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標簽 > mdd
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| SL56B |
獲取價格
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| SL34BF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):40V;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):450mV@3A; |
獲取價格
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| SK106B |
獲取價格
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| SK810C |
獲取價格
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| SF54G | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):200V;平均整流電流(Io):5A;正向壓降(Vf):950mV@5A;反向電流(Ir):10uA@200V;反向恢復時間(trr):35ns;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| SD24 | 極性:單向;反向截止電壓(Vrwm):24V;擊穿電壓(最小值):26.7V;峰值脈沖電流(Ipp)@10/1000μs:7A;最大鉗位電壓:52V; |
獲取價格
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| SD18 |
獲取價格
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| S3JB | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.1V@3A; |
獲取價格
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| S2JB | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):2A;正向壓降(Vf):1.1V@2A; |
獲取價格
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| S1D |
獲取價格
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| RS3MF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.3V@3A;反向電流(Ir):5uA@1kV;反向恢復時間(trr):500ns;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| RS3JB | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.3V@3A;反向恢復時間(trr):250ns; |
獲取價格
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| RS3MBF | 快/超快恢復二極管 VR=1000V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS |
獲取價格
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| RS3JC | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.3V@3A;反向恢復時間(trr):250ns; |
獲取價格
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| RS2MW | VR=1000V IF=2A 40pF trr=500ns |
獲取價格
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| RS2A | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):50V;平均整流電流(Io):2A;正向壓降(Vf):1.3V@2A;反向電流(Ir):5uA@50V;反向恢復時間(trr):150ns;工作溫度:-50℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| RS2JB | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):2A;正向壓降(Vf):1.3V@2A;反向恢復時間(trr):250ns; |
獲取價格
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| RS1A | 與RS1AG品質一樣 |
獲取價格
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| RMSB40M | 直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):4A;正向壓降(Vf):1.3V@4A;反向電流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌電流(Ifsm):95A;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| RABS210 |
獲取價格
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| RMSB30M | 直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.3V@3A;反向電流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌電流(Ifsm):90A;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| MSB56 | 普通一般通用貼片整流器GPP工藝 |
獲取價格
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| MMBZ6V2AL | 極性:單向;反向截止電壓(Vrwm):3V;擊穿電壓(VBR):6.2V;鉗位電壓(Vc)@Ipp:8.7V; |
獲取價格
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| MMBZ5V6AL | 極性:單向;反向截止電壓(Vrwm):3V;擊穿電壓(VBR):5.6V;鉗位電壓(Vc)@Ipp:8V; |
獲取價格
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| MMBZ27VAL | MMBZ27VAL |
獲取價格
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| MMBZ15VAL | 極性:單向;反向截止電壓(Vrwm):12V;擊穿電壓(VBR):15V;鉗位電壓(Vc)@Ipp:21V; |
獲取價格
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| MMBTA92 | PNP IC(集電極最大電流)=-300mA PD(最大功率)=300mW 應用:通訊模塊、工業控制、人工智能、消費電子 |
獲取價格
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| MMBTA42 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):350mW;集電極截止電流(Icbo):250nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| MMBT2222A | triode SOT23 NPN IC=600mA |
獲取價格
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| MM1W10 |
獲取價格
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