(gòu):N+P雙溝道的性能優(yōu)勢(shì)在低壓功率電子領(lǐng)域,對(duì)器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛,中科微電ZK4030DS作為一款N+P溝...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 522 0
雙溝道賦能低壓場(chǎng)景:中科微電ZK3010DSMOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索
在低壓電子系統(tǒng)中,對(duì)功率器件的雙向控制能力、低功耗與小型化需求日益迫切,傳統(tǒng)單溝道MOS管往往需要多器件搭配才能實(shí)現(xiàn)雙向電流管理,不僅增加電路復(fù)雜度,還...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 298 0
SGT工藝加持下的高效功率器件:中科微電ZK150G09T MOS管全面解讀
隨著電子設(shè)備向高功率、小型化、高效能方向快速迭代,功率MOS管作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件,其性能表現(xiàn)直接決定了整機(jī)的運(yùn)行效率與可靠性。在中高壓、中大功...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 477 0
SGT工藝賦能大功率器件:中科微電ZK100G325B MOS管深度解析
中科微電作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),憑借多年技術(shù)沉淀推出的ZK100G325B N溝道MOS管,不僅以100V耐壓、411A大電流等硬核參數(shù)打破性...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管MOS 384 0
仁懋電子高壓平面MOS技術(shù)在電力行業(yè)的應(yīng)用
隨著科技的不斷發(fā)展,電力行業(yè)對(duì)高壓功率器件的需求日益增長(zhǎng)。作為一家國(guó)產(chǎn)功率器件生產(chǎn)原廠,仁懋電子一直致力于研發(fā)和生產(chǎn)MOS系列產(chǎn)品,其高壓平面MOS有M...
選型手冊(cè):MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適...
選型手冊(cè):MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效...
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