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標簽 > mdd
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| MDDG10R04P | 100V 130A 3.2mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價格
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| MDD210N40P | 40V 210A 1.5mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價格
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| MDD100N03D | 30V 100A 2.8mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價格
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| MUR1560CT | 電流:15A 電壓:600V超快恢復二極管 |
獲取價格
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| MUR860CT | 電流:8A 電壓:600V超快恢復二極管 |
獲取價格
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| MBRB30200T | 電流:30A 電壓:200V肖特基二極管 |
獲取價格
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| MUR2020DCT | 電流:20A 電壓:200V超快恢復二極管 |
獲取價格
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| MMBTA06 |
獲取價格
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| MDD8205 | 雙N溝導MOS管,20V/5A, 23毫歐低阻產品。 |
獲取價格
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| ES5JB | 貼片超快恢復二極管 |
獲取價格
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| BAT46WS | 小信號肖特基二極管 |
獲取價格
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| BAT46W | 小信號肖特基二極管 |
獲取價格
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| BAT54WS | 電壓:21V 電流:100MA |
獲取價格
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| SI2301-3A | P溝道,電流:-3.0A,耐壓:-20V |
獲取價格
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| MMBT5551-E | 該NPN雙極晶體管適用于線性和開關應用。此器件采用 SOT-23 封裝,適用于低功率表面貼裝應用。 |
獲取價格
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| MDDG1C120R040K3 | 1個N溝道 耐壓:1.2KV 電流:55A |
獲取價格
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| SI2301S-2.3A | 1個P溝道 耐壓:20V 電流:2A |
獲取價格
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| M7(5K)-ZX |
獲取價格
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| S1M(2K)-ZX |
獲取價格
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| S2MF-S2M-SMAF-A2-T3-ZX |
獲取價格
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| B5819W-SL(S)-T3-ZX | 電壓:40V 電流:1A |
獲取價格
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| SS14(2K)-ZX | 電壓:40V 電流:1A |
獲取價格
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| RS3M-SMC-T3-ZX |
獲取價格
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| RS2G-SMBG-T3-ZX |
獲取價格
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| ER1J-SMAG-ZX |
獲取價格
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| RS1D(2K)-ZX |
獲取價格
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| US1G(2K)-ZX |
獲取價格
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| SM8S18A | TVS 18V截止 226A峰值脈沖 |
獲取價格
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| SS36-SMB-AJ-T3-ZX | 電壓:60V 電流:3A |
獲取價格
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|
| S2M-SMAJ-ZX |
獲取價格
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