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標簽 > mdd
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| MDD10N60F | 600V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MDD13N50F | 500V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MDD12N60F | 600V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MDD20N50F | 500V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MDD2N60D | 600V N溝道增強型MOSFET |
獲取價格
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| MDD20N06D | 60V N溝道增強型MOSFET |
獲取價格
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| MDD5N50D | 500V N溝道增強型MOSFET |
獲取價格
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| MDDG10R08G | 100V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MURF1640DCT | ITO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MDD30P04D | 40V P通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MURF1620DCT | ITO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| HBS410 | VR=1000V,IF=4A,VF=1.1V,HBS封裝整流橋 |
獲取價格
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| RHBS410 | VR=1000V,IF=4A,VF=1.3V,Trr≤500ns,HBS封裝快恢復整流橋 |
獲取價格
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| RHBS610 | VR=1000V,IF=6A,VF=1.3V,Trr≤500ns,HBS封裝快恢復整流橋 |
獲取價格
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| HBS610 | VR=1000V,IF=6A,VF=1.1V,HBS封裝整流橋 |
獲取價格
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| RHBS810 | VR=1000V,IF=8A,VF=1.3V,Trr≤500ns,HBS封裝快恢復整流橋 |
獲取價格
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| HBS810 | VR=1000V,IF=8A,VF=1.1V,HBS封裝整流橋 |
獲取價格
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| MDDG10R20D | 100V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| MUR1060DCT | TO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MUR1660DCT | TO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MUR2040DCT | TO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MUR2060DCT | TO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MUR1040DCT | TO-220AB塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MBR40200CT | TO-220AB塑料封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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| MBR40100CT | TO-220AB塑料封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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| MMBT3906T | SOT-523塑料封裝晶體管 |
獲取價格
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| 2N7002KT | 60V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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| M7-E | SMA封裝通用二極管 |
獲取價格
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| SS14-E | SMA封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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| SS34-E | SMA封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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