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樂山無線電股份有限公司(簡(jiǎn)稱LRC)位于中國西部大開發(fā)中心地帶的歷史文化名城——四川樂山,創(chuàng)建于1971年,是以芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件制造與銷售的大型電子企業(yè)。
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| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| BZX84C3V6LT1 | BZX84C3V6LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
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| BZX84C3V0LT1 | BZX84C3V0LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
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| BZX84C39LT1 | BZX84C39LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
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| BZX84C30LT1 | BZX84C30LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
|
| BZX84C27LT1 | BZX84C27LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
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| BZX84C20LT1 | BZX84C20LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
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| BZX84C12LT1 | BZX84C12LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
|
| LBZT52B4V3T1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LESDA6V1LLT1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LMBZ5259BLT1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LBZT52B3V0T1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LBZT52B9V1T1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LMBZ5258BLT1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LBZT52B27T1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LBZX84B7V5LT1G |
獲取價(jià)格
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||
| LRC099-04BT1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LBZT52B3V6T1G |
獲取價(jià)格
|
||
| LMBZ5236BLT1G |
獲取價(jià)格
|
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| R2000F | R2000F - HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES - Leshan Radio Company |
獲取價(jià)格
|
|
| LMBR120ET1G |
獲取價(jià)格
|
||
| S-LMBT4403LT1G | - |
獲取價(jià)格
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| S-LPB8630DT0AG | - |
獲取價(jià)格
|
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| S-LMBT4401LT1G | - |
獲取價(jià)格
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|
| S-LN2604DT2AG | - |
獲取價(jià)格
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| S-1.5SMC30CA | - |
獲取價(jià)格
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| S-LMBR0530T1G | - |
獲取價(jià)格
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| S-LMBR160FT1G | - |
獲取價(jià)格
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|
| LBSS5350SY3T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):3A; |
獲取價(jià)格
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| LNA2306LT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,5.8A; |
獲取價(jià)格
|
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| LBC817-25DPMT1G | 集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA; |
獲取價(jià)格
|
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