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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注41人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2318個 瀏覽：189209次 帖子：82個

      dram資訊

      合肥長鑫即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬片

      長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項目發(fā)布會表示，合肥長鑫作為國內(nèi)進(jìn)展最快的存儲器生產(chǎn)基地，近日12吋...

      2018-04-23 標(biāo)簽：dram合肥長鑫 1.4萬 0

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      聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違...

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      中國存儲器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)發(fā)展的詳細(xì)概述

      從3大廠目前布局進(jìn)度來看，合肥長鑫的廠房已于2017年6月封頂完工，并且于第3季開始移入測試用機臺。合肥長鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時程將會落于...

      2018-04-22 標(biāo)簽：DRAM存儲器NANDFlash 6.2k 0

      一文解析DRAM市場的未來走勢

      臺灣存儲器芯片廠廠商南亞科昨（17）日舉行法說會，公布今年第一季度毛利率沖上51.8%，優(yōu)于市場預(yù)期。南亞科總經(jīng)理李培瑛分析上季毛利率沖高，主因 DRA...

      2018-04-21 標(biāo)簽：dram 3.9k 0

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      近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進(jìn)安徽活動”中，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 ...

      2018-04-18 標(biāo)簽：DRAMDDR4 8.2k 0

      厲害了我的國！！首個自主研發(fā)DRAM芯片有望在合肥誕生

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      2018年底第一個中國自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生；

      2018-05-16 標(biāo)簽：dram 2.2萬 0

      今日要聞：臺灣DRAM人才流失嚴(yán)重 AI刺激半導(dǎo)體再成長

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      1.臺灣半導(dǎo)體DRAM人員流失嚴(yán)重 近500人投奔大陸公司； 2.南亞科：DRAM需求熱到第三季度 Q4待觀察產(chǎn)能變化； 3.加速云發(fā)布一整套基于FPG...

      2018-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體dramAI 3.5k 0

      一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

      一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

      本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進(jìn)行詳細(xì)介紹。

      2018-04-21 標(biāo)簽：dramnand邏輯器件 1.4萬 0

      中國的三大存儲芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

      當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)...

      2018-04-17 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片 4.5萬 0

      解說DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品

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      影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加...

      2018-04-16 標(biāo)簽：DRAMNAND邏輯器件 1.0萬 0

      奇夢達(dá)為什么破產(chǎn)_揭秘奇夢達(dá)破產(chǎn)內(nèi)幕

      奇夢達(dá)公司（QimondaAG）是一家在2006年5月1日由英飛凌科技公司分拆而成的新內(nèi)存公司，為全球第二大的DRAM公司，300mm晶圓工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和...

      2018-04-10 標(biāo)簽：DRAM奇夢達(dá) 2.1萬 0

      大陸未來在NAND市場將占一席之地，NANDFlash市況吃緊

      綜合消息，臺灣NAND Flash控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)期上半年NAND Flash將供過于求，價格呈現(xiàn)緩步下滑，到下半年因多家新款手機儲存...

      2018-06-09 標(biāo)簽：dram儲存nand flash 1.6k 0

      聯(lián)電宣布將暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助

      大陸DRAM廠福建晉華遭到美國商務(wù)部列為出口管制實體列表，以至于與晉華密切合作的臺灣聯(lián)電也首當(dāng)其沖。聯(lián)電31日指出，將暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助！

      2018-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM聯(lián)電 1.7k 0

      全球存儲發(fā)展簡史（DRAM、NAND Flash和Nor Flash）

      NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。

      2018-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 2.4萬 0

      2018年DRAM市場整體規(guī)模將會達(dá)到996億美元

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      DRAM市場整體規(guī)模將會達(dá)到996億美元，比NAND閃存市場621億美元還高出375億美元，將成為IC行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別。從圖表中就可以看出，在過去...

      2018-03-23 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 1.0萬 0

      英特爾想要盡快壓制三星，用這些新戰(zhàn)略試試看？

      作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc. 英特爾自從1992年以來首次在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入中失去第一名，需要新的策略來縮小差距或超...

      2018-03-22 標(biāo)簽：英特爾DRAMNAND 7.7k 0

      三星野心勃勃擬定超越影像傳感器市場霸主Sony的計劃

      據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，在影像傳感器事業(yè)方面，三星將先提升1,300萬畫素以上高附加價值產(chǎn)品供應(yīng)能力。三星目前在器興多間8吋晶圓廠及華城12吋晶圓廠生...

      2018-03-21 標(biāo)簽：傳感器DRAM三星電子 4.4k 0

      DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu),2018年存儲規(guī)模突破1600億美元

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      全球最大存儲廠韓國三星電子正在進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移，以提升產(chǎn)能運用效率，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴大先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能...

      2018-03-19 標(biāo)簽：DRAM存儲 5.8k 0

      DRAM報價超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長預(yù)估值

      DRAM報價超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長預(yù)估值

      因DRAM、NAND等內(nèi)存報價上漲、需求強勁，調(diào)研機構(gòu)昨日（3月14日）發(fā)布最新研究報告，將2018年全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口...

      2018-03-16 標(biāo)簽：DRAMNAND 1.4k 0

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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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      • 華為Mate9
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