mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

GaN功率器件的應(yīng)用技術(shù)

簡單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域...

2023-02-14 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵 OBC 2.8k 0

三極管和MOS管的區(qū)別

　　我們知道三極管是一款電流放大器件。

2023-02-13 標(biāo)簽：三極管 MOS管 NMOS 8.3k 0

剖析一下CPU對代碼的識別和讀取

先說一下半導(dǎo)體，啥叫半導(dǎo)體？就是介于導(dǎo)體和絕緣體中間的一種東西，比如二極管。

2023-02-13 標(biāo)簽：二極管 MOS管加法器 1.9k 0

增強型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流大小。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 MOS 1.2萬 0

耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會有電子匯聚，也會形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 MOS 2.4萬 0

淺談MOS管的二階效應(yīng)

由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計中把它當(dāng)成一個常數(shù)。當(dāng)器件尺寸不斷縮小時，此模型不再精確，閾值電壓與L、...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 NMOS 3.9k 0

MOS晶體管的靜態(tài)特性(二)

短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應(yīng)。載流子的速度正比于電場，遷移率是一個常數(shù)，當(dāng)溝道電場達(dá)到某一臨界...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOS管晶體管 MOS 3.1k 0

MOS晶體管的動態(tài)特性

一個MOSFET管的動態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時間。本征電容的主要來源有三個：基本的MO...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 電容 MOS管 2.9k 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管晶體管 1.7k 0

內(nèi)置4ms軟啟動的充電器芯片SF1538DP

手機(jī)充電器芯片扮演著重要的角色，且越來越智能。一顆品質(zhì)上佳的充電器芯片，可以延長電池壽命，保護(hù)被充電系統(tǒng)不受損害。

2023-02-12 標(biāo)簽：MOS管充電器芯片開關(guān)電源芯片 1.1k 0

mos場效應(yīng)管焊接方法_場效應(yīng)管型號命名含義

mos管焊接的方法步驟如下：　　1、焊接前，認(rèn)清mos場效應(yīng)管的三個引腳，電烙鐵的外表要可靠的接地。　　2、先用烙鐵固定G.S極，然后從...

2023-02-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 1.3萬 0

n溝道場效應(yīng)管和p溝道場效應(yīng)管能互換嗎

純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負(fù)電荷（電子），此時為N型（N溝道）參雜，在N型...

2023-02-11 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PMOSFET 7.9k 0

什么是功率開關(guān)管開關(guān)管的工作原理

根據(jù)MOS管，三極管的性質(zhì)可知，通過對它們工作電壓的改變可以使它們分別用來放大信號，用來做開關(guān)，而MOS管，三極管同時也有大功率和小功率的各種類型管子，...

2023-02-10 標(biāo)簽：三極管 MOS管功率開關(guān)管 1.1萬 0

由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路設(shè)計

逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關(guān)管...

2023-02-10 標(biāo)簽：變壓器場效應(yīng)管 MOS管 4.4k 0

MOS驅(qū)動好不好？一看波形就清楚了！

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形。

2023-02-08 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動 6k 0

IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...

2023-02-08 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 6.4k 0

在MOS管的等效電路中柵-漏電容Cgd等效到輸入回路中的容值是多少？

接著，我們畫出其交流通路。注意，這里我們使用的不是MOS管的低頻小信號模型，而是高頻小信號模型。

2023-02-08 標(biāo)簽：放大電路 MOS管等效電路 2k 0

三極管和場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

　　場效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長)，就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。

2023-02-07 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路放大電路 4.8k 0

CBB薄膜電容耐高溫嗎？CBB電容損壞的幾種原因介紹

很多人不清楚，不少CBB電容之所以容易損壞，很大概率是溫度過高導(dǎo)致的，雖然CBB薄膜電容穩(wěn)定性遠(yuǎn)好于電解電容，但它也照樣害怕高溫，CBB薄膜電容耐高溫嗎？

2023-02-06 標(biāo)簽：MOS管電解電容薄膜電容 2.2k 0

MOS管的米勒效應(yīng)解析

　　在說MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測量的這個波形。

2023-02-03 標(biāo)簽：示波器 MOS管 MOS 5.2k 0

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